光电子的半导体器件和用于制造光电子的半导体器件的方法

光电子的半导体器件和用于制造光电子的半导体器件的方法
【专利摘要】提出一种具有光电子半导体芯片的光电子的半导体器件。特别地，光电子的半导体器件是发射辐射的半导体器件，所述发射辐射的半导体器件构成为侧向发射器。此外，提出一种用于制造这种光电子的半导体器件的方法。
【专利说明】
光电子的半导体器件和用于制造光电子的半导体器件的方法
技术领域
[0001]提出一种具有光电子半导体芯片的光电子的半导体器件。特别地，光电子的半导体器件是发射辐射的半导体器件，所述半导体器件构成为侧向发射器。
[0002]背光技术
[0003]侧向发射器例如用于显示器背光照明，其中由侧向发射器发射的辐射侧向地耦合输入到光导体中。因为期望具有越来越薄的光导体的越来越扁平的显示器，所以需要具有小的结构高度的侧向发射器。然而，组件减小引起组件部件、例如反射器随之减小。然而，由此而引起的反射率降低导致耦合输入到光导体中的辐射的减少，也就是说，在优先方向上降低辐射功率。

【发明内容】

[0004]本申请的目的是，提出一种具有小的结构高度和在优先方向上未降低的辐射功率的光电子的半导体器件。另一目的是，提出一种用于制造具有小的结构高度和在优先方向上未降低的辐射功率的光电子半导体器件的方法。
[0005]根据至少一个实施方式，光电子的半导体器件包括光电子半导体芯片。光电子半导体芯片尤其是发射辐射的半导体芯片。优选地，光电子半导体芯片包括半导体层序列，所述半导体层序列具有用于产生电磁辐射、优选在光谱的可见范围中的电磁辐射的有源区。半导体层序列能够借助于外延法，例如借助于金属有机物气相外延(MOVPE)或者分子束外延(MBE)在生长衬底上生长。半导体层序列或者其中至少一个层能够由氮化物III/V族化合物半导体材料形成、优选由AlnGamlnl-n-mN形成，其中O SnSl，OSmS I并且n+m < I。在此，该材料不必强制性具有根据上述公式的数学上精确的组成。更确切地说，所述材料能够具有一种或多种掺杂材料以及附加的组成部分，所述掺杂材料以及附加的组成部分基本上不改变AlnGamIn 1-n-mN材料的特征性的物理特性。然而，为了简单起见，上述公式仅包含晶格的主要组成部分(々1、6&、111、《，即使这些组成部分能够通过少量其它材料替代时也是如此。
[0006]半导体芯片例如能够是薄膜半导体芯片。这尤其意味着，生长衬底在半导体层序列生长之后被强烈打薄或者完全地从半导体层序列移除。半导体层序列能够设置在替代衬底上。
[0007]特别地，半导体芯片是表面发射器。
[0008]此外，半导体芯片能够是体积发射器，所述体积发射器优选在多个空间方向上发射具有基本上相同强度的辐射。
[0009]此外，半导体芯片能够是倒装芯片，所述倒装芯片具有可透过辐射的衬底，所产生的辐射的至少一部分穿过所述衬底从半导体芯片中耦合输出。
[0010]例如能够使用蓝宝石衬底作为生长衬底。
[0011]根据至少一个实施方式，光电子的半导体器件包括载体元件。载体元件尤其具有第一主面、与第一主面相对置的第二主面和多个将第一主面和第二主面连接的侧面。优选地，光电子半导体芯片在载体元件上设置在第一主面的一侧上。载体元件例如能够是平坦的载体，所述载体通过平坦的面限界。然而也可以考虑的是，载体元件不平坦地构成并且通过至少一个不平坦的面限界。载体元件例如能够在第一主面的一侧上具有凹陷部，在所述凹陷部中设置有半导体芯片。第一主面在此不平坦地构成。
[0012]根据至少一个实施方式，光电子的半导体器件具有安装面，所述安装面设置用于安装光电子的半导体器件。优选地，安装面平行于载体元件的侧面设置。特别地，安装面通过载体元件的侧面形成。替选地，安装面尤其能够平行于载体元件的第二主面设置或者通过载体元件的第二主面形成。
[0013]根据至少一个实施方式，光电子的半导体器件包括反射器体。优选地，反射器体设置在载体元件上。尤其优选地，反射器体设置在载体元件的第一主面上。此外优选的是，反射器体在没有附加的固定机构的情况下与载体元件不可脱离地连接。“不可脱离地”在此并且在下文中能够表示:反射器体和载体元件之间的连接仅通过机械破坏或者反射器体和/或载体元件的损坏才能够脱离。
