生成具有粘结剂的层和形成材料配合连接的方法以及装置的制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种用于在接合件(1)上生成具有粘结剂(3)的层(31)的方法。为此提供载体(30)，在其上涂有粘结剂(3)。该粘结剂(3)包含以大量金属颗粒的形式构成的金属。接合件(1)被放置到位于载体(30)上的粘结剂(3)上并且按压位于载体上的粘结剂(3)，从而由粘结剂(3)形成的层(31)粘附在接合件(1)上。该接合件(1)与粘附在其上的层(31)一起从载体(30)取下。通过气流(50)除去层(31)的边缘(32)，在边缘处，层(31)从接合件(1)的侧面突出，从而留下粘附在接合件(1)上的层(31)的层剩余。
【专利说明】
生成具有粘结剂的层和形成材料配合连接的方法以及装置
技术领域
[0001]本发明涉及一种用于在接合件上生成具有粘结剂的层的方法，用于在接合件和金属层之间形成材料配合的连接的方法，以及用于执行这些方法的装置。
【背景技术】
[0002]由于上升的功率密度、复杂的构造方式和新的应用领域可以预见的是，半导体芯片的使用温度将进一步上升。如果半导体芯片在粘结剂的帮助下被安装在电路载体上，那么鉴于温度负荷能力该粘结剂也必须符合更高的要求。相应地不仅适用于半导体芯片，而且也适用于耐高温地连接任意其他的接合件与金属层。
[0003]在更早的时候通常用作粘结剂的焊接化合物更多地被含有烧结的金属粉末的粘结剂代替。在高的使用温度时这种烧结化合物具有比焊接化合物更高的机械稳定性。但是在形成这种烧结化合物时通常遇到以下问题，即该加工环境被金属粉末污染。
【发明内容】
[0004]因此本发明的任务在于，提供一种用于在接合件上生成具有粘结剂的层的方法，一种用于在接合件和金属层之间形成温度稳定的材料配合的连接的方法，以及一种用于执行这些方法的装置。
[0005]这些任务通过根据专利权利要求1所述的在接合件上生成具有粘结剂的层的方法，通过专利权利要求10所述的在接合件和金属层之间形成材料配合的连接的方法或者是根据专利权利要求19所述的装置实现。本发明的方案和改进是从属权利要求的目标。
[0006]根据第一方面，为了在接合件上生成具有粘结剂的层，提供载体，在其上涂有粘结剂，该粘结剂包含以大量金属颗粒的形式构成的金属。该接合件被放置到位于载体上的粘接剂上并且朝向其挤压，从而在接合件上粘附由粘结剂形成的层。该接合件与粘附在其上的层一起从载体取下。从接合件的侧面突出的该层的边缘通过气流除去，从而留下粘接在接合件上的层的层剩余。
[0007]根据第二方面，为了在半导体芯片和金属层之间形成材料配合的连接，提供接合件，以及具有安装段的金属层。在接合件上根据对应于第一方面的方法在接合件上生成粘结剂。金属颗粒在烧结过程中烧结。在预定的烧结期内不间断地满足设定，使得在半导体芯片和金属层之间设置粘结剂并且不间断地从半导体芯片向金属层延伸，在压力范围内相对地挤压半导体芯片和金属层，该压力范围高于最小压力，并且该粘结剂保持在高于最低温度的温度范围内。
[0008]第三方面涉及一种装置，其构造用于，执行根据第一和/或第二方面的方法。
【附图说明】
[0009]下文根据关于所附附图的实施例阐述本发明。附图中:
[0010]图1A到IH示出了用于在半导体芯片和金属层之间形成材料配合的连接的方法的不同步骤；
[0011]图2示出了根据另一示例的除去从接合件的侧面突出的包含大量金属颗粒的层的边缘，该层粘附在接合件上；
[0012]图3示出了接合件的俯视图，其上粘附包含大量小的金属颗粒的层，其中该层从侧面围绕该接合件突出；
[0013]图4示出了接合件的俯视图，其上粘附包含大量小的金属颗粒的层，其中该层在单个区域从该接合件中突出；
[0014]图5示出了根据图3和4在通过气流除去从接合件的侧面伸出的层的部分之后接合件的俯视图；
[0015]图6示出的根据图5的装置的侧视图；
[0016]图7示出了一种方法，其中为了在半导体芯片和金属层之间形成材料配合的连接通过半导体芯片向粘结剂耦合声信号；
[0017]图8示出了一种方法，其中为了在半导体芯片和金属层之间形成材料配合的连接通过金属层向粘结剂耦合声信号；
[0018]图9示出了通过气流除去从接合件的侧面突出的包含大量小的金属颗粒的层的边缘，该层粘附在接合件上，该气流通过吸气管道吸气；
