基板保持装置、曝光装置及器件制造方法
【专利摘要】基板保持装置具有：吸附保持基板(W)的基板保持器(WH)；和多个上下移动销单元(341、342、343)，其在一端具有吸附基板的背面的吸附部，在通过该吸附部吸附着基板(W)的背面的状态下，能够相对于基板保持器(WH)相对移动。多个上下移动销单元(341、342、343)的包含上述吸附部的至少一部分因从上述吸附的基板(W)受到的力的作用而向至少一个方向位移。
【专利说明】
基板保持装置、曝光装置及器件制造方法
技术领域
[0001]本发明涉及基板保持装置、曝光装置及器件制造方法，更详细地说，涉及保持平板状基板的基板保持装置、具有该基板保持装置来作为被曝光基板的保持装置的曝光装置、以及使用该曝光装置的器件制造方法。
【背景技术】
[0002]以往，在例如用于制造半导体元件的光刻工序中，主要使用步进重复方式的缩小投影曝光装置(所谓的步进机)、或者步进扫描方式的扫描型投影曝光装置(所谓的扫描步进机(也称为扫描机))等逐次移动型的投影曝光装置。
[0003]在这种投影曝光装置中，设有能够在二维平面内移动的晶片载台，通过固定在该晶片载台上的晶片保持器，以真空吸附或静电吸附等保持晶片。
[0004]作为晶片保持器而存在各种类型，近年来，比较多地使用顶销夹头(pinchuck)式的晶片保持器。另外，在晶片载台上，设有用于将晶片交付到晶片保持器上的三个上下移动销(也称为中央顶起销或升降销)(例如，参照专利文献I)。该上下移动销经由形成在晶片保持器上的开口而上下移动，在晶片保持器的上方从搬送臂接受晶片，并以吸附保持晶片的状态下降，由此将晶片交付到晶片保持器上。
[0005]然而，随着半导体元件的高集成化及晶片的大型化，可见在从上下移动销交付到晶片保持器上的晶片的中心部会产生无法忽视的变形。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:美国专利第6，624，433号说明书
【发明内容】
[0009]关于上述的在晶片中心部残存变形的原因，考虑如下。即，在搬送臂退避后，被上下移动销支承的晶片的外周缘部下垂，若在上下移动销下降的同时通过晶片保持器对晶片进行真空吸引，则吸附从晶片的周缘部开始并逐渐朝向中心，其结果为，吸附后在晶片的中心部残留变形。
[0010]但是，根据其后的实验等的结果，判明了即使由晶片保持器先从晶片的中心部开始吸引，依然会在晶片中心部残存变形。因此，发明人进一步反复研究，其结果，完成了有助于解决在晶片的中心部产生变形的问题的本发明。
[0011]根据本发明的第I方案，提供一种基板保持装置，用于保持基板，具备:基板保持部，其吸附保持基板;和多个移动部件，其在一端具有吸附上述基板的背面的吸附部，能够在通过该吸附部吸附着上述基板的背面的状态下，相对于上述基板保持部移动，上述多个移动部件中的至少一个移动部件的、包含上述吸附部的至少一部分因从吸附的上述基板受到的力的作用而向至少一个方向位移。
[0012]由此，例如在将被多个移动部件的吸附部吸附着背面的基板载置于基板保持部上时，从基板保持部进行吸附而使基板变形(平坦化)，但为了不阻碍该基板的变形，受到来自基板的力而至少一个移动部件的至少一部分向至少一个方向位移。由此，抑制了因多个移动部件的吸附而导致的基板的面内变形的产生。
[0013]根据本发明的第2方案，提供一种基板保持装置，用于保持基板，具备:基板保持部，其吸附保持上述基板;和多个移动部件，其具有包含吸附上述基板的背面的吸附部的一端、和与上述一端为相反侧的另一端，能够在该一端吸附着上述基板的背面的状态下，分别相对于上述基板保持部移动，上述多个移动部件中的至少一个移动部件，具备配置在上述一端与上述另一端之间且因从上述基板受到的力的作用而向至少一个方向位移的位移部。
