一种沟槽型CoolMOS及其利记博彩app
【专利摘要】本发明属于半导体器件技术领域，一种沟槽型CoolMOS，由下到上依次包括背面金属层、N+衬底、N?外延层、P?阱区、n+源区、绝缘层和正面金属层；N+衬底上设置有贯通N+衬底的若干超结沟槽，超结沟槽一端延伸至N?外延层，超结沟槽内填充有P型硅；P?阱区设置有贯通P?阱区和n+源区的若干栅极沟槽，栅极沟槽一端延伸至N?外延层，栅极沟槽内填充有多晶硅，多晶硅与栅极沟槽之间通过栅氧间隔设置；n+源区设置有贯通n+源区和绝缘层的若干接触孔，接触孔一端延伸至P?阱区，接触孔内填充有导电金属，且导电金属与正面金属层接触。正面采用栅极沟槽结构，背面挖槽，填充P型硅，达到多次注入扩散P型离子的效果。
【专利说明】
-种沟槽型Coo IMOS及其利记博彩app
技术领域
[0001] 本发明属于半导体器件技术领域，尤其设及一种沟槽CoolMOS及其利记博彩app。
【背景技术】
[0002] 如图1所示为传统CoolMOS结构，CoolMOS又叫超结M0S，由于采用新的耐压层结构， 它的电场分布是矩形结构，在保持功率M0SFET优点的同时，又有着极低的导通损耗，具有导 通电阻低，耐高压，发热量低的特点。
[0003] CoolMOS的超结结构是一梳状结构，需要靠多次离子注入再加上二次高溫扩散形 成，使工艺步骤大大增多，增加了生产成本。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的是克服现有技术存在的CoolMOS制作工艺复杂的缺陷，提供一种沟 槽型CoolMOS及其制备方法，采用背面挖槽，填充P型娃的工艺，达到多次注入扩散P型离子 的效果;正面采用沟槽栅结构，减少工艺步骤，缩小忍片面积，节约设备和生产成本，提高器 件的电学性能。
[0005] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种沟槽型CoolMOS,由下到上依次 包括背面金属层、化衬底、N-外延层、P-阱区、n+源区、绝缘层和正面金属层；
[0006] 所述N+衬底上设置有贯通所述N+衬底的若干超结沟槽，所述超结沟槽一端延伸至 所述N-外延层，所述超结沟槽内填充有P型娃；
[0007] 所述的P-阱区设置有贯通所述P-阱区和n+源区的若干栅极沟槽，所述栅极沟槽一 端延伸至N-外延层，所述栅极沟槽内填充有多晶娃，所述多晶娃与栅极沟槽之间通过栅氧 间隔设置；
[0008] 所述n+源区设置有贯通所述n+源区和所述绝缘层的若干接触孔，所述接触孔一端 延伸至P-阱区，所述的接触孔内填充有导电金属，且所述导电金属与所述正面金属层接触。
[0009] 作为优选，所述正面金属层和导电金属为金属侣。
[0010] 进一步地，所述的接触孔和所述栅极沟槽间隔设置。
[0011] 作为优选，所述的栅极沟槽与超结沟槽之间垂直距离大于0。
[0012] 具体地，所述的背面金属层包括由上至下依次设置的Ti层、Ni层和Ag层。
[0013] 上述的CoolMOS的利记博彩app，包括如下步骤：
[0014] (1)化衬底上生长N-外延层，在N-外延层表面扩散或注入棚离子，形成P-阱区；
[0015] (2)在娃片表面沉积氧化层，通过涂胶、曝光、显影、刻蚀的工艺，形成栅极沟槽；
[0016] (3)在栅极沟槽内生长栅氧，再在栅极沟槽内填充多晶娃，去除表面多余的多晶 娃，注入憐或神离子，形成n+源区；
[0017] (4)在n+源区表面沉积绝缘层，通过涂胶、曝光、显影、刻蚀的工艺，形成接触孔；
[0018] (5)在接触孔内及绝缘层表面瓣射导电金属和正面金属层，形成电极；
[0019 ] (6)背面减薄，在化衬底背面挖设超结沟槽，并在沟槽内填充P型娃；
[0020] (7)瓣射或蒸发背面金属层。
[0021] 作为优选，所述的N-外延层厚度为50皿~55皿。
[0022] 作为优选，所述P-阱区厚度为3~7皿，所述氧化层厚度为0.2皿~1.5皿。
[0023] 作为优选，所述的背面金属层包括由上至下依次设置的Ti层、Ni层和Ag层，Ti层厚 度为200〇A、Ni层厚度为200〇A、Ag层厚度为8000A。
