薄膜晶体管及其利记博彩app、阵列基板、显示装置的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种薄膜晶体管及其利记博彩app、阵列基板、显示装置，属于显示装置技术领域。该薄膜晶体管包括：衬底基板、有源层、栅极绝缘层、栅极、源极以及漏极；有源层设置在所述衬底基板上；栅极绝缘层设置在有源层上，并且栅极绝缘层的长度小于或者等于有源层的长度；栅极设置在栅极绝缘层上，源极和漏极设置在衬底基板上并且分别与有源层的相对的两侧连接；栅极绝缘层的长度为栅极绝缘层沿平行于源极和漏极连线方向的尺寸，有源层的长度为有源层沿平行于源极和漏极连线方向的尺寸。该薄膜晶体管由于不需要设置过孔即实现了源极和漏极与有源层的连接，因此该薄膜晶体管具有较大的沟道宽长比W/L，从而提高薄膜晶体管的电学性能。
【专利说明】
薄膜晶体管及其利记博彩app、阵列基板、显示装置
技术领域
[0001]本发明涉及显示装置技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其利记博彩app、阵列基板、显示装置。
【背景技术】
[0002]薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，简称“TFT”)是液晶显示装置中的关键器件，对液晶显示装置的工作性能起到十分重要的作用。
[0003]参见图1，现有薄膜晶体管主要包括:设置在衬底基Ia上的有源层3a、覆盖有源层3a的刻蚀阻挡层2a、以及设置在刻蚀阻挡层2a上的栅极4a、源极5a和漏极6a。其中，刻蚀阻挡层2a上设置有过孔，源极5a和漏极6a均通过过孔与有源层3a连接。现有的薄膜晶体管的利记博彩app主要包括:用构图工艺在衬底基板Ia上形成有源层3a图形;在上述衬底基板Ia上沉积刻蚀阻挡层2a，并对得到的刻蚀阻挡层2a进行构图工艺从而形成过孔;在上述刻蚀阻挡层2a上沉积栅极/源极/漏极金属层，通过构图工艺形成栅极4a、源极5a和漏极6a。
[0004]在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题:现有的薄膜晶体管需要在刻蚀阻挡层上形成过孔从而使源极和漏极与有源层连接，过孔的存在使得薄膜晶体管的沟道宽长比(W/L)较小，从而影响薄膜晶体管的电学性能。
【发明内容】
[0005]为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供一种沟道宽长比较大、电学性能良好的薄膜晶体管及其利记博彩app，以及基于该薄膜晶体管的阵列基板和显示装置。
[0006]具体而言，包括以下的技术方案:
[0007]第一方面，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括:衬底基板、有源层、栅极绝缘层、栅极、源极以及漏极;所述有源层设置在所述衬底基板上;所述栅极绝缘层设置在所述有源层上，并且所述栅极绝缘层的长度小于或者等于所述有源层的长度;所述栅极设置在所述栅极绝缘层上，所述源极和漏极设置在所述衬底基板上并且分别与所述有源层的相对的两侧连接。
[0008]进一步地，所述薄膜晶体管还包括:钝化层;所述钝化层覆盖所述衬底基板、源极、漏极以及栅极。
[0009]第二方面，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管的利记博彩app，所述利记博彩app包括:
[0010]在衬底基板上形成有源层的图形以及栅极绝缘层的图形;所述栅极绝缘层位于所述有源层上并且所述栅极绝缘层的长度小于或者等于所述有源层的长度；
[0011]在所述栅极绝缘层上形成栅极，在所述衬底基板上形成分别与所述有源层的相对的两侧连接的源极和漏极。
[0012]进一步地，当所述栅极绝缘层的长度小于所述有源层的长度时，所述在衬底基板上形成有源层的图形以及栅极绝缘层的图形具体包括:
[0013]在所述衬底基板上形成有源层，在所述有源层上形成所述栅极绝缘层；
