阵列基板及其利记博彩app、显示装置的制造方法
【专利摘要】本发明涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板及其利记博彩app、显示装置。该阵列基板包括多条栅线和多条数据线，多条数据线和多条栅线交叉界定多个像素单元，还包括多条与栅线同层设置的公共电极线，每个像素单元包括：第一金属线，与公共电极线位于同一层，且连接于公共电极线，沿数据线方向设置在像素单元的非边缘区域；第二金属线，与像素单元中的源极和漏极位于同一层，对应设置在第一金属线远离基底的一侧。该阵列基板通过第一金属线和第二金属的设置，不仅有效地提高了像素单元的开口率，还使得存储电容增大。
【专利说明】
阵列基板及其利记博彩app、显示装置
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其利记博彩app、显示装置。
【背景技术】
[0002]现有技术中为了增加像素单元中的存储电容，通过与公共电极线相连的ShieldBar与像素电极层形成存储电容，如图1所示，Shield Bar202—般沿着数据线方向设置在像素单元两侧，为了遮挡Shield Bar202，与数据线对应的黑矩阵需要设置的较宽，这会导致对像素单元有效发光区域的遮挡，进而导致像素单元的开口率降低。
[0003]进一步如图2所示，由于基底201上的Shield Bar202与公共电极线和栅线同层设置，使得Shield Bar与像素电极层205(图1中粗实线区域)之间仅相隔栅绝缘层203和钝化层204两层结构，导致Shield Bar202与像素电极层205形成的存储电容较小。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题是:如何提高阵列基板的存储电容和开口率。
[0005]为实现上述的发明目的，本发明提供了一种阵列基板及其利记博彩app、显示装置。
[0006]依据本发明的第一方面，提供了一种阵列基板，包括多条栅线和多条数据线，所述多条数据线和多条栅线交叉界定多个像素单元，还包括多条与所述栅线同层设置的公共电极线，每个所述像素单元包括:
[0007]第一金属线，与所述公共电极线位于同一层，且连接于所述公共电极线，沿所述数据线方向设置在所述像素单元的非边缘区域；
[0008]第二金属线，与所述像素单元中的源极和漏极位于同一层，对应设置在所述第一金属线远离基底的一侧。
[0009]可选地，每个所述像素单元还包括:
[0010]第三金属线，与所述第二金属线位于同一层，对应设置在所述公共电极线远离基底的一侧。
[0011]可选地，所述第二金属线与所述漏极相连，和/或所述第二金属线与所述第三金属线相连。
[0012]可选地，所述第二金属线宽度小于或等于所述第一金属线的宽度，和/或所述第三金属线的宽度小于或等于所述公共电极线的宽度。
[0013]可选地，每个所述像素单元还包括:
[0014]栅绝缘层，设置在所述第一金属线之上；
[0015]钝化层，设置在所述第二金属线之上；
[0016]像素电极层，设置在所述钝化层之上。
[0017]依据本发明的第二方面，提供了一种显示装置，包括上述所述的阵列基板。
[0018]依据本发明的第三方面，提供了一种阵列基板的利记博彩app，包括:
[0019]在基板上形成多条栅线和多条数据线，所述多条数据线和多条栅线交叉界定多个像素单元，
[0020]在形成所述栅线时，形成公共电极线以及与所述公共电极线电连接的第一金属线，其中，所述第一金属线沿所述数据线方向设置在所述像素单元的非边缘区域；
[0021]在形成所述数据线时形成第二金属线，其中，所述第二金属线对应形成在所述第一金属线远离基底的一侧。
[0022]可选地，在形成所述栅线时，在所述公共电极线远离基底的一侧对应形成第三金属线。
[0023]可选地，所述第二金属线与所述漏极相连，和/或所述第二金属线与所述第三金属线相连。
[0024]可选地，所述第二金属线宽度小于或等于所述第一金属线的宽度，和/或所述第三金属线的宽度小于或等于所述公共电极线的宽度。
[0025]可选地，所述方法还包括:
[0026]在形成所述第一金属线之后，在所述第一金属线之上形成栅绝缘层；
[0027]在形成所述第二金属线之后，在所述第二金属线之上形成钝化层；
[0028]在所述钝化层之上形成像素单元的像素电极层。