[0024] 作为优选，所述的超结沟槽与栅极沟槽之间垂直距离为如m~10皿。
[0025] 有益效果:本发明采用正面采用栅极沟槽结构，背面挖槽，填充P型娃的工艺，达到 多次注入扩散P型离子的效果，正面采用栅极沟槽结构，提高器件的耐压，减小电阻率，减小 外延厚度，降低器件的开关损耗。减少注入次数，减少制作步骤，缩小忍片面积，节约了设备 和生产成本。
【附图说明】
[0026] 下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明。
[0027] 图1是传统CoolMOS的结构示意图；
[0028] 图2~图12为本发明沟槽型CoolMOS制作过程结构图。
[0029] 其中：1.N+衬底，2.N-外延层，3.P-阱区，31.氧化层，4.栅极沟槽，5.栅氧，6.多晶 娃，7. n+源区，8.绝缘层，9.接触孔，10.正面金属层，11.超结沟槽，12. P型娃，13.背面金属 层。
【具体实施方式】
[0030] 实施例1
[0031] 如图12所示，一种沟槽型CoolMOS,由下到上依次包括背面金属层13、N+衬底1、N- 外延层2、P-阱区3、n+源区7、绝缘层8和正面金属层10;
[0032] 所述N+衬底1上设置有贯通所述N+衬底1的若干超结沟槽11，所述超结沟槽11 一端 延伸至所述N-外延层2，所述超结沟槽11内填充有P型娃12;
[0033] 所述的P-阱区3设置有贯通所述P-阱区3和n+源区7的若干栅极沟槽4(栅极沟槽4 将P-阱区3相互隔开，n+源区7位于栅极沟槽4之间），所述栅极沟槽4 一端延伸至N-外延层2， 所述栅极沟槽4内填充有多晶娃6,所述多晶娃6与栅极沟槽4之间通过栅氧5间隔设置;所述 的栅极沟槽4与超结沟槽11之间垂直距离大于0。
[0034] 所述n+源区7设置有贯通所述n+源区7和所述绝缘层8的若干接触孔9(接触孔則尋η +源区7相互隔开），所述接触孔9 一端延伸至Ρ-阱区3,所述的接触孔9内填充有导电金属，且 所述导电金属与所述正面金属层10接触，所述正面金属层10和导电金属均为金属侣。所述 的接触孔9和所述栅极沟槽4间隔设置。所述的背面金属层13包括由上至下依次设置的Ti 层、Ni层和Ag层，Ti层厚度为2〇〇〇A、Ni层厚度为200〇A、Ag层厚度为8000A。
[0035] 上述的Coo 1M0S的利记博彩app，包括如下步骤：
[0036] (1)如图2所示，娃片清洗，在N+衬底1上生长N-外延层2，N-外延层2厚度范围为50μ m-55ym;
[0037] (2)如图3所示，采用扩散或注入工艺渗杂棚离子，在N-外延层2内形成Ρ-阱区3,结 深范围为3μπι-7μπι，然后在娃片表面沉积氧化层31，厚度范围为0.2μπι-1.5WI1;
[0038] (3)通过涂胶、曝光、显影、刻蚀等工艺，对氧化层31和娃片进行刻蚀，形成栅极沟 槽4，栅极沟槽4的深度范围为4μηι-祉m;
[0039] (4)如图5所示，生长栅氧5,栅氧5厚度范围为500Λ-1000Λ;
[0040] (5)如图6所示，在栅极沟槽4内填充多晶娃6,然后去除娃片表面多余的多晶娃6和 氧化层31;
[0041 ] (6)如图7所示，在娃片表面注入憐或神离子，能量范围为100Kev-200Kev，剂量范 围为化14/cm2-犯15/cm2，在P-阱区3内形成n+源区7，pn结深在0.2μπι-0.5皿范围内，在娃片 表面沉积绝缘层8，厚度范围为0.2μπι-1.5μπι;
[0042] (7)如图8所示，通过涂胶、曝光、显影、刻蚀等工艺，刻蚀掉绝缘层8和Si,形成接触 孔9，接触孔9的深度在0.3μπι-1μπι范围内；
[0043] (8)如图9所示，采用瓣射工艺，瓣射金属侣层，形成电极，侣层厚度范围为3皿-5μ m;
[0044] (9)采用背面减薄工艺，减薄娃片厚度范围至90μπι-15〇Μ?;
[0045] (10)如图10所示，在娃片背面挖设超结沟槽11，超结沟槽11穿通Ν+衬底1至Ν-外延 层2,超结沟槽11深度范围为40μπι-45皿，超结沟槽11与栅极沟槽4未连通，相距一定距离，距 离范围为5μηι-10μηι;