[0014]此外，反射器体优选具有腔，在所述腔中设置有光电子半导体芯片。此外，反射器体优选具有反射器元件，所述反射器元件对腔限界并且由金属、金属化合物或者金属序列构成。这种具有金属特性的反射器元件的特征在于相对高的反射率。
[0015]在光电子的半导体器件的一个优选的设计方案中，反射器体由反射器元件构成。换句话说，反射器体除了反射器元件外不具有其它任何部件。反射器元件在此构成为自承的元件。“自承”在此并且在下文中能够表示:不需要任何其它用于机械稳定的元件，以确保反射器元件的机械稳定性。特别地，反射器元件电镀地生长。反射器元件能够具有在20μπι和200μπι之间的高度。此外，反射器元件能够以在ΙΟμπι和ΙΟΟμπι之间的壁厚度，尤其在30μπι和50μπι之间的壁厚度来实现。小的壁厚度能够实现光电子的半导体器件的小的组件高度。借此，可实现在0.15mm和0.4mm之间的组件高度。
[0016]在光电子的半导体器件的另一设计方案中，反射器体包括反射器基本体，在所述反射器基本体上施加有反射器元件。特别地，反射器基本体包含介电材料。反射器基本体例如能够由有机材料、如塑料形成。可以考虑的是，借助于成型工艺、如注塑成型或者传递模塑将反射器基本体直接构成在载体元件上并且模制到该载体元件上。这具有不需要固定机构的优点。此外可以考虑的是，例如借助于注模工艺(Abf ormproze s s)将反射器基本体制造为单独的部件或者在复合件中单独地制造，并且施加到载体元件上。此外，为了制造反射器基本体也可以考虑可光刻结构化的电介质。借助于尤其通过LIGA法(光刻、电铸和注模的缩写)执行的注模工艺或者光刻结构化能够实现高的纵横比。反射器元件能够通过反射器基本体的金属覆层制造。覆层例如能够借助于无电流的电镀或者通过各向同性的溅射产生。在该实施方式中，反射器体也能够具有20μπι和200μπι之间的高度并且以在ΙΟμπι和ΙΟΟμπι之间的壁厚度、尤其在30μηι和50μηι之间的壁厚度构成，由此光电子的半导体器件能够以0.15mm和0.4mm之间的小的组件高度实现。
[0017]根据一个优选的设计方案，反射器元件包含基本材料。特别地，使用镍和/或铜作为基本材料。反射器元件尤其能够为了改进反射率而包含其它材料。优选地，反射器元件的对腔限界的层由高反射的材料、例如铝、银或者金构成。在这种情况下，反射器元件由金属序列形成，所述金属序列例如由NiAl、CuNiAl、NiAg、CuNiAg、NiAu或者CuNiAu构成。
[0018]根据至少一个实施方式，光电子的半导体器件具有包覆部，所述包覆部设置在反射器体的外面上。特别地，反射器体在腔外部横向地通过外面限界。优选地，包覆部包含电绝缘的材料。塑料作为电绝缘的材料例如是适合的。特别地，包覆部在外面上设置用于避免短路，所述短路例如能够经由反射器体在焊接时出现。
[0019]在一个优选的设计方案中，包覆部也设置在腔中并且覆盖光电子半导体芯片。特别地，包覆部能够包含可透过辐射的材料和转换颗粒。也就是说，通过包覆部能够构成转换元件，所述转换元件设置用于将由半导体芯片发射的辐射的至少一部分转换为具有不同波长的辐射。有利地，能够在一个步骤中制造外面上的包覆部和腔中的包覆部。
[0020]包覆部例如能够借助于无接触的配量(所谓的喷射)、针配量、深冲或者喷涂(所谓的 Spraycoating)来制造。
[0021]根据至少一个实施方式，光电子的半导体器件具有第一接触层和第二接触层，所述第一接触层和第二接触层设置用于电连接光电子半导体芯片。优选地，第一和第二接触层设置在载体元件上。特别地，第一接触层和第二接触层分别从载体元件的第一主面经由侧面延伸至第二主面上。光电子半导体芯片能够具有第一和第二电接触部，所述第一和第二电接触部设置用于电连接半导体芯片，其中第一电接触部与第一接触层连接，并且第二电接触部与第二接触层连接。接触部能够与接触层间接地连接。这意味着，在接触部和接触层之间能够设置有另一连接机构，例如电导体。此外，接触部能够与接触层直接连接，这是指，在没有另一连接机构的情况下连接，使得接触部和接触层直接接触。