[0029]本发明提供的阵列基板，由于第一金属线和第二金属线沿数据线方向设置在像素单元的非边缘区域，也即对应于有效发光区域，而为了保证像素单元正常出光，在彩膜基板中与像素单元中部对应的位置并不设置黑矩阵。虽然本实施例中的第一金属线和第二金属线也会对像素单元的出光造成影响，但是影响远低于黑矩阵对于出光的影响，因此相对于现有技术中的结构可以提高像素单元的开口率。
[0030]并且本发明提供的阵列基板通过在第一金属线远离基底的一侧，也即靠近像素电极层的一侧设置第二金属线，也即相当于在第一金属线和像素电极层形成的存储电容之间插入了导电介质，根据电容公式C=eS/43ikd，根据本实施例使得ε增大，从而使得存储电容增大。
【附图说明】
[0031]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:
[0032]图1是现有技术的阵列基板的俯视图；
[0033]图2是图1中Α-Α’方向的截面示意图；
[0034]图3是本发明实施例提供的阵列基板的俯视图；
[0035]图4是图3中Β-Β’方向的截面示意图；
[0036]图5是本发明另一实施例提供的阵列基板的俯视图；
[0037]图6是本发明又一实施例提供的阵列基板的俯视图；
[0038]图7是本发明实施例提供的阵列基板的利记博彩app的流程图。
【具体实施方式】
[0039]为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0040]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
[0041]图3是本发明实施例提供的阵列基板的俯视图；图4是图3中B-B’方向的截面示意图。如图3和图4所示，本发明实施例提供的阵列基板，包括多条栅线和多条数据线，多条数据线和多条栅线交叉界定多个像素单元，还包括多条与栅线310同层设置的公共电极线311，每个像素单元包括:
[0042]第一金属线302，与公共电极线位于同一层，且连接于公共电极线311，沿数据线312方向设置在像素单元的非边缘区域；
[0043]第二金属线306，与像素单元中的源极和漏极位于同一层，对应设置在第一金属线302远离基底301的一侧。
[0044]在本实施例中，在像素单元的非边缘区域沿数据线312方向的基底301上设置有第一金属线302，该第一金属线与公共电极线311位于同一层，且连接于公共电极线311。在一个优选的实施例中，可将第一金属线302沿数据线312方向设置在像素单元的中间区域。
[0045]需要说明的是，本实施例中的第一金属线302可采用与栅线310相同的材料，并与栅线310通过一次构图工艺形成，类似地，第二金属线306可以与源极、漏极、数据线312通过一次构图工艺形成。
[0046]本发明实施例提供的阵列基板，由于第一金属线302和第二金属线306沿数据线312方向设置在像素单元的非边缘区域，也即对应于有效发光区域，而为了保证像素单元正常出光，在彩膜基板中与像素单元中部对应的位置并不设置黑矩阵。虽然本实施例中的第一金属线302和第二金属线306也会对像素单元的出光造成影响，但是影响远低于黑矩阵对于出光的影响，因此相对于现有技术中的结构，在保证像素单元存储电容的同时可以提高像素单元的开口率。并且本实施例提供的阵列基板通过在第一金属线302远离基底301的一侧设置第二金属线306，相当于在第一金属线302和像素电极层305形成的存储电容之间插入了导电介质即第二金属线306，根据电容公式C=eS/43ikd，本实施例使得ε增大，从而使得存储电容增大。
[0047]在本发明的一个可选实施例中，如图5所示，每个像素单元还包括:
[0048]第三金属线307，与第二金属线306位于同一层，对应设置在公共电极线311远离基底的一侧。
[0049]根据本实施例，通过在公共电极线311远离基底301的一侧设置第三金属线307，相当于在公共电极线311和像素电极层305形成的存储电容之间插入了导电介质，根据电容公式C=eS/4Jikd，本实施例使得ε增大，从而使得存储电容增大。
[0050]在本发明的一个可选实施例中，第二金属线306与像素单元中的漏极相连，和/或第二金属线306与第三金属线307相连。参见图6，在一个具体实施例中，第二金属线306与漏极相连，且第二金属线306与第三金属线307相连。本发明实施例通过在第二金属线306与漏极相连，和/或第二金属线306与第三金属线307相连的情况下，用于形成第二金属线、漏极和第三金属线的图形较为简单，易于设置。