[0019]图10示出了通过气流除去从接合件的侧面突出的包含大量小的金属颗粒的层的边缘，该层粘附在接合件上，该气流通过排气管道产生；
[0020]图11示出了通过具有吸气管道的吸气设备除去从接合件的侧面突出的包含大量小的金属颗粒的层的边缘，该层粘附在接合件上，其中该层和至少部分接合件沉入吸气管道中；以及
[0021]图12示出了通过气流除去从接合件的侧面突出的包含大量小的金属颗粒的层的边缘，该层粘附在接合件上，该气流通过排气管道产生，其中该层和至少部分接合件沉入排气管道中。
【具体实施方式】
[0022]这些附图中的描绘不是按比例的。如果不另外说明，在这些附图中相同的附图标记表示相同的或者相同作用的元件。
[0023]图1A到IH示出了一种用于在金属层21和接合件I之间形成材料配合的连接的方法的不同步骤，该接合件I示范性地构造为半导体芯片。然而该方法对应地也能够通过其他接合件执行。
[0024]图1A示出了载体30，其上涂有粘结剂3。例如转印箔能够用作载体30，或者是刚性的载体。
[0025]所涂的粘结剂3能够具有层31，尤其是平的层的形状。该粘结剂3包含至少一种以大量的小金属颗粒的形式组成的金属。首先，贵金属、例如银、金、铂、钯、铑适合作为该金属，然而非贵金属例如铜也适合作为该金属。该金属，即大量这些小金属颗粒的整体，能够完全具有正好由所述金属中的一种组成的金属或者正好具有这些金属中的一种的金属，但是其也能够由包括所述金属中的两种或多种的金属粉末混合物组成或者具有这种金属粉末混合物。该粘结剂3能够以干燥的或者基本干燥的形式的粉末存在。但是同样该连粘结剂3也能够是膏，其包含具有这种金属粉末和溶剂的混合物。
[0026]优选地，银被用作该金属，因为由此产生的烧结的层具有突出的电导率和热导率，这首先在功率电子领域很重要，例如当半导体芯片应当通过烧结好的连接层接通和/或加热时。构成膏的干燥的组成部分或者膏的组成部分的颗粒的金属粉末能够例如构造为小颗粒，和/或构造为平的薄片(“片”)。可选地干燥的或膏状的粘结剂3还能够包括从金属碾磨成粉末的碾磨蜡。
[0027]如果施加在载体30上的粘结剂3是膏，那么其被极度干燥，从而干燥后剩下的粘结剂3的组成部分(尤其是金属颗粒)不具有或者仅仅还具有非常少的水分。因此如在图1A中由箭头勾画的和在图1B中以结果所示的，半导体芯片I被置于所涂的干燥的或者是被干燥的粘结剂3上，这例如在安置工具6的帮助下，但是基本上能够以任意方式实现。
[0028]放置后该半导体芯片I通过安置工具6或者以其他方式以压力Ps被压向处于载体30上的粘结剂3上，从而该粘结剂3粘附在半导体芯片I上。该压力Ps能够例如选为大于0.1MPa和/或者小于20MPa。
[0029]在放置在粘结剂3上之前或者之后半导体芯片I能够预热到高于室温的温度，例如到超过50°C，以实现稳固地将粘结剂3粘附在半导体芯片I上。其中该粘结剂3、半导体芯片I和金属层21的温度低于包含在粘结剂3中的金属粉末烧结的温度。
[0030]进一步如图1C所示，包含粘附在其上的粘结剂3的半导体芯片I能够再次从载体30上取下。在取下后由粘结剂3组成的层31处于半导体芯片I的底面上，该层31围绕半导体芯片I或者在单个的区域从侧面伸出。由粘结剂3构成的从侧面伸出的层31的段在图1C中以附图标记32表示。
[0031]因为该从半导体芯片I的侧面伸出的段32在后续工艺步骤中容易脱离且该工艺环境可能不能控制地受到污染，所以该从侧面伸出的段32以及其他仅以少量粘附方式粘附在半导体芯片I上的粘结剂3的组成部分，如图1D中示意性地示出的，通过气流50控制从半导体芯片I上移去。该气流50，例如空气流，能够由吸气设备5或者其他合适的设备产生。该吸气设备5例如能够具有包含面向半导体芯片I和安置工具6的开口 52的管道51，通过该开口 52空气(或其他气体)被从半导体芯片I的周围吸出。因此该管道51，关于直接包围该半导体芯片I的空气(或者其他气体)，构成吸气管道。
[0032]该具有粘附在其上的粘结剂3的半导体芯片I此时能够，例如通过安置工具6或者以其他方式，被如此放置在金属层21的芯片安装段21c上，即粘结剂3处于半导体芯片I和芯片安装段I之间并且不断地从半导体芯片I向芯片安装段21c延伸且因此延伸到金属层21，这在图1E中由箭头示出且最终在图1F中示出。