[0014]在所述栅极绝缘层上涂覆光刻胶，利用半色调掩膜版或者灰色调掩膜版对所述光刻胶进行曝光以及显影，形成光刻胶完全保留区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全去除区；其中，所述光刻胶完全保留区对应存在所述有源层和所述栅极绝缘层的区域，所述光刻胶部分保留区对应仅存在所述有源层的区域，所述光刻胶完全去除区对应所述有源层以外的区域；
[0015]去除位于所述光刻胶完全去除区的所述有源层和所述栅极绝缘层；
[0016]去除所述光刻胶部分保留区的光刻胶；
[0017]去除位于所述光刻胶部分保留区的所述栅极绝缘层；
[0018]去除所述光刻胶完全保留区的光刻胶。
[0019]进一步地，采用干法刻蚀工艺去除位于所述光刻胶完全去除区以及所述光刻胶部分保留区的所述栅极绝缘层;采用湿法刻蚀工艺去除位于所述光刻胶完全去除区的所述有源层。
[0020]进一步地，所述去除所述光刻胶部分保留区的光刻胶，具体包括:
[0021]采用预设强度的紫外光照射所述光刻胶部分保留区的光刻胶以及所述光刻胶完全保留区的光刻胶，使所述光刻胶部分保留区的光刻胶全部分解，使所述光刻胶完全保留区的光刻胶部分分解，从而去除所述光刻胶部分保留区的光刻胶，同时保留所述光刻胶完全保留区的部分光刻胶。
[0022]进一步地，当所述栅极绝缘层的长度与所述有源层的长度相等时，所述在衬底基板上形成有源层的图形以及栅极绝缘层的图形具体包括:
[0023]在所述衬底基板上形成有源层，在所述有源层上形成所述栅极绝缘层；
[0024]通过一次构图工艺同时形成所述栅极绝缘层的图形和所述有源层的图形。
[0025]进一步地，所述在所述栅极绝缘层上形成栅极，在所述衬底基板上形成分别与所述有源层的相对的两侧连接的源极和漏极，具体包括:
[0026]在所述衬底基板上形成源极/漏极/栅极层，所述源极/漏极/栅极层覆盖所述衬底基板、所述栅极绝缘层以及所述有源层；
[0027]通过一次构图工艺形成所述源极、所述漏极以及所述栅极。
[0028]进一步地，所述利记博彩app还包括:
[0029]在所述衬底基板上形成覆盖所述衬底基板、源极、漏极以及栅极的钝化层。
[0030]第三方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括上述的薄膜晶体管。
[0031]第四方面，本发明实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的阵列基板。
[0032]本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0033]本发明实施例提供的薄膜晶体管中，由于源极和漏极分别与有源层的相对的两侧直接接触连接，从而不需要设置过孔即实现了源极/漏极与有源层的连接，解决了由于设置过孔而导致的薄膜晶体管沟道宽长比较小的问题，有效提高了薄膜晶体管的电学性能。
[0034]此外，本发明实施例提供的薄膜晶体管中的有源层的图形和栅极绝缘层的图形可以通过一次构图工艺形成，简化了薄膜晶体管的制作工艺，提高制作效率、降低成本。
【附图说明】
[0035]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0036]图1为现有薄膜晶体管的结构示意图；
[0037]图2为本发明一实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；
[0038]图3为本发明又一实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；
[0039]图4为本发明一实施例提供的一种薄膜晶体管的利记博彩app的流程图；
[0040]图5为本发明又一实施例提供的一种薄膜晶体管的利记博彩app的流程图；
[0041]图6-1?图6-10为本发明又一实施例提供的一种薄膜晶体管的利记博彩app的示意图；
[0042]图7为本发明又一实施例提供的一种薄膜晶体管的利记博彩app的流程图；