[0022]在一个优选的设计方案中，接触层延伸至安装面上。
[0023]根据光电子的半导体器件的至少一个实施方式，反射器体与这两个接触层中的至少一个电绝缘。在反射器体和第一和第二接触层之间例如能够设置有绝缘层，所述绝缘层包含介电材料从而用于电绝缘。对于绝缘层而言适合的材料例如是聚合物，如聚酰胺、环氧化物、丙烯酸酯或者硅酮。由于射束负荷而有利的是:绝缘层构成为是薄的，也就是说，尤其以至多ΙΟμπι的厚度构成，或者掺有反射性的颗粒，例如二氧化钛，或者使用用于稳定射束的材料，例如硅酮。
[0024]此外，在其上设置有接触层和反射器体的载体元件能够包含钝化的或者介电的材料，从而用于电绝缘。
[0025]根据至少一个实施方式，载体元件包括硅衬底或者陶瓷衬底。特别地，硅衬底在表面上被钝化从而是不导电的或者至少较差地导电的。由硅或者陶瓷构成的衬底有利地适合于如下制造工艺，如光刻工艺，借助于所述制造工艺可实现小的结构大小。
[0026]在一个有利的设计方案中，在载体元件中设置有第一和第二过孔。过孔能够具有圆形的横截面，所述圆形的横截面具有有利的ΙΟΟμπι的小的直径，所述直径例如可利用光刻工艺实现。特别地，过孔分别从载体元件的第一主面延伸直至第二主面上。此外，优选的是，第一过孔与第一接触层电连接而第二过孔与第二接触层电连接。此外，光电子的半导体器件能够具有第一和第二连接面，所述第一和第二连接面设置在载体元件的第一主面上。特别地，第一过孔与第一连接面电连接，并且第二过孔与第二连接面电连接。光电子半导体芯片例如能够施加在这两个连接面中的一个上并且与另一连接面例如通过电导体电连接。优选地，连接面设置在反射器体的腔中。此外，接触层在该实施方式中尤其设置在反射器体的腔的外部。
[0027]替选地，接触层能够伸展直至进入到腔中，使得半导体芯片能够直接连接到接触层上。
[0028]根据至少一个实施方式，载体元件包括塑料载体。对于塑料载体适合的材料例如是FR4、环氧化物或者聚酰胺。这种载体元件是硅衬底或者陶瓷衬底的成本适宜的替选方案。
[0029]根据另一替选的实施方式，载体元件是成形体，光电子半导体芯片部分地嵌入到所述成形体中。成形体能够由模塑料形成，所述模塑料包含塑料材料，例如热固性塑料材料，如环氧树脂或者硅酮。模塑料能够至少部分地覆盖半导体芯片的至少两个侧面和朝向载体元件的后侧面。
[0030]为了改进材料特性，如反射率、热膨胀系数、导热性和弹性，包含塑料的载体元件此外能够包含至少一种填充材料。作为填充材料例如可以考虑二氧化钛、无定形二氧化硅、氮化硼或者氧化铝。
[0031]根据用于制造如在上文中所描述的光电子的半导体器件的方法的至少一个实施方式，执行下述步骤:
[0032]-提供载体元件，
[0033]-在载体元件上提供反射器基本体，
[0034]-由金属或者金属化合物制造反射器元件，使得反射器元件与反射器基本体直接接触。
[0035]在一个优选的设计方案中，将可光刻结构化的材料施加到载体元件上并且随后结构化，使得反射器基本体构成有腔。在腔的内部产生反射器元件，所述反射器元件与反射器基本体直接接触。
[0036]根据至少一个实施方式，反射器元件电镀地生长。电镀能够在有电流或者无电流的条件下执行。优选地，反射器元件在载体元件上生长。有利地，由此对于固定反射器元件而言不需要附加的固定机构。也就是说，可行的是，反射器元件在没有附加的固定机构的条件下尤其不可脱离地与载体元件连接。此外，发射器元件能够通过各向同性的溅射产生。
[0037]在一个有利的设计方案中，在制造反射器元件之后，将反射器基本体从载体元件移除，使得制造反射器体，所述反射器体仅由反射器元件构成。
[0038]替选地，反射器基本体能够保留在已制成的半导体器件中，使得已制成的半导体本体包括反射器基本体和反射器元件。特别地，反射器元件在此也设置在反射器基本体的外面上。