[0033]该金属层21基本上能够是任何金属层。其能够作为单个部件，例如引线框架(“引线框架”)存在，或者也能够作为电路载体2的组成部分存在。在所示示例中该金属层21为电路载体2的组成部分，该电路载体2具有至少一个不导电的绝缘载体20、例如陶瓷，以及可选的下金属层22。这样的电路载体2也在图7和8中示例性地示出。
[0034]该金属层21能够(在放置半导体芯片I之前)全部为平的，但也能够是弯曲的。可选地，至少芯片安装段21c (在放置半导体芯片I之前)能够是是平的。该平的安装面使得芯片安装更为简单且降低芯片破裂的危险。
[0035]根据图1E(根据安置工具6下面示意的火焰)中所示的选择该金属层21能够在放置半导体芯片I之前预热，例如预热到至少100°c的温度，从而在将包括粘结在其上的粘结剂3的半导体芯片I放置在金属层21之后该烧结工艺几乎毫不延迟地开始了，由此工艺时间显然被减少了。可选地是，在预热时将该金属层21加热到低于400°C的温度，以使得在放置之后半导体芯片I的热负荷保持为低的。
[0036]例如通过没有详细示出的热源能够实现对该金属层21加热，该热源能够通过面向其芯片安装段21c的面加热该金属层21。该热源能够例如是能够加热的和/或被预热的块，例如金属块，其与面向芯片安装段21c的侧面接触。为了加热或者是预热该块其能够具有例如集成的电阻加热。但是同样热风鼓风机或者辐射加热也能够用作热源。
[0037]为了避免，在包含粘附在其上的粘结剂3的半导体芯片I被放置到芯片安装段21c之前，粘附在半导体芯片I中的粘结剂3的金属颗粒已经开始显著地烧结，从将半导体芯片I放置到设置有粘结剂3的载体30上(图1B)到将包含粘附在其上的粘结剂3的半导体芯片I放置到金属层21上(图1F)上时该半导体芯片I保持在以下温度，即该温度如此之低，以至于没有开始烧结或者不显著地开始烧结，例如在低于100°C的范围的温度。
[0038]可选地，在将该半导体芯片I和粘附在其上的粘结剂3放置在芯片安装段21c上之后能够对安置工具6加热，以加速烧结处于粘结剂3内的金属颗粒。为了加热该安置工具6，其能够具有例如集成的电阻加热。
[0039]如进一步在图1F和IG中所示，以压力Pn将半导体芯片I向芯片安装段21c按压且因此将其向金属层21按压。可选地该压力匕能够由安置工具6产生，为此在金属层21朝向该安置工具6的面上不需要所示构成托架的支架。不依赖于产生的方式该压力的范围能够如此选择，即其高于最低压力，例如高于0.1MPa0
[0040]此外该压力使得，粘结剂3同时具有高温，从而包含在粘结剂3内的金属粉末烧结并且产生稳定的烧结的金属粉末层，此外该金属粉末层固定地连接金属半导体I和金属层21并且将其材料配合地连接。例如在按压时粘结剂3的温度能够保持在以下温度，其高于最小温度，例如高于100 °c。
[0041]替代方案也可能是，当半导体芯片I与粘结剂3 —起残留在芯片安装段21c上时，将安置工具6从半导体芯片I脱离，且通过单独的压力进行按压和供热，其中使用包含金属层21、放置在芯片安装段21c上的半导体芯片I和处于芯片安装段21c和半导体芯片I之间的粘结剂3的堆。
[0042]此外如图1G中所示，为了烧结可选的技术方案能够是在粘结剂3中耦合声信号Sus0为此能够使用声发生器(未示出)，例如压电声发生器，该声发生器例如能够集成在安置工具6中。该耦合的声信号Sus造成能量传输以及压缩包含在粘结剂3中的金属颗粒，由此不仅烧结周期得以缩短并且烧结连接的质量得以提高(降低孔隙度)。
[0043]金属颗粒的烧结在任意情况下在烧结过程中实施，其中在预定的烧结期内不间断地满足设定，粘结剂3被布置在半导体芯片I和金属层21之间并且不断地从半导体芯片I延伸至金属层21，以高于最小压力的压力范围相对地按压半导体芯片I和金属层21，将粘结剂3保持在高于最小温度的温度范围内并且可选地，将声信号Sus耦合到粘结剂3中。
[0044]图1H示出了完成的连接，其中半导体芯片I和金属层21通过烧结的粘结剂3固定并且材料配合且可选地还相互导电地连接。
[0045]根据图1A到IH说明的过渡过程，其中通过将半导体芯片I放置在设置有粘结剂3的载体30上且接着通过将包含粘附在其上的粘结剂3的半导体芯片I从该载体30上取下而将粘结剂3施加在半导体芯片I上，具有如下优点，即所有的工艺步骤能够全自动地在一台机器上执行。