[0043]图8-1?图8-7为本发明又一实施例提供的一种薄膜晶体管的利记博彩app的示意图。
[0044]附图标记分别表示:
[0045]Ia-现有薄膜晶体管的衬底基板；
[0046]2a_现有薄膜晶体管的刻蚀阻挡层；
[0047]3a_现有薄膜晶体管的有源层；
[0048]4a_现有薄膜晶体管的栅极；
[0049]5a_现有薄膜晶体管的源极；
[0050]6a_现有薄膜晶体管的漏极；
[0051 ]7a_现有薄膜晶体管的钝化层；
[0052]1-衬底基板；
[0053]2-栅极绝缘层；
[0054]3-有源层；
[0055]4-栅极；
[0056]5-源极；
[0057]6_漏极；
[0058]7-钝化层；
[0059]8-光刻胶；
[0060]9-栅极/源极/漏极层；
[0061]A-光刻胶完全保留区；
[0062]B-光刻胶完全去除区；
[0063]C-光刻胶部分保留区。
[0064]图6-2和图8-2中的实线箭头表示光线。
【具体实施方式】
[0065]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。除非另有定义，本发明实施例所用的所有技术术语均具有与本领域技术人员通常理解的相同的含义。
[0066]实施例一
[0067]本实施例提供一种薄膜晶体管，参见图2，也可参见图3，该薄膜晶体管包括衬底基板1、有源层3、栅极绝缘层2、栅极4、源极5以及漏极6;有源层3设置在衬底基板I上;栅极绝缘层2设置在有源层3上，并且栅极绝缘层2的长度小于或者等于有源层3的长度;栅极4设置在栅极绝缘层2上，源极5和漏极6设置在衬底基板上并且分别与有源层3的相对的两侧连接;其中，栅极绝缘层2的长度为栅极绝缘层2沿平行于源极5和漏极6连线方向的尺寸(即图2和图3中沿00’方向的尺寸)，有源层3的长度为有源层3沿平行于源极和漏极连线方向的尺寸(即图2和图3中沿00’方向的尺寸)。
[0068]本实施例提供的薄膜晶体管中，源极5和漏极6设置在衬底基板I上，由于栅极绝缘层2的长度小于或者等于有源层3的长度，使得源极5和漏极6分别与有源层3的相对的两侧直接接触连接，从而不需要设置过孔即实现了源极5和漏极6与有源层3的连接，解决了由于设置过孔而导致的薄膜晶体管沟道宽长比较小的问题，有效提高了薄膜晶体管的电学性會K。
[0069]进一步地，本实施例中，当栅极绝缘层2的长度小于有源层3的长度时，参见图2，有源层3相对的两个侧表面相对于栅极绝缘层2相对的两个侧表面向外凸出，呈台阶状;优选将栅极绝缘层2设置在有源层3的中部，即栅极绝缘层2的对称轴与有源层3的对称轴重合；源极5和漏极6与有源层3连接的位置包括有源层3相对的两个侧表面以及有源层3相对于栅极绝缘层2向外凸出部分的上表面。当栅极绝缘层2的长度与有源层3的长度相等时，参见图3，栅极绝缘层2相对的两个侧表面与有源层3相对的两个侧表面分别对齐，源极5和漏极6与有源层3连接的位置仅为有源层3相对的两个侧表面。由此可见，当栅极绝缘层2的长度小于有源层3的长度时，源极5和漏极6与有源层3的接触面积更大，有利于源极5和漏极6与有源层3的连接。需要说明的是，当栅极绝缘层2的长度小于有源层3的长度时，在保证源极5和漏极6与有源层3有效连接的情况下，可以尽可能减小有源层3相对于栅极绝缘层2向外凸出部分的长度，以增加沟道宽长比，从而提高薄膜晶体的电学性能。
[0070]进一步地，参见图2，也可参见图3，本实施例的薄膜晶体管还包括:钝化层7。钝化层7覆盖衬底基板1、源极5、漏极6以及栅极4。
[0071]本实施例的薄膜晶体管中，衬底基板1、栅极绝缘层2、有源层3、栅极4、源极5、漏极6以及钝化层7的材料没有特殊限定，本领域常用的材料均可。例如，衬底基板I的材料包括但不限于玻璃、透明塑料等;栅极绝缘层2的材料包括但不限于硅的氧化物(S1x);有源层3的材料包括但不限于非晶硅、多晶硅、金属氧化物半导体、有机半导体化合物等;栅极4、源极5以及漏极6的材料包括但不限于铝、铝合金等;钝化层7的材料包括但不限于硅的氧化物(S1x)、硅的氮化物(SiNx)等。