[0039]在所述方法的一个优选的设计方案中，为了制造多个半导体器件使用载体元件复合件。在载体元件应构成有接触层的区域中，载体元件复合件优选具有长孔，将所述长孔金属化。在进行分割时，载体元件复合件沿着该长孔切断。如此制造的被分割的载体元件分别具有两个接触层，所述接触层从第一主面经由侧面延伸至第二主面。
【附图说明】
[0040]其它的优点、有利的实施方式和改进方案从在下文中结合附图所描述的实施例中得出。
[0041 ] 附图示出:
[0042]图1A、1B、1C在连接载体的俯视图(参见图1B)中，在沿着线AA’的示意性的侧视图(参见图1A和1B)中以及在垂直于线AA’的示意性的侧视图(参见图1B和1C)中示出在此所描述的光电子的半导体器件的基本结构，
[0043]图2A和2B在示意性的俯视图(图2A)和侧视图(图2B)中示出光电子的半导体器件的第一实施例，
[0044]图3A和3B在示意性的俯视图(图3A)和侧视图(图3B)中示出光电子的半导体器件的第二实施例，
[0045]图4A和4B在不意性的俯视图(图4A)和侧视图(图4B)中不出光电子的半导体器件的第三实施例，
[0046]图5A和5B在不意性的俯视图(图5A)和侧视图(图5B)中不出光电子的半导体器件的第四实施例。
【具体实施方式】
[0047]图1A、IB和IC图解说明具有在此所描述的光电子的半导体器件100的可行的设置。半导体器件100尤其是发射辐射的半导体器件，所述发射辐射的半导体器件构成为侧向发射器。光电子的半导体器件100包括光电子半导体芯片I和载体元件2，在所述载体元件上设置有半导体芯片I。此外，半导体器件100包括具有腔3C的反射器体3，半导体芯片I设置在所述腔中。
[0048]半导体器件100借助其安装面4设置在连接载体16上。连接载体16尤其是电路板。在光电子的半导体器件100和连接载体16之间存在用于将半导体器件100固定在连接载体16上的连接机构15、尤其焊料。如在图1B中所示出的那样，连接机构15能够沿着安装面4的棱边设置。特别地，连接机构15设置在载体元件2的第一主面2A、两个相对置的侧面2B和第二主面2C上。特别地，设置在载体元件2上的接触层(未示出)通过连接机构15机械地并且导电地与连接载体16连接。连接机构此外能够设置在安装面4和连接载体16之间(参见图1C)。
[0049]光电子的半导体器件100能够具有包覆部5，半导体芯片I嵌入到所述包覆部中。通过包覆部5能够构成转换元件。优选地，包覆部延伸直至反射器体3的外面3D上。
[0050]借助于反射器体3能够将射到其上的辐射的大部分沿着优先方向V反射，使得半导体器件100沿着优先方向V发射辐射的大部分。特别地，优先方向V垂直于第一主面2A并且平行于连接载体16伸展。
[0051]光电子的半导体器件100能够相对扁平地构成，从而尤其适合于构成扁平的背光照明装置，所述背光照明装置例如能够用于显示器。特别地，反射器体3具有在20μπι和200μπι之间的高度L和在ΙΟμπι和ΙΟΟμπι之间的、尤其在30μπι和50μπι之间的壁厚度S。此外，光电子的半导体器件100尤其具有0.15mm和0.4mm之间的组件高度H。
[0052]图2A和2B示出光电子的半导体器件100的第一实施例，所述第一实施例适合作为侧向发射器。
[0053]在该实施例中，载体元件2平坦地构成。载体元件2尤其包括娃衬底或者陶瓷衬底。通过使用硅衬底或者陶瓷衬底，载体元件2同时形成良好的热沉。
[0054]在载体元件2中设置有第一过孔6A和第二过孔6B。第一和第二过孔6A、6B延伸穿过载体元件2并且从第一主面2A伸展直至第二主面2C。
[0055]此外，在载体元件2上设置有第一接触层7A和第二接触层7B，所述第一接触层和第二接触层设置用于电连接光电子半导体芯片I。第一接触层7A和第二接触层7B分别从第一主面2A经由侧面2B延伸直至第二主面2C上。
[0056]此外，在载体元件2的第一主面2A上设置有第一和第二连接面8A、8B。第一过孔6A将第一连接面8A与第一接触层7A连接。第二过孔6B将第二连接面8B与第二接触层7B连接。特别地，过孔6A、6B由连接面8A、8B覆盖。连接面8A、8B例如能够为300μπιΧ300μπι大。光电子半导体芯片I施加在第二连接面SB上。