[0046]参照图1D说明的通过气流50除去段32 (图1D)必须通过吸气设备5非强制地进行。但是替代技术方案也能够是附加地由鼓风机5’产生气流50，这由图2示出。在这种情况下吸气设备5’也能够可选地具有包含面向半导体芯片I和安置工具6的开口 52的管道51。在这种情况下空气(或其他气体)自然从开口 52中向半导体芯片I和安置工具6的方向喷出且因此向层31的方向喷出。
[0047]图3和4还示出了半导体芯片I上的仰视图，在遮盖的底面上对应地粘附由粘结剂3构成的层31，如参考图1C所说明的，该层31包围(图3)半导体I的区域32伸出或者分段地(图4)伸出。图3和4示出了对应图1C的情形，其中安置工具6由于视野原因没有示出。
[0048]图5示出了半导体芯片I的俯视图，如其根据图3和4所说明的，在通过气流除去将从半导体芯片I侧面伸出的区域后。在除去残留在段32的层31的残余后半导体芯片I被遮盖的底面上始终粘附有由粘结剂3构成的层31。图6示出了根据图5的装置的侧视图。
[0049]图7还示出了该方法的可选的方案，其中为了在半导体芯片I和金属层21之间形成材料配合的连接通过半导体芯片I向粘结剂3中耦合声信号Sus。声信号Sus的产生通过未进一步示出的声发生器7实现，该声发生器7能够集成在安置工具6中。
[0050]此外安置工具6在其上容纳有半导体芯片I的侧面上具有可选的、弹性的压力垫61，以避免损坏半导体芯片I。例如弹性体塑料(例如天然的或合成的橡胶或其变型)、热弹性塑料(例如聚四氟乙烯=PTFE)，或者热塑性塑料(例如聚酰亚胺=PI)适合作为压力垫61。
[0051]进一步地，该安置工具6具有进气通道60，半导体芯片I能够通过该进气通道60吸气并且被吸附在安置工具6上。如果安置工具6具有压力垫61，那么进气通道60也能够贯穿伸出压力垫61。
[0052]此外图7中也示出了图1A到图1H未示出的、但仍然存在的支架9。
[0053]如进一步在图8中图示的，根据该方法同样可选的方案也能够将声信号Sus通过金属层21耦合到粘结剂3中。该声信号Sus的产生通过未详细示出的声发生器7实现，该声发生器7能够集成在支架9中。
[0054]同样自然可能的是，如根据图7描绘的声信号Sus的部分信号通过安置工具6耦合到粘结剂3中，且另一部分信号根据图8描绘的通过金属层21耦合到粘结剂3中。
[0055]如图7和8中还尤其示意的，在烧结期间安置工具6完全覆盖半导体芯片I。
[0056]如前文已经提到的，金属层21能够是单个的金属部件如引线框架，或者，如在前的附图中仅示例性地示出的，是电路载体2的金属层21，特别参见图7和8。
[0057]电路载体2具有不导电的绝缘载体20，在其上安装上金属层21，以及可选的下金属层22。如果存在上和下金属层21、22，那么其处于绝缘载体20的相背对的侧面上。该上金属层21能够根据需要构造使得，其具有导体电路，该导体电路能够例如用于电气连接和/或者用于芯片安装。该不导电的绝缘层20能够用于，将上金属层21和下金属层22相互电绝缘。
[0058]该电路载体2能够是陶瓷衬底，其中绝缘载体20构造为薄层，其具有陶瓷或者由陶瓷组成。易导电的金属例如铜或者铜合金、铝或者铝合金，但任何其他金属或者合金也适用于作为用于上金属层21以及一一只要存在的一一下金属层的材料。如果绝缘载体20具有陶瓷或者由陶瓷组成，该陶瓷能够是例如氧化铝(Al2O3)或者氮化铝(ALN)或者氧化锆(ZrO2)，或者是混合陶瓷，其具有除至少一种所述陶瓷材料外还具有至少一种其他的，与其不同的陶瓷材料。例如电路载体2能够构造为DCB衬底(DCB =直接铜键合)，构造为DAB衬底(DAB =直接铝键合)，构造为AMB衬底(AMB =活性金属钎焊)，或者构造为IMS衬底(IMS =绝缘金属基底)。该上金属层21和如果存在的下金属层22相互独立，分别具有0.05mm到2.5mm的范围的厚度。该绝缘载体20的厚度能够例如处于0.1mm到2mm的范围。但是同样可能大于或者小于该的厚度。