[0046] (11)如图11所示，在超结沟槽11内填充Ρ型娃12;
[0047] (12)如图12所示，采用瓣射或蒸发工艺，在娃片背面瓣射或蒸发背面金属层，所述 背面金属层13包括由上至下依次设置的Ti层、Ni层和Ag层，Ti层厚度为20(ΚΜ、Μ层厚度为 2000A、Ag 层厚度为8000Α。
[0048] 应当理解，W上所描述的具体实施例仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。由 本发明的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
【主权项】
1. 一种沟槽型CoolMOS，其特征在于：由下到上依次包括背面金属层（13)、N+衬底（1)、 N-外延层(2)、P-阱区（3)、n+源区（7)、绝缘层(8)和正面金属层（10); 所述N+衬底（1)上设置有贯通所述N+衬底（1)的若干超结沟槽（11)，所述超结沟槽（11) 一端延伸至所述N-外延层(2)，所述超结沟槽(11)内填充有P型硅(12); 所述的P-阱区（3)设置有贯通所述P-阱区（3)和n+源区（7)的若干栅极沟槽(4)，所述栅 极沟槽(4)一端延伸至N-外延层(2)，所述栅极沟槽(4)内填充有多晶硅(6)，所述多晶硅(6) 与栅极沟槽(4)之间通过栅氧(5)间隔设置； 所述n+源区（7)设置有贯通所述n+源区（7)和所述绝缘层(8)的若干接触孔(9)，所述接 触孔(9)一端延伸至P-阱区（3)，所述的接触孔(9)内填充有导电金属，且所述导电金属与所 述正面金属层（10)接触。2. 根据权利要求1所述的沟槽型CoolMOS，其特征在于：所述正面金属层（10)和导电金 属为金属铝。3. 根据权利要求1所述的沟槽型CoolMOS，其特征在于:所述的接触孔(9)和所述栅极沟 槽(4)间隔设置。4. 根据权利要求1所述的沟槽型CoolMOS，其特征在于:所述的栅极沟槽(4)与超结沟槽 (11)之间垂直距离大于0。5. 根据权利要求1所述的沟槽型CoolMOS，其特征在于:所述的背面金属层（13)包括由 上至下依次设置的Ti层、Ni层和Ag层。6. 根据权利要求1~5任一项所述的沟槽型CoolMOS的利记博彩app，其特征在于:包括如下 步骤： (1) N+衬底（1)上生长N-外延层（2)，在N-外延层（2)表面扩散或注入硼离子，形成P-阱 区⑶； (2) 在硅片表面沉积氧化层（31)，通过涂胶、曝光、显影、刻蚀的工艺，形成栅极沟槽 (4)； (3) 在栅极沟槽(4)内生长栅氧(5)，再在栅极沟槽(4)内填充多晶硅(6)，去除表面多余 的多晶硅(6)，注入磷或砷离子，形成n+源区（7); (4) 在n+源区（7)表面沉积绝缘层(8)，通过涂胶、曝光、显影、刻蚀的工艺，形成接触孔 (9)； (5) 在接触孔(9)内及绝缘层(8)表面溅射导电金属和正面金属层（10)，形成电极； (6) 背面减薄，在N+衬底(1)背面挖设超结沟槽(11)，并在沟槽内填充P型硅(12); (7) 溅射或蒸发背面金属层(13)。7. 根据权利要求6所述的沟槽型CoolMOS的利记博彩app，其特征在于:所述的N-外延层(2) 厚度为50μηι~55μηι。8. 根据权利要求6所述的沟槽型CoolMOS的利记博彩app，其特征在于:所述Ρ-阱区（3)厚度 为3~7μηι，所述氧化层(31)厚度为0.2μηι~1.5μηι。9. 根据权利要求6所述的沟槽型CoolMOS的利记博彩app，其特征在于:所述的背面金属层 (13)包括由上至下依次设置的Ti层、Ni层和Ag层，Ti层厚度为2〇〇〇Λ、Μ层厚度为2000Λ、 Ag层厚度为8〇〇〇A a10.根据权利要求6所述的沟槽型CoolMOS的利记博彩app，其特征在于：所述的超结沟槽 (11)与栅极沟槽(4)之间垂直距离为5μηι~1 Ομπι。
【文档编号】H01L29/06GK105870194SQ201610375244
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年5月31日
【发明人】周炳
【申请人】苏州同冠微电子有限公司