[0072]实施例二
[0073 ]本实施例提供一种薄膜晶体管的利记博彩app，参见图4，该利记博彩app包括:
[0074]步骤201，在衬底基板I上形成有源层3的图形以及栅极绝缘层2的图形;栅极绝缘层2位于有源层3上并且栅极绝缘层2的长度小于或者等于有源层3的长度。
[0075]步骤202，在栅极绝缘层2上形成栅极4，在衬底基板I上形成分别与有源层3的相对的两侧连接的源极5和漏极6。
[0076]其中，栅极绝缘层2的长度为栅极绝缘层2沿平行于源极5和漏极6连线方向的尺寸(即图2和图3中沿00’方向的尺寸)，有源层3的长度为有源层3沿平行于源极和漏极连线方向的尺寸(即图2和图3中沿00’方向的尺寸)。
[0077]采用本实施例的利记博彩app制作得到的薄膜晶体管中，源极5和漏极6设置在衬底基板I上，由于栅极绝缘层2的长度小于或者等于有源层3的长度，使得源极5和漏极6分别与有源层3的相对的两侧直接接触连接，从而不需要设置过孔即实现了源极5和漏极6与有源层3的连接，解决了由于设置过孔而导致的薄膜晶体管沟道宽长比较小的问题，有效提高了薄膜晶体管的电学性能。同时，本实施例提供的利记博彩app工艺流程简单，便于控制，从而提高薄膜晶体管的制作效率、降低制作成本。
[0078]实施例三
[0079]本实施例提供一种薄膜晶体管的利记博彩app，该利记博彩app用于制作如图2所示的薄膜晶体管。
[0080]由于图2所示的薄膜晶体管中栅极绝缘层2的长度小于有源层3的长度，即栅极绝缘层2沿00’方向的尺寸小于有源层3沿00’方向的尺寸，并且有源层3相对的两个侧表面相对于栅极绝缘层2相对的两个侧表面向外凸出呈台阶状，因此该薄膜晶体管中包括以下三个区域:同时存在有源层3和栅极绝缘层2的区域，仅存在有源层3的区域以及有源层3以外、即既无有源层3也无栅极绝缘层2的区域。
[0081]针对该薄膜晶体管的结构，本实施例提供一种工艺流程简单、光刻次数较少、便于控制的利记博彩app，参见图5，并结合图6-1?图6-10，该利记博彩app具体包括以下步骤:
[0082]步骤301，在衬底基板I上形成有源层3，在有源层3上形成栅极绝缘层2。
[0083]如图6-1所示，在该步骤中，有源层3覆盖衬底基板1，栅极绝缘层2覆盖有源层3。本领域技术人员可以理解的是，在衬底基板I上形成有源层3的方法包括但不限于沉积、涂敷、溅射等，在有源层3上形成栅极绝缘层2的方法同样包括但不限于沉积、涂敷、溅射等，本领域技术人员可以根据有源层3和栅极绝缘层2的具体材料来选择合适的方法。
[0084]步骤302，在栅极绝缘层2上涂覆光刻胶8，利用半色调掩膜版或者灰色调掩膜版对光刻胶8进行曝光以及显影，形成光刻胶完全保留区A、光刻胶部分保留区C以及光刻胶完全去除区B;其中，光刻胶完全保留区A对应存在有源层3和栅极绝缘层2的区域，光刻胶部分保留区C对应仅存在有源层3的区域，光刻胶完全去除区B对应有源层3以外的区域。
[0085]如图6-2和图6-3所示，在栅极绝缘层2上涂覆光刻胶8后，利用半色调掩膜版或者灰色调掩膜版对光刻胶8进行曝光，位于光刻胶完全保留区A的光刻胶8由于未受到光照因此没有分解，在显影后完全保留；位于光刻胶部分保留区C的光刻胶8由于受到的光照强度较弱，发生了部分分解，发生分解的部分在显影后被去除，而未发生分解的部分被保留；位于光刻胶完全去除区B的光刻胶8由于受到的光照强度较强而全部分解，在显影后被完全去除。
[0086]步骤303，去除位于光刻胶完全去除区B的栅极绝缘层2和有源层3。
[0087]如图6-4和图6-5所示，在对光刻胶8进行曝光和显影之后，依次去除位于光刻胶完全去除区B的栅极绝缘层2和有源层3，从而形成栅极绝缘层2和有源层3的图形。本领域技术人员可以根据栅极绝缘层2和有源层3的材料来选择合适的方法去除栅极绝缘层2和有源层3，例如可以采用干法刻蚀工艺去除栅极绝缘层2，采用湿法刻蚀工艺去除有源层3。
[0088]步骤304，去除光刻胶部分保留区C的光刻胶8。