[0059]基本上半导体芯片I能够是任何半导体芯片，例如是MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、晶闸管、JFET(结型场效应晶体管)、HEMT(高电子迀移率晶体管)、二极管等。该半导体芯片I具有半导体主体10，以及分别可选的上芯片金属化层11和下芯片金属化层12。只要半导体芯片I具有下芯片金属化层12，那么其能够固定在金属层21上。这意味着在烧结过程中或者在烧结过程完成后粘结剂3不断地从芯片安装段21c向下芯片金属化层12延伸且将其相互导电地连接。
[0060]该连接方法能够以取放方法实现，这意味着，半导体芯片I和金属层21之间的烧结连接已经在安装过程中实现，其中不仅使用安置工具6，以容纳半导体芯片I并放置在芯片安装段21c上，而且为此，产生在烧结时其作用的压力PN。
[0061]本发明所有的变型能够如此进行，使得不融化包含在粘结剂3中的金属粉末。
[0062]在此根据图9到10还阐述了用于在使用管道51的情况下除去粘接在半导体芯片I上的层31的边缘32的可能的方案的另一种示例。在根据图9和11的示例中通过吸气装置5产生气流50(于是管道51构成吸气管道)，反之在根据图10和12的示例中通过鼓风机5’产生气流50 (于是管道51构成排气管道)。气体的流动均通过由白色填充的箭头表不O
[0063]在管道51的开口 52和半导体芯片I之间或者是在管道51的开口 52和伸出的边缘32之间均存在缝隙15，气流50必须穿过该缝隙15。其中通过缝隙15的宽度在半导体芯片I和边缘32的范围内产生的气流50的流动速度能够挤压使得，通过气流50基本上从层31中除去仅从半导体芯片I的侧面伸出的边缘32。合适的缝隙宽度能够以简单的方式通过试验由管道开口 52和半导体芯片I之间的间距的变化而测定。
[0064]在气流50的作用下除去边缘32时半导体芯片I和层31能够，如图9和10示出的，处于管道51之外，替代方案也可以是全部或者部分处于管道51之内，如图11和12中示出的。当然也可能是任意中间位置。
[0065]为了确保可靠地除去从半导体芯片I的侧面伸出的边缘32，能够如此设置气流50，即位于与半导体芯片I的间距不大于1cm的位置P的气流50，具有至少2.5m/s的流动速度。
[0066]在所示的实施例中管道50的开口 52分别处于低于安装或(取放)设备6的底面62的位置。然而同样该开口 52也可能处于底面62之上，或者与其相同的高度上。
[0067]在所有的方案中取代仅使用一个管道51例如还可使用多个管道51，每个管道51均包含一个开口 52，或者使用一个管道51，其替代仅具有一个开口 52而具有包含多个排气口(即同样多个开口 52)的环形喷嘴。在多个开口 52的情况下其可以小的间距沿着半导体芯片I的侧面边缘布置，即靠近其上能够形成凸伸的层31的边缘32的区域，从而半导体芯片I的侧面边缘区域完全被气流50遍及。
[0068]借助其能够实现前文阐述的方法之一的装备，具有至少一个安置(取放)设备6，以及具有用于产生气流50的设备5、5’，可选地还具有被阐述用于执行每个所描述的方法的其他设备。在具有(至少一个)吸气或(至少一个)排气管道51的用于产生气流50的设备5、5’中，该安置(或取放)设备6为如此能够定位的，即在安置(或取放)设备6的芯片容纳区域和开口 52处于其上的管道51的末端之间，能够设置从0.1mm至20cm的范围的间距。其中该芯片容纳区域由安置(或取放)设备6提供，该设备6能够与其粘接的半导体芯片I直接接触。在图9到12中该芯片容纳区域由安置(或取放)设备6的面向管道51的(底)面62提供。在图7和8中该底面62由压力垫61构成(其表示安置(或取放)设备6的组成部分)。
[0069]与传统的方法相比，根据本发明通过将少量牢固地粘附在接合件上的粘结剂的部分可控地从接合件中除去，有效降低了工艺环境的不可控的污染。
【主权项】