[0057]光电子半导体芯片I具有第一电接触部9Α和第二电接触部9Β，其中第一电接触部9Α与第一连接面8Α连接，并且第二电接触部9Β与第二连接面8Β连接。第一接触部9Α例如能够设置在半导体芯片I的前侧面IA上。此外，第二接触部9Β能够设置在半导体芯片I的衬底上。这两个电接触部9Α、9Β分别借助于电导体10、尤其键合线与连接面8Α、8Β连接。
[0058]优选地，接触层7Α、7Β，过孔6Α、6Β和连接面8Α、8Β由唯一的覆层制造，所述覆层施加到载体元件2上。载体元件2能够首先借助于光刻结构化设有凹槽，所述凹槽随后在给载体元件2覆层时通过覆层材料填充，其中产生过孔6Α、6Β。覆层材料例如能够由铜构成。覆层能够以Iym和50μηι的厚度施加到载体元件2上。过孔6Α、6Β能够以ΙΟΟμπι的直径构成。
[0059]光电子的半导体器件100此外包括反射器体3，所述反射器体设置在载体元件2的第一主面2Α上。如从图2Α和2Β中所得出的那样，反射器体3能够设置在接触框11上，所述接触框尤其由与接触层7Α、7Β和连接面8Α、8Β相同的覆层制造。接触框11通过不包含覆层材料的间隙12与接触层7Α、7Β和连接面8Α、8Β分开。接触框11通过电绝缘的载体元件2与接触层7Α、7Β和连接面8Α、8Β电绝缘，使得施加到接触框11上的反射器体3也被电绝缘。
[0060]为了制造反射器体3，能够将光刻胶施加到载体元件2上并且进行结构化，使得产生腔，所述腔通过由光刻胶构成的反射器基本体限界。在腔中能够电镀地生长有反射器元件。优选地，反射器元件电镀地生长到接触框11上。特别地，对于电镀的生长而言使用镍和/或铜作为基本材料。附加地，为了改进反射率能够将基本材料借助另一材料，例如铝、银或者金包覆。在制造反射器元件之后，移除由光刻胶形成的反射器基本体。由此，反射器体3由反射器元件3Β构成，其中反射器元件3Β由金属、金属化合物或者金属序列构成。
[0061]反射器元件3Β自承地构成并且在没有附加的固定机构的情况下不可脱离地与载体元件2连接。
[0062]此外，反射器元件3Β框状地构成并且在内侧对腔3C限界，在所述腔中设置有光电子半导体芯片I。特别地，反射器元件3Β包括多个侧壁3D，所述侧壁平行于半导体芯片I的侧面IB设置。
[0063]借助于反射器元件3Β能够有利地提高沿着优先方向发射的辐射的强度。
[0064]在第一实施例中，接触层7Α、7Β设置在反射器元件3Β的腔3C外部并且通过间隙12与该反射器元件分开。然而为了电导体10不必经由反射器元件3Β引导直至接触层7Α、7Β，在腔3C中设有连接面8Α、8Β，所述连接面借助于过孔6Α、6Β与接触层7Α、7Β电连接。在图3Α和3Β中示出的光电子的半导体器件100的第二实施例中，载体元件2平坦地构成。载体元件2包括塑料载体。对于塑料载体适合的材料例如是FR4、环氧化物或者聚酰胺。这种材料是成本适宜的电路板材料。载体元件2不具有过孔，因为该过孔在这种载体元件2中不能如所需要的那样小地构成。因此，接触层7Α、7Β延伸直至反射器体3的腔3C中。然而，为了反射器体3与接触层7A、7B电绝缘，在反射器体3和第一和第二接触层7A、7B之间设置有绝缘层13，所述绝缘层包含介电材料。对于绝缘层13适合的材料例如是聚合物，如聚酰胺、环氧化物、丙烯酸酯或者硅酮。绝缘层13框状地构成。设置在绝缘层13上的反射器体3也框状地构成。如在第一实施例中那样，根据第二实施例的反射器体3也优选仅由反射器元件3B构成，并且尤其电镀地在绝缘层13上生长。这就是说，反射器体3不具有反射器基本体3。