[0089]去除光刻胶部分保留区C的光刻胶8的具体实现方式为:采用预设强度的紫外光照射光刻胶部分保留区C的光刻胶8以及光刻胶完全保留区A的光刻胶8，使光刻胶部分保留区C的光刻胶8全部分解，使光刻胶完全保留区A的光刻胶8部分分解。利用显影溶液进一步显影后，去除光刻胶部分保留区C的光刻胶8，同时保留光刻胶完全保留区A的部分光刻胶8(如图6-6所示)。该步骤中所用紫外光的强度没有严格限定，但是要保证经该强度的紫外光照射并显影后光刻胶完全保留区A剩余的光刻胶8能够对栅极绝缘层2起到保护作用，有利于对后续对栅极绝缘层2的进一步处理。
[0090]步骤305，去除位于光刻胶部分保留区C的栅极绝缘层2。
[0091]如图6-7所示，在将光刻胶部分保留区C的光刻胶8去除之后，将位于光刻胶部分保留区C的栅极绝缘层2去除，从而形成栅极绝缘层2的图案。可以采用干法刻蚀工艺去除栅极绝缘层2。
[0092]步骤306，去除光刻胶完全保留区A的光刻胶8。
[0093 ]如图6-8所示，可以利用剥离的方法将光刻胶完全保留区A剩余的光刻胶8去除。
[0094]需要说明的是，本领域技术人员可以采用其他方法替代上述步骤301?306来形成有源层3和栅极绝缘层2的图形，例如，还可以先在衬底基板I上通过沉积、涂敷或者溅射等方法形成有源层3，然后利用构图工艺形成有源层3的图形，再在衬底基板I上通过沉积、涂敷或者溅射等方法形成覆盖有源层3的栅极绝缘层2，再利用构图工艺形成栅极绝缘层2的图形。但是上述方法与本实施例的步骤301?306的方法相比，所需的光刻次数较多，工艺流程较为繁琐。
[0095]步骤307，在衬底基板I上形成源极/漏极/栅极层9，源极/漏极/栅极层9覆盖衬底基板1、栅极绝缘层2以及有源层3。
[0096]如图6-9所示，在有源层3的图形和栅极绝缘层2的图形形成之后，在衬底基板I上形成覆盖衬底基板1、栅极绝缘层2以及有源层3的源极/漏极/栅极层9。可以采用沉积、涂敷或者溅射等方法形成源极/漏极/栅极层9。
[0097]步骤308，通过一次构图工艺形成源极5、漏极6以及栅极4。
[0098]如图6-10所示，在形成源极/漏极/栅极层9之后，通过一次构图工艺在栅极绝缘层2上形成栅极4、在衬底基板I上形成分别与有源层3的相对的两侧连接的源极5和漏极6。上述一次构图工艺采用本领域常规技术手段即可，具体包括光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤。
[0099]步骤309，在衬底基板I上形成覆盖衬底基板1、源极5、漏极6以及栅极4的钝化层7。
[0100]在形成源极5、漏极6以及栅极4之后，通过沉积、涂敷或者溅射等方法形成覆盖衬底基板1、源极5、漏极6以及栅极4的钝化层7，从而得到图2所示的薄膜晶体管。
[0101]综上，采用本实施例提供的利记博彩app得到的薄膜晶体管中源极5和漏极6直接与有源层3连接，克服了由于设置过孔而导致的薄膜晶体管沟道宽长比较小的问题，使该薄膜晶体管具有良好的电学性能。同时，本实施例提供的利记博彩app中，利用半色调掩膜工艺，通过一次构图工艺形成有源层3的图形和栅极绝缘层2的图形，简化了薄膜晶体管的制作工艺，提高制作效率、降低成本。
[0102]实施例四
[0103]本实施例提供一种薄膜晶体管的利记博彩app，该利记博彩app用于制作如图3所示的薄膜晶体管。
[0104]由于图3所示的薄膜晶体管中栅极绝缘层2的长度等于有源层3的长度，即栅极绝缘层2沿00’方向的尺寸等于有源层3沿00’方向的尺寸，因此该薄膜晶体管中包括以下两个区域:同时存在有源层3和栅极绝缘层2的区域，以及既无有源层3也无栅极绝缘层2的区域。
[0105]针对该薄膜晶体管的结构，本实施例提供一种工艺流程简单、光刻次数较少、便于控制的利记博彩app，参见图7，并结合图8-1?图8-7，该利记博彩app包括以下步骤:
[0106]步骤401，在衬底基板I上形成有源层3，在有源层3上形成栅极绝缘层2。
[0107]如图8-1所示，该步骤的具体实现方式同实施例三的步骤301，在此不再赘述。