1.一种用于在接合件(I)上生成具有粘结剂(3)的层(31)的方法，其中，所述方法包括: 提供载体(30)，在所述载体(30)上涂有粘结剂(3)，所述粘结剂(3)包含以大量金属颗粒的形式构成的金属； 将所述接合件(I)放置到位于所述载体(30)上的所述粘结剂(3)上； 将所述接合件(I)按压至位于所述载体(30)上的所述粘结剂(3)处，从而由所述粘结剂⑶形成的所述层(31)粘附在所述接合件⑴上； 将具有粘附在其上的所述层(31)的所述接合件(I)从所述载体(30)取下；以及通过气流(50)除去所述层(31)的边缘(32)，在所述边缘处所述层从所述接合件(I)的侧面突出，从而留下粘附在所述接合件(I)上的所述层(31)的层剩余。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接合件(I)被构造为半导体芯片(I)。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述粘结剂(3)具有干燥的金属粉末或者由干燥的金属粉末组成。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述金属粉末具有贵金属粉末或者由贵金属粉末组成。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述贵金属粉末为银粉末。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述气流(50)通过吸气装置(5)或者通过鼓风机(5’)产生。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述吸气装置(5)或者所述鼓风机(5，)借助于管道(51)实现，所述管道(51)具有开口(52)，通过所述开口(52)将所述管道(51)对准所述接合件(I)。8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述气流(50)作用于所述边缘(32)期间，所述开口(52)离所述接合件(I)相隔不超过20cm。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在离开所述接合件(I)不超过1cm的位置(P)处的所述气流(50)具有至少2.5m/s的流动速度。10.一种用于在接合件(I)和金属层(21)之间形成材料配合的连接的方法，其中，所述方法包括: 提供接合件(I); 提供具有安装段(21C)的金属层(2); 根据前述权利要求中任一项所述的方法在所述接合件(I)上生成具有粘结剂(3)的层； 在烧结过程中烧结金属颗粒，其中，在预定的烧结期间不间断地满足设定，使得一在所述接合件(I)和所述金属层(21)之间设置所述粘结剂(3)并且不间断地从所述接合件(I)延伸至所述金属层(21)； 一在压力范围内相对地挤压所述接合件(I)和所述金属层(21)，所述压力范围高于最小压力；以及 一将所述粘结剂(3)保持在高于最小温度的温度范围内。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述最小压力为0.1MPa012.根据权利要求10或11的方法，其中，所述最小温度为100°C。13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，其中，在所述烧结过程之前通过安置工具(6)容纳所述接合件(I)并且将所述接合件(I)如此放置在所述安装段(21c)上，使得所述粘结剂(3)布置在所述接合件(I)和所述安装段(21c)之间且不间断地从所述接合件⑴向所述安装段(21c)延伸。14.根据权利要求13所述的方法，其中，在所述烧结期间通过所述安置工具(6)相对地挤压所述接合件(I)和所述金属层(21)。15.根据权利要求13或14所述的方法，其中，在所述烧结期间所述安置工具(6)完全覆盖所述接合件(I)。16.根据权利要求10至15中任一项所述的方法，其中，在预定的所述烧结期间将声信号(Sus)耦合至所述粘结剂(3)。17.根据权利要求10至16中任一项所述的方法，其中，在所述烧结期间所述金属颗粒不融化。18.根据权利要求10至17中任一项所述的方法，其中，所述烧结期间短于3分钟。19.一种装置，所述装置被构造为，执行根据前述权利要求中至少一项所述的方法。
【文档编号】H01L23/50GK105845586SQ201510770793
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2015年11月12日
【发明人】N·霍伊克, M·马奇托, R·斯佩克尔斯
【申请人】英飞凌科技股份有限公司