[0051]在本发明的一个可选实施例中，第二金属线306的宽度小于或等于第一金属线302的宽度，和/或第三金属线307的宽度小于或等于公共电极线的宽度。
[0052]根据本实施例，在保证存储电容较大的情况下，尽量降低第二金属线和第三金属线对像素单元开口率的影响。
[0053]进一步地，如图4所示，每个像素单元还包括栅绝缘层303、钝化层304以及像素电极层305，其中，栅绝缘层303，设置在第一金属线302之上;钝化层304，设置在第二金属线306之上;像素电极层305，设置在钝化层304之上。
[0054]需要说明的是，本发明实施方式提供的像素电极层的材料可以为ITO(氧化铟锡)，也可以为其他透明导电材料，本发明对此不做具体限定。
[0055]综上，本发明实施例提供的阵列基板，由于第一金属线和第二金属线沿数据线方向设置在像素单元的非边缘区域，也即对应于有效发光区域，而为了保证像素单元正常出光，在彩膜基板中与像素单元中部对应的位置并不设置黑矩阵。虽然本实施例中的第一金属线和第二金属线也会对像素单元的出光造成影响，但是影响远低于黑矩阵对于出光的影响，因此相对于现有技术中的结构可以提高像素单元的开口率。
[0056]并且本发明提供的阵列基板通过在第一金属线远离基底的一侧设置第二金属线，相当于在第一金属线和像素电极层形成的存储电容之间插入了导电介质，根据电容公式C= eS/4Jikd，本实施例使得ε增大，从而使得存储电容增大。
[0057]此外，本发明实施方式还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的阵列基板。其中，该显示装置可以为FFS模式的显示装置，其中，本发明实施方式提供的显示装置可以是笔记本电脑显示屏、液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
[0058]图7是本发明实施例提供的阵列基板的利记博彩app的流程图。参照图7，本发明实施例提供的阵列基板的利记博彩app，包括:在基板上形成多条栅线和多条数据线，多条数据线和多条栅线交叉界定多个像素单元，其中还包括:
[0059]S11、在形成栅线时，形成公共电极线以及与公共电极线电连接的第一金属线，其中，第一金属线沿数据线方向设置在像素单元的非边缘区域；
[0060]S12、在形成数据线时形成第二金属线，其中，第二金属线对应形成在第一金属线远离基底的一侧。
[0061]本发明实施例提供的阵列基板的利记博彩app，通过沿数据线方向在像素单元的非边缘区域(也即对应于有效发光区域)形成第一金属线和第二金属线，由于在彩膜基板中与像素单元非边缘区域对应的位置并不设置黑矩阵，从而保证制作出的阵列基板的像素单元正常出光。虽然本实施例中的第一金属线和第二金属线也会对像素单元的出光造成影响，但是影响远低于黑矩阵对于出光的影响，因此相对于现有技术中的结构可以提高像素单元的开口率。并且本发明提供的阵列基板通过在第一金属线远离基底的一侧，也即靠近像素电极层的一侧设置第二金属线，也即相当于在第一金属线和像素电极层形成的存储电容之间插入了导电介质，根据电容公式C=eS/43ikd，根据本实施例使得ε增大，从而使得存储电容增大。
[0062]在本发明的一个可选实施例中，该阵列基板的利记博彩app还包括:在形成栅线时，在公共电极线远离基底的一侧对应形成第三金属线。根据本实施例，通过在公共电极线远离基底的一侧，也即靠近像素电极层的一侧形成第三金属线，也即相当于在公共电极线和像素电极层形成的存储电容之间插入了导电介质，根据电容公式C=eS/43ikd，根据本实施例使得ε增大，从而使得存储电容增大。
[0063]优选地，第二金属线与漏极相连，和/或第二金属线与第三金属线相连。根据本实施例，在第二金属线与漏极相连，和/或第二金属线与第三金属线相连的情况下，用于形成第二金属线、漏极和第三金属线的图形较为简单，易于设置。
[0064]优选地，第二金属线宽度小于或等于第一金属线的宽度，和/或第三金属线的宽度小于或等于公共电极线的宽度。根据本实施例，在保证存储电容较大的情况下，尽量降低第二金属线和第三金属线对像素单元开口率的影响。