[0014]由此，例如在将被多个移动部件的吸附部吸附着背面的基板载置于基板保持部上时，从基板保持部进行吸附而使基板变形(平坦化)，但为了不阻碍该基板的变形，受到来自基板的力而至少一个移动部件的至少位移部向至少一个方向位移。由此，抑制了因多个移动部件的吸附而导致的基板的面内变形的产生。
[0015]根据本发明的第3方案，提供一种曝光装置，通过能量束对基板进行曝光，具备:将上述基板保持于上述基板保持部的方案I或方案2所述的基板保持装置;和通过上述能量束对上述基板进行曝光而在上述基板上生成图案的图案生成装置。
[0016]根据本发明的第4方案，提供一种器件制造方法，包含:使用方案3所述的曝光装置对基板进行曝光;和对曝光后的上述基板进行显影。
【附图说明】
[0017]图1是概略地表示一个实施方式的曝光装置的结构的图。
[0018]图2是表不图1的晶片载台的俯视图。
[0019]图3是将晶片载台的结构局部剖切且省略一部分而示出的图。
[0020]图4是表示与图3的构成中央顶起单元的一部分的主体单元的一部分(主体部)一起示出三个上下移动销单元的立体图。
[0021 ]图5是表示图4的上下移动销单元的分解立体图。
[0022]图6是表示上下移动销单元的内部结构的图。
[0023]图7的(A)及图7的(B)分别是构成上下移动销单元的一部分的板簧单元的从斜上方及斜下方观察到的立体图。
[0024]图8是表示一个实施方式的以曝光装置的控制系统为中心构成的主控制装置的输入输出关系的框图。
[0025]图9的(A)及图9的(B)是用于说明晶片向晶片载台(晶片保持器)上装载的图(其I及其2)。
[0026]图10的(A)及图10的(B)是用于说明晶片向晶片载台(晶片保持器)上装载的图(其3及其4)。
[0027]图11的(A)是将第I变形例的中央顶起单元局部省略而示出的立体图，图11的(B)是图11的(A)所示的中央顶起单元的俯视图。
[0028]图12是第2变形例的中央顶起单元的俯视图。
[0029]图13是用于说明其他变形例的构成中央顶起单元的上下移动单元的结构的图。
【具体实施方式】
[0030]以下，基于图1?图10说明一个实施方式。
[0031]在图1中示出了一个实施方式的曝光装置100的概略结构。曝光装置100是步进扫描方式的投影曝光装置，即所谓的扫描机。如后所述，在本实施方式中，设有投影光学系统PL，在以下，将与投影光学系统PL的光轴AXp平行的方向作为Z轴方向，将在与该Z轴方向正交的面内，相对扫描标线片(reticule)和晶片的扫描方向作为Y轴方向，将与Z轴及Y轴正交的方向作为X轴方向，将绕X轴、Y轴及Z轴的旋转(倾斜)方向分别作为θχ、θγ及θζ方向来进行说明。
[0032]曝光装置100具备:照明系统Ι0Ρ、保持标线片R的标线片载台RST、将形成于标线片R的图案的像投影到涂敷有感应剂(抗蚀剂)的晶片W上的投影单元PU、保持晶片W并在XY平面内移动的晶片载台WST、及它们的控制系统等。
[0033]照明系统1P包含光源及与光源经由送光光学系统连接的照明光学系统，对于由标线片遮帘(掩蔽系统)限制(设定)的标线片R上沿X轴方向(图1中的纸面正交方向)细长地延伸的狭缝状的照明区域IAR，通过照明光(曝光用光)IL以大致均匀的照度进行照明。照明系统1P的结构在例如美国专利申请公开第2003/0025890号说明书等中有所公开。在此，作为照明光IL，作为一例而使用Ar F准分子激光(波长19 3 nm)。