[0065]在图4A和4B中示出光电子的半导体器件100的第三实施例，所述第三实施例与第一和第二实施例不同而具有如下反射器体，所述反射器体具有反射器基本体3A和反射器元件3B ο特别地，反射器基本体3A包含介电材料。反射器基本体3A例如能够由有机材料如塑料形成。可以考虑的是，反射器基本体3A借助于成型工艺、如注塑成型或者传递模塑直接在载体元件2上构成并且模制到该载体元件2上。这具有不需要增附剂的优点。此外可以考虑的是，将反射器基本体3A制造为单独部件或者在复合件中单独地制造，例如借助于注模工艺制造，并且将反射器基本体施加到载体元件2上。此外，为了制造反射器基本体3A也可以考虑可光刻结构化的电介质。借助于尤其通过LIGA法(光刻、电铸和注模的缩写)执行的注模工艺或者光刻结构化，能够实现高的纵横比。反射器元件3B能够通过反射器基本体3A的金属覆层制造。覆层例如能够借助于无电流的电镀或者通过各向同性的溅射产生。对于反射器元件3B适合的材料尤其是银。特别地，反射器元件3B覆盖反射器基本体3A的所有露出的表面，即不通过另一元件、例如接触框11覆盖的所有表面。
[0066]除了反射器体，根据第三实施例的光电子的半导体器件100关于结构和组件部件方面，如根据第一实施例或者也根据第二实施例的光电子的半导体器件100构成。在图5A和5B中示出的光电子的半导体器件100的第四实施例中，载体元件2是成形体，光电子半导体芯片I部分地嵌入到所述成形体中。载体元件2在此不平坦地构成。
[0067]成形体能够由模塑料形成，所述模塑料包含塑料材料，例如热固性材料，如环氧化物或者硅酮。模塑料例如能够借助于注射或者浇注施加到半导体芯片I上。优选地，施加模塑料在转移模塑工艺(所谓的“transfer molding”)中、在薄膜转移模塑工艺中或者在压缩模塑工艺(所谓的“compress1n molding”)中进行。
[0068]成形体尤其完全地覆盖半导体芯片I的两个侧面1B。此外，半导体芯片I的朝向载体元件2的后侧面IC部分地由成形体覆盖。而与后侧面IC相对置的前侧面IA优选不由成形体覆盖。
[0069]第一接触层7A从载体元件2的第一主面2A经由侧面2B和第二主面2C延伸到载体元件2的开口 14中，并且在半导体芯片I的后侧面IC上终止。特别地，第一接触层7A与半导体芯片I的第一电接触部(未示出)连接。在制造接触层7A、7B之后，开口 14能够用模塑料填充。
[0070]此外，第二接触层7B延伸直至半导体芯片I的前侧面IA上。第二接触层7B能够与反射器体3直接接触。然而，反射器体3与第一接触层7A间隔开并且通过载体元件2与第一接触层7A电绝缘，使得不需担忧通过反射器体3引起这两个接触层7A、7B之间的短路。反射器体3能够对应于第一和第二实施例由反射器元件构成或者对应于第三实施例具有反射器基本体和反射器元件。
[0071]本申请要求德国申请DE10 2013 114 345.8的优先权，所述德国申请的公开内容就此通过参引并入本文。
[0072]本发明不受限于根据实施例进行的描述。更确切地说，本发明包括每个新的特征以及特征的任意的组合，这尤其包含权利要求中的特征的任意的组合，即使该特征或者该组合本身未明确地在权利要求或者实施例中说明时也是如此。
【主权项】
1.一种光电子的半导体器件(100)，所述光电子的半导体器件具有: -光电子半导体芯片(I)， -载体元件(2)，所述载体元件具有第一主面(2A)、与所述第一主面(2A)相对置的第二主面(2A)和多个将所述第一主面和第二主面(2A，2C)连接的侧面(2B)，其中所述光电子半导体芯片(I)在所述载体元件(2)上设置在所述第一主面(2A)的一侧上， -安装面(4)，所述安装面设置用于安装所述半导体器件(100)并且尤其平行于所述载体元件(2)的侧面(2B)设置， -反射器体(3 )，所述反射器体设置在所述载体元件(2)上，所述反射器体包括腔(3C)并且包括反射器元件(3B)，所述光电子半导体芯片(I)设置在所述腔中，所述反射器元件对所述腔(3C)限界并且由金属、金属化合物或者金属序列构成。2.根据上一项权利要求所述的光电子的半导体器件(100)，其中 -所述反射器体(3)由所述反射器元件(3B)构成， -所述反射器元件(3B)自承地构成，以及 -所述反射器元件(3B)在没有附加的固定机构的情况下与所述载体元件(2)连接。3.根据上一项权利要求所述的光电子的半导体器件(100)， 其中所述反射器元件(3B)和/或所述反射器体(3)与所述载体元件(2)不可脱离地连接。