[0065]在本发明的一个可选实施例中，该阵列基板的利记博彩app还包括:在形成第一金属线之后，在第一金属线之上形成栅绝缘层;在形成第二金属线之后，在第二金属线之上形成钝化层;在钝化层之上形成像素单元的像素电极层。
[0066]本发明实施例提供的阵列基板及其利记博彩app、显示装置，由于第一金属线和第二金属线沿数据线方向设置在像素单元的非边缘区域，也即对应于有效发光区域，而为了保证像素单元正常出光，在彩膜基板中与像素单元中部对应的位置并不设置黑矩阵。虽然本实施例中的第一金属线和第二金属线也会对像素单元的出光造成影响，但是影响远低于黑矩阵对于出光的影响，因此相对于现有技术中的结构可以提高像素单元的开口率。
[0067]并且本发明提供的阵列基板通过在第一金属线远离基底的一侧，也即靠近像素电极层的一侧设置第二金属线，也即相当于在第一金属线和像素电极层形成的存储电容之间插入了导电介质，根据电容公式C=eS/43ikd，根据本实施例使得ε增大，从而使得存储电容增大。
[0068]在本发明中，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
[0069]以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种阵列基板，包括多条栅线和多条数据线，所述多条数据线和多条栅线交叉界定多个像素单元，还包括多条与所述栅线同层设置的公共电极线，其特征在于，每个所述像素单元包括: 第一金属线，与所述公共电极线位于同一层，且连接于所述公共电极线，沿所述数据线方向设置在所述像素单元的非边缘区域； 第二金属线，与所述像素单元中的源极和漏极位于同一层，对应设置在所述第一金属线远离基底的一侧。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素单元还包括: 第三金属线，与所述第二金属线位于同一层，对应设置在所述公共电极线远离基底的一侧。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属线与所述漏极相连，和/或所述第二金属线与所述第三金属线相连。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属线宽度小于或等于所述第一金属线的宽度，和/或所述第三金属线的宽度小于或等于所述公共电极线的宽度。5.根据权利要求1至4中任一项所述的阵列基板，其特征在于，每个所述像素单元还包括: 栅绝缘层，设置在所述第一金属线之上； 钝化层，设置在所述第二金属线之上； 像素电极层，设置在所述钝化层之上。6.—种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5任一所述的阵列基板。7.一种阵列基板的利记博彩app，其特征在于，包括: 在基板上形成多条栅线和多条数据线，所述多条数据线和多条栅线交叉界定多个像素单元， 在形成所述栅线时，形成公共电极线以及与所述公共电极线电连接的第一金属线，其中，所述第一金属线沿所述数据线方向设置在所述像素单元的非边缘区域； 在形成所述数据线时形成第二金属线，其中，所述第二金属线对应形成在所述第一金属线远离基底的一侧。8.根据权利要求7所述的利记博彩app，其特征在于，在形成所述栅线时，在所述公共电极线远离基底的一侧对应形成第三金属线。9.根据权利要求8所述的利记博彩app，其特征在于，所述第二金属线与所述漏极相连，和/或所述第二金属线与所述第三金属线相连。10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属线宽度小于或等于所述第一金属线的宽度，和/或所述第三金属线的宽度小于或等于所述公共电极线的宽度。11.根据权利要求7-10任一所述的利记博彩app，其特征在于，所述方法还包括: 在形成所述第一金属线之后，在所述第一金属线之上形成栅绝缘层； 在形成所述第二金属线之后，在所述第二金属线之上形成钝化层； 在所述钝化层之上形成像素单元的像素电极层。
【文档编号】H01L21/84GK105870130SQ201610232694
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年4月14日
【发明人】王骁
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司