[0108]步骤402，通过一次构图工艺同时形成栅极绝缘层2的图形和有源层3的图形。
[0109]具体地，首先，如图8-2和图8-3所示，在栅极绝缘层2上涂覆光刻胶8，利用掩膜版进行曝光以及显影后，形成光刻胶完全保留区A、以及光刻胶完全去除区B;其中，光刻胶完全保留区A对应存在有源层3和栅极绝缘层2的区域，光刻胶完全去除区B对应既无有源层3也无栅极绝缘层2的区域。
[0110]之后，如图8-4所示，依次去除位于光刻胶完全去除区B的栅极绝缘层2和有源层3，从而形成有源层3的图形和栅极绝缘层2的图形。本领域技术人员可以根据有源层3和栅极绝缘层2的材料来选择合适的方法去除有源层3和栅极绝缘层2，例如可以采用干法刻蚀工艺去除栅极绝缘层2，采用湿法刻蚀工艺去除有源层3。
[0111]之后，如图8-5所示，去除位于光刻胶完全保留区A的光刻胶。可以利用剥离的方法去除光刻胶完全保留区A的光刻胶8。
[0112]需要说明的是，本领域技术人员可以采用其他方法替代上述步骤401?402来形成有源层3和栅极绝缘层2的图形，例如，还可以先在衬底基板I上通过沉积、涂敷或者溅射等方法形成有源层3，然后利用构图工艺形成有源层3的图形，再在衬底基板I上通过沉积、涂敷或者溅射等方法形成覆盖有源层3的栅极绝缘层2，再利用构图工艺形成栅极绝缘层2的图形。但是上述方法与本实施例的步骤401?402的方法相比，所需的光刻次数较多，工艺流程较为繁琐。
[0113]步骤403，在衬底基板I上形成源极/漏极/栅极层9，源极/漏极/栅极层9覆盖衬底基板1、栅极绝缘层2以及有源层3。
[0114]如图8-6所示，该步骤的具体实现方式同实施例三的步骤307，在此不再赘述。
[0115]步骤404，通过一次构图工艺形成源极5、漏极6以及栅极4。
[0116]如图8-7所示，该步骤的具体实现方式同实施例三的步骤308，在此不再赘述。
[0117]步骤405，在衬底基板I上形成覆盖衬底基板1、源极5、漏极6以及栅极4的钝化层7。
[0118]该步骤的具体实现方式同实施例三的步骤309，在此不再赘述。完成该步骤后即得到图3所示的薄膜晶体管。
[0119]综上，采用本实施例提供的利记博彩app得到的薄膜晶体管中源极5和漏极6直接与有源层3连接，克服了由于设置过孔而导致的薄膜晶体管沟道宽长比较小的问题，使该薄膜晶体管具有良好的电学性能。同时，本实施例提供的利记博彩app中，通过一次构图工艺形成有源层3的图形和栅极绝缘层2的图形，简化了薄膜晶体管的制作工艺，提高制作效率、降低成本。
[0120]实施例五
[0121]本实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括上述任一实施例提供的薄膜晶体管。
[0122]由于上述实施例提供的薄膜晶体管中源极和漏极直接与有源层连接，克服了由于设置过孔而导致的薄膜晶体管沟道宽长比较小的问题，使得该薄膜晶体管具有良好的电学性能，因此，利用该薄膜晶体管的阵列基板同样具有良好的电学性能。
[0123]实施例六
[0124]本实施例提供一种显示装置，该显示装置包括实施例五提供的阵列基板。
[0125]由于实施例五提供的阵列基板所采用的薄膜晶体管具有较大的沟道宽长比以及良好的电学性能，因此，利用该阵列基板的显示装置同样具有良好的电学性能。
[0126]在具体实施时，本实施例提供的显示装置可以为液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0127]上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