4.根据权利要求1所述的光电子的半导体器件(100)， 其中所述反射器体(3)由所述反射器元件(3B)构成。5.根据权利要求1所述的光电子的半导体器件(100)， 其中所述反射器体(3)包括反射器基本体(3A)，在所述反射器基本体上施加有所述反射器元件(3B)。6.根据上一项权利要求所述的光电子的半导体器件(100)， 其中所述反射器基本体(3A)包含介电材料。7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体器件(100)， 其中所述反射器元件(3B)包含镍。8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体器件(100)， 其中所述反射器体(3)具有在30μπι和50μπι之间的壁厚度。9.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体器件(100)， 所述光电子的半导体器件具有包覆部(5)，所述包覆部设置在所述反射器体(3)的外面(3D)上。10.根据上一项权利要求所述的光电子的半导体器件(100)， 其中所述包覆部(5)设置在所述腔(3C)中并且覆盖所述光电子半导体芯片(I)。11.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体器件(100)， 所述光电子的半导体器件具有第一接触层(7Α)和第二接触层(7Β)，所述第一接触层和所述第二接触层设置在所述载体元件(2)上并且设置用于电连接所述光电子半导体芯片(I)，其中所述第一接触层(7Α)和所述第二接触层(7Β)分别从所述第一主面(2Α)经由侧面(2Β)延伸直至所述第二主面(2C)上。12.根据上一项权利要求所述的光电子的半导体器件(100)， 其中所述反射器体(3)与两个所述接触层(7A，7B)中的至少一个电绝缘。13.根据上一项权利要求所述的光电子的半导体器件(100)， 其中在所述反射器体(3)和所述第一接触层和第二接触层(7A，7B)之间设置有绝缘层(13 )，所述绝缘层包含介电材料。14.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体器件(100)， 其中在所述载体元件(2)中设置有第一过孔和第二过孔(6A，6B)，所述第一过孔和所述第二过孔分别从所述载体元件(2)的所述第一主面(2A)延伸至所述第二主面(2C)，其中所述第一过孔(6A)与所述第一接触层(7A)电连接，并且所述第二过孔(6B)与所述第二接触层(7B)电连接。15.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体器件(100)， 其中所述载体元件(2)包括硅衬底、陶瓷衬底或者塑料载体。16.根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体器件(100)， 其中所述载体元件(2)是成形体，所述光电子半导体芯片(I)部分地嵌入到所述成形体中。17.—种用于制造根据上述权利要求中任一项所述的光电子的半导体器件(100)的方法，所述方法具有下述步骤: -提供载体元件(2)， -在所述载体元件(2)上提供反射器基本体(3A)， -由金属或者金属化合物制造反射器元件(3B)，使得所述反射器元件(3B)与所述反射器基本体(3A)直接接触。18.根据上一项权利要求所述的方法， 其中所述反射器元件(3B)电镀地生长。19.根据上两项权利要求中任一项所述的方法， 其中在制造所述反射器元件(3B)后从所述载体元件(2)移除所述反射器基本体(3A)。
【文档编号】H01L33/60GK105830239SQ201480069338
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2014年12月17日
【发明人】托马斯·施瓦茨, 弗兰克·辛格
【申请人】欧司朗光电半导体有限公司