[0034]标线片载台RST配置在照明系统1P的图1中的下方。在标线片载台RST上载置有在其图案面(图1中的下表面)形成有电路图案等的标线片R。标线片R通过例如真空吸附而固定在标线片载台RST上。
[0035]标线片载台RST能够通过包含例如线性马达或平面马达等的标线片载台驱动系统11(在图1中未图示，参照图8)，而在水平面(XY平面)内微幅驱动，并且能够沿扫描方向(图1中的纸面内左右方向即Y轴方向)在规定行程范围内驱动。对于标线片载台RST的在XY平面内的位置信息(包含θζ方向的旋转信息)，通过例如标线片激光干涉仪(以下，称为“标线片干涉仪”)14并经由移动镜12(或形成于标线片载台RST的端面的反射面)，以例如0.25nm程度的分辨能力持续检测。标线片干涉仪14的计测信息向主控制装置20(在图1中未图示，参照图8)供给。此外，在本实施方式中，也可以取代上述的标线片干涉仪而使用编码器来检测标线片载台RST的在XY平面内的位置。
[0036]投影单元PU配置在标线片载台RST的图1中的下方。投影单元PU包含镜筒45和保持于镜筒45内的投影光学系统PL。作为投影光学系统PL，使用例如由沿着与Z轴方向平行的光轴AXp排列的多个光学元件(透镜元件:lens element)构成的折射光学系统。投影光学系统PL例如两侧远心，具有规定的投影倍率(例如1/4倍、1/5倍或1/8倍等)。因此，当通过来自照明系统1P的照明光IL对标线片R上的照明区域IAR进行照明时，利用从图案面与投影光学系统PL的第一面(物体面)大致一致地配置的标线片R通过的照明光IL，并经由投影光学系统PL(投影单元HJ)而在配置于投影光学系统PL的第二面(像面)侧的、在表面涂敷有抗蚀剂(感应剂)的晶片W上的与上述照明区域IAR共轭的区域(以下，也称为曝光区域)IA上，形成该照明区域IAR内的标线片R的电路图案的缩小像(电路图案的一部分的缩小像)。并且，通过标线片载台RST与晶片载台WST的同步驱动，使标线片R相对于照明区域IAR(照明光IL)沿扫描方向(Y轴方向)相对移动，并且使晶片W相对于曝光区域IA(照明光IL)沿扫描方向(Y轴方向)相对移动，由此，进行对晶片W上的一个照射(shot)区域(划分区域)的扫描曝光，在该照射区域转印标线片R的图案。即，在本实施方式中，通过照明系统1P及投影光学系统PL在晶片W上生成标线片R的图案，并通过基于照明光IL对晶片W上的感应层(抗蚀剂层)的曝光而在晶片W上形成该图案。
[0037]如图1所示，晶片载台WST具备载台主体52和搭载在载台主体52上的晶片台WTB。晶片载台WST通过例如包含线性马达或平面马达等的载台驱动系统24，而载台基座22上沿X轴方向、Y轴方向以规定行程被驱动，并且沿Z轴方向、θχ方向、0y方向及θζ方向被微幅驱动。
[0038]晶片W经由作为基板保持部的晶片保持器WH(在图1中未图示，参照图2)并通过例如真空吸附而固定在晶片台WTB上。
[0039]在图2中，示出了没有晶片W的状态下的晶片载台WST的俯视图，并一并示出了晶片保持器WH的供排气机构。另外，在图3中将图2的A-A线剖视图局部省略并简化，并与晶片一并示出。
[0040]如图2所示，在晶片载台WST的上表面、即晶片台WTB上表面的中央，固定有大小与晶片W大致相同的晶片保持器WH。
[0041]如图2的俯视图所示，晶片保持器WH具备:基部26、在该基部26的上表面(图2中的纸面近前侧的面)的除了外周部附近的规定宽度的环状区域以外的中央部的规定面积的区域以规定的间隔设置的多个突起状的针部32、和以将配置有这些多个针部32的上述区域包围的状态设在外周缘附近的环状的凸部(以下，称为“圆边部”)28等。