[0128]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括:衬底基板、有源层、栅极绝缘层、栅极、源极以及漏极;所述有源层设置在所述衬底基板上;所述栅极绝缘层设置在所述有源层上，并且所述栅极绝缘层的长度小于或者等于所述有源层的长度;所述栅极设置在所述栅极绝缘层上，所述源极和漏极设置在所述衬底基板上并且分别与所述有源层的相对的两侧连接； 所述栅极绝缘层的长度为栅极绝缘层沿平行于源极和漏极连线方向的尺寸，所述有源层的长度为有源层沿平行于源极和漏极连线方向的尺寸。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括:钝化层;所述钝化层覆盖所述衬底基板、源极、漏极以及栅极。3.一种薄膜晶体管的利记博彩app，其特征在于，所述利记博彩app包括: 在衬底基板上形成有源层的图形以及栅极绝缘层的图形;所述栅极绝缘层位于所述有源层上并且所述栅极绝缘层的长度小于或者等于所述有源层的长度;在所述栅极绝缘层上形成栅极，在所述衬底基板上形成分别与所述有源层的相对的两侧连接的源极和漏极； 所述栅极绝缘层的长度为栅极绝缘层沿平行于源极和漏极连线方向的尺寸，所述有源层的长度为有源层沿平行于源极和漏极连线方向的尺寸。4.根据权利要求3所述的利记博彩app，其特征在于，当所述栅极绝缘层的长度小于所述有源层的长度时，所述在衬底基板上形成有源层的图形以及栅极绝缘层的图形具体包括: 在所述衬底基板上形成有源层，在所述有源层上形成所述栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层上涂覆光刻胶，利用半色调掩膜版或者灰色调掩膜版对所述光刻胶进行曝光以及显影，形成光刻胶完全保留区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全去除区；其中，所述光刻胶完全保留区对应存在所述有源层和所述栅极绝缘层的区域，所述光刻胶部分保留区对应仅存在所述有源层的区域，所述光刻胶完全去除区对应所述有源层以外的区域； 去除位于所述光刻胶完全去除区的所述有源层和所述栅极绝缘层； 去除所述光刻胶部分保留区的光刻胶； 去除位于所述光刻胶部分保留区的所述栅极绝缘层； 去除所述光刻胶完全保留区的光刻胶。5.根据权利要求4所述的利记博彩app，其特征在于，所述去除所述光刻胶部分保留区的光刻胶，具体包括: 采用预设强度的紫外光照射所述光刻胶部分保留区的光刻胶以及所述光刻胶完全保留区的光刻胶，使所述光刻胶部分保留区的光刻胶全部分解，使所述光刻胶完全保留区的光刻胶部分分解，从而去除所述光刻胶部分保留区的光刻胶，同时保留所述光刻胶完全保留区的部分光刻胶。6.根据权利要求3所述的利记博彩app，其特征在于，当所述栅极绝缘层的长度与所述有源层的长度相等时，所述在衬底基板上形成有源层的图形以及栅极绝缘层的图形具体包括: 在所述衬底基板上形成有源层，在所述有源层上形成所述栅极绝缘层； 通过一次构图工艺同时形成所述栅极绝缘层的图形和所述有源层的图形。7.根据权利要求3所述的利记博彩app，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上形成栅极，在所述衬底基板上形成分别与所述有源层的相对的两侧连接的源极和漏极，具体包括: 在所述衬底基板上形成源极/漏极/栅极层，所述源极/漏极/栅极层覆盖所述衬底基板、所述栅极绝缘层以及所述有源层； 通过一次构图工艺形成所述源极、所述漏极以及所述栅极。8.根据权利要求3?7任一项所述的利记博彩app，其特征在于，所述利记博彩app还包括: 在所述衬底基板上形成覆盖所述衬底基板、源极、漏极以及栅极的钝化层。9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1或者权利要求2所述的薄膜晶体管。10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求9所述的阵列基板。
【文档编号】H01L29/786GK105870169SQ201610244601
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年4月18日
【发明人】苏同上, 王东方, 刘广辉, 许凯, 杜生平, 袁广才
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 合肥鑫晟光电科技有限公司