[0042]晶片保持器WH由膨胀率低的材料、例如陶瓷等构成，通过对作为整体呈圆盘状的陶瓷等材料的表面进行蚀刻，而一体地形成构成底面部的圆形板状的基部26、和在该基部26上表面上凸出设置的圆边部28及多个针部32。圆边部28的外径比晶片W的外径稍小，例如设定为小I?2mm左右，圆边部28的上表面被加工成水平且平坦，使得在载置了晶片W时，不会在与晶片W的背面之间产生间隙。
[0043]如图3所示，针部32具有各自的前端部分与圆边部28大致位于同一面上的突起状的形状。这些针部32沿着以基部26上的基准点、在此为中心点为中心的多重同心圆而配置。
[0044]这样构成的晶片保持器WH，在其制造阶段中，在如前所述将基部26、针部32及圆边部28—体成形后，使用研磨装置、磨料等对最终成为与晶片W接触的接触面的、多个针部32的上端面及圆边部28的上表面实施研磨加工。其结果为，这些多个针部32的上端面和圆边部28的上表面大致位于同一平面上。在本实施方式中，由将多个针部32的上端面结合的面(与圆边部28的上表面一致)形成晶片保持器WH的晶片载置面WMS。在此，在圆边部28的内部区域，不存在针部32的部分是空间而并非实际存在面。因此，以下将晶片载置面WMS中的、载置晶片W的圆边部28的上表面和圆边部28的内部区域称作晶片保持区域，使用与晶片载置面相同的附图标记并表记为晶片保持区域WMS。
[0045]返回到图2，在基部26的中央部附近，在大致正三角形的各顶点的位置上，以不与针部32机械干涉的状态形成有上下方向(纸面正交方向)的三个贯穿孔84(在图2中未图示，参照图3)。这三个贯穿孔84如图3所示，将晶片保持器WH的基部26及晶片台WTB沿Z轴方向(上下方向)贯穿而形成。在三个贯穿孔84各自中分别插入有具有大致圆柱形状的上下移动销单元34!、342、343(也将其适当称作“移动部件”)。三个(三支)上下移动销单元34!、342、343通过后述的驱动装置94而驱动，由此能够分别经由贯穿孔84，在上端(也称为一端)向晶片保持区域WMS的上方突出的第I位置(上限移动位置)与上端不向晶片保持区域WMS的上方突出的第2位置(下限移动位置)之间上下移动。在本实施方式中，三个上下移动销单元3如、342、343各自的下限移动位置设定为与基部26上表面相同的位置或其下方的位置。如图3所示，三个上下移动销单元34^34^343分别固定在构成驱动装置94(对此将在后叙述)的一部分的主体单元96 (主体部92)的上表面。在本实施方式中，三个上下移动销单元34!、342、343各自的上端面位于相同高度的面上。
[0046]三个上下移动销单元34^34^343通过驱动装置94而驱动，由此沿上下方向(Z轴方向)同时且以相同量升降自如。在本实施方式中，由三个上下移动销单元3如、342、343和驱动装置94构成中央顶起单元80。对于中央顶起单元80的结构，将在后进一步详述。此外，三个上下移动销单元34^34^343不一定必须同时且以相同量升降，也可以是例如彼此独立地通过驱动装置94而升降的结构。
[0047]在后述的晶片装载、晶片卸载时，三个上下移动销单元3如、342、343由驱动装置94驱动，由此能够通过三个上下移动销单元34!、342、343从下方支承晶片W或在支承着晶片W的状态下使其上下移动。
[0048]返回到图2，在基部26的上表面，从基部26上表面的中心部附近沿着放射方向(具有大致120°的中心角间隔的三个半径方向)，以规定间隔形成有多个供排气口 36。这些供排气口 36也形成在不与针部32机械干涉的位置。供排气口 36分别经由形成于基部26内部的供排气路38A、38B、38C而与连接于基部26外周面的供排气支管40a、40b、40c成为连通状态。供排气支管40a、40b、40c构成后述的供排气机构70的一部分。
[0049]供排气路38A、38B、38C各自由在从基部26的外周面到基部26的中心部附近的范围内沿着半径方向形成的干路、和从该干路沿半径方向隔开规定间隔且分别向+Z方向分支的多个分支路构成。该情况下，多个分支路各自的上端的开口端成为前述的供排气口 36。
[0050]在晶片保持器WH上连接有供排气机构70，其包含将载置于晶片保持器WH上且被多个针部32及圆边部28从下方支承的晶片W相对于多个针部32及圆边部28各自的上端面(也称为上端部或一端部)吸附保持的真空吸附机构。
[0051]如图2所示，供排气机构70具备真空栗46A及供气装置46B、和将这些真空栗46A及供气装置46B与上述供排气路38A?38C分别连接的供排气管40。
[0052]供排气管40由供排气主管40d、从该供排气主管40d的一端分支成三支而成的前述的供排气支管40a、40b、40c、和从供排气主管40d的另一端分支成两支而成的排气支管40e及供气支管40f构成。
[0053]在排气支管40e的与供排气主管40d相反一侧的端部上连接有真空栗46A。另外，在供气支管40f的与供排气主管40d相反一侧的端部上连接有供气装置46B。
[0054]另外，在供排气主管40d的一部分上连接有用于计测供排气管40内部的气压的压力传感器98(在图2中未图示，参照图8)。该压力传感器98的计测值供给到主控制装置20，主控制装置20基于压力传感器98的计测值和晶片的装载、卸载的控制信息，来控制真空栗46A及供气装置46B的通/断(动作/非动作)。此外，也可以取代进行真空栗46A及供气装置46B的通/断的控制，而在排气支管40e、供气支管40g上分别经由电磁阀等未图示的阀来连接真空栗46A及供气装置46B，并进行这些阀的开闭控制。另外，也可以取代本实施方式的供排气机构70，而使用例如美国专利第6，710，857号说明书所公开那样的、具备通常时的真空排气用的第I真空栗、在晶片装载时使用的高速排气用的真空室及第2真空栗、以及供气装置的供排气机构。
[0055]在此，说明中央顶起单元80的结构等。如图3所示，中央顶起单元80具备多个、在本实施方式中为三个上下移动销单元3如?343、和将该三个上下移动销单元3如?343沿上下方向驱动的驱动装置94。
[0056]驱动装置94具有:供三个上下移动销单元3屯?343安装在其上表面的主体单元96;供主体单元96固定在其上端面的驱动轴93;和将该驱动轴93与主体单元96及三个上下移动销单元3屯?343—体地沿上下方向驱动的驱动机构95。此外，也适当地将三个上下移动销单元3屯?343中的安装在主体单元96上的部分称为“下端”或“另一端”。即，三个上下移动销单元3如?343的下端是与三个上下移动销单元3如?343的上端为相反侧的端部，包含安装在主体单元96上的部位。
[0057]主体单元96包含:与XY平面平行地配置且下表面固定在驱动轴93的上端面上的板状的台座部件91;和固定在台座部件91的上表面上的主体部92。驱动轴93的轴心位置与主体单元96的重心位置大致一致。因此，驱动轴93的轴心位置不一定必须与将三个上下移动销单元3如?343的设置点连结的三角形(在本实施方式中为正三角形)的重心位置一致，其中该将三个上下移动销单元3如?343的设置点连结的三角形的重心位置与晶片保持器WH(晶片保持区±或丽3)的中心一致。
[0058]驱动机构95作为驱动源而包含例如马达(例如音圈马达或线性马达)，通过该马达的驱动力将驱动轴93沿上下方向驱动。驱动机构95固定在载台主体52的底壁52a上。驱动机构95基于来自主控制装置20的控制信号，经由驱动轴93使主体单元96及三个上下移动销单元3如?343在规定的范围、即前述的下限移动位置与上限移动位置之间上下移动。此外，在驱动轴93的轴心不与将三个上下移动销单元34!?343的设置点连结的正三角形的重心位置一致的情况下，期望设置将主体单元96及三个上下移动销单元3屯?343准确地沿Z轴方向引导的引导部件。
[0059]如图4所示，构成主体单元96的一部分的主体部92是如下部件，具有:俯视(从上方(+Z方向)观察)时呈大致矩形的板状部92a;从板状部92a的-Y侧的面的X轴方向中央部向-Y侧突出的突出部92b;和从板状部92a的+Y侧的端部的X轴方向两端部分别向X轴方向的外侧突出的突出部92c、92d。在突出部92b、92c、92d各自的上表面上，独立地安装有上下移动销单元34^34^343。上下移动销单元34-343,作为一例配置在主体部92上的俯视时成为大致正三角形的各顶点的位置。
[0060]上下移动销单元34^34^343除安装部位以外，同样地安装且同样地构成。在此，以上下移动销单元3屯为代表，说明其结构及安装部的构造。
[0061 ]在突出部92b的上表面上，如图6(及图5)所示，形成有规定深度的圆形的开口 69!。在开口 6七的内部，如图6所示，以几乎无间隙的状态插入有上下移动销单元3如的下端，由此，上下移动销单元34ι固定在主体部92上。
[0062]如图5所示，上下移动销单元3如是将板簧单元661、挠性管67i及销头合而构成的。
[0063]如图5及图7所示，板簧单元66i包含沿Z轴方向以规定长度延伸的板簧71(也适当称为“位移部”)、与板簧71的下端部(也适当称为“另一端部”)连接的底部连接器72、及与板簧71的上端部连接的顶部连接器73。
[0064]板簧71是由弹簧钢等的金属薄板(薄的板状部件)构成的平板弹簧，沿高度方向(Z轴方向)具有规定的长度。如图6所示，板簧71为上端部及下端部的厚度比其余部分厚的厚壁部。板簧71的薄方向(在图5、图6中为Y轴方向)的刚度与厚方向(在图5中为Z轴方向及X轴方向)相比非常低。因此，板簧71会由于受到外力而在YZ面内自由变形(弯曲变形、挠曲变形)。如图6所示，在本实施方式中，作为位移部的板簧71配置在上下移动销单元3如中的上端(例如销头680与下端(例如底部连接器72)之间。
[0065]底部连接器72例如如图5所示，由在高度方向的中央部设有凸缘部74的带层差的圆筒状部件构成。底部连接器72如图7的(A)及图7的(B)所示，是将在上端部设有凸缘部74的第I圆筒部件72A和以没有间隙的状态将其下端部的一部分从上方插入到圆筒部件72A的内部的第2圆筒部件72B—体化而构成的。第2圆筒部件72B与第I圆筒部件72A相比壁厚较薄。在第2圆筒部件72A的内部，以将其内部空间两等分的状态，插入有板簧71的下端侧的厚壁部，而将两部件一体地连接。
[0066]板簧单元66!*，第2圆筒部件72B插入开口6七的内部，经由凸缘部74而由突出部92b从下方支承。即，凸缘部74作为板簧单元66工的防止落下部件而发挥功能。
[0067]顶部连接器73由与第2圆筒部件72B相同的圆筒部件构成，在顶部连接器73的内部，以将其内部空间两等分的状态，插入有板簧71的上端侧的厚壁部，而将两部件一体地连接。
[0068]挠性管67i由圆筒状的波纹部件(bellows)构成，在其内部插入有板簧单元态下，下端面与底部连接器72的凸缘部74的上表面连接。另外，由于挠性管67i由波纹部件构成，所以在Z轴方向上可多少伸缩并且弯曲自如。但是，在板簧了^的刚度高的X轴方向上，由于板簧了^而挠性管67工的变形被阻止。
[0069]如图5及图6所示，销头68i由在中央部形成有圆形的带层差的开口的、高度低的厚壁的圆筒状部件构成。形成于销头68:的带层差的开口中，下侧的内径(直径)比上侧的内径(直径)大，且其下侧的内径与顶部连接器73的外径大致相同。在板簧单元66:的顶部连接器73与销头68:的带层差的开口的层差部抵接的状态下，两部件被一体化，由此组装板簧单元661、销头68jP挠性管67i。在该组装状态下，挠性管上端面与销头68!的下表面仅隔着微小间隙相对。此外，销头68i的形状不限定于上述，例如开口也可以是矩形，该销头68!也可以是外形为棱柱状的部件。
[0070]其他上下移动销单元342、343与上述的上下移动销单元3如同样地构成，并分别安装在突出部92c、92d的上表面。但是，上下移动销单元342在构成其一部分的板簧71的面的法线方向(薄方向)与在XY平面内相对于Y轴成+60度的方向一致的状态下，安装在突出部92c上。另外，上下移动销单元343在构成其一部分的板簧71的面的法线方向(薄方向)与在XY平面内相对于Y轴成-60度的方向一致的状态下，安装在突出部92d上。即，在本实施方式中，以使上下移动销单元34^34^343单独具备的三个板簧71的面的法线在XY平面内相交于将上下移动销单元34!?343的设置点(XY平面上的3点)连结的正三角形的重心G (与外心及内心一致)的方式，设定三个板簧71的面的朝向(参照图4)。因此，上下移动销单元3如?343因外力的作用，而位于上端的销头68^68^683如图4所示在以上述的重心G(与晶片保持器WH的晶片保持区±或丽3的中心大致一致)为中心的外接圆的半径方向上移动，即在远离前述的晶片保持器WH的晶片保持区±或丽3的中心的方向或接近上述中心的方向上移动。另外，上下移动销单元3如?343各自的比下端的底部连接器72靠上方的部分，绕与上述半径方向及铅垂轴(Z轴)方向正交的方向的轴摆动(转动)。
[0071]在主体部92的内部，如图6中以突出部92b附近为代表所示那样，形成有与突出部92b、92c及92d各自的内部空间连通的流路(空间)60，流路60与安装于各个突出部的底部连接器72的第I圆筒部件72A的内部连通。
[0072]由上述的说明可知，当三个上下移动销单元3屯?343与主体部92连接时，形成从主体部92内的流路60连通至销头68!?683的带层差的开口的流路。在流路60上，经由未图示的配管系统连接有真空栗46C(参照图8)。在由三个上下移动销单元3屯?343从下方支承晶片W的状态下，通过主控制装置20利用真空栗46C将流路60内部设定成负压，由此晶片W被从背面(下表面)侧吸附保持在三个上下移动销单元3屯?343的上端(销头esi'esd。
[0073]返回到图1，通过激光干涉仪系统(以下，简记为“干涉仪系统”)18，经由移动镜16以例如0.25nm程度的分辨能力持续检测晶片载台WST的在XY平面内的位置信息(包含旋转信息(73￥；^量(02方向的旋转量02)、口；^11；[]^量(01方向的旋转量01)、1'011；[1^量(07方向的旋转量9y)))。在此，在晶片载台WST上，实际上如图2所示，固定有具有与Y轴正交的反射面的Y移动镜16Y和具有与X轴正交的反射面的X移动镜16X。并且，与此对应地，包含向Y移动镜16Y及X移动镜16X分别照射测距光束的Y干涉仪及X干涉仪而构成干涉仪系统18，但在图1中，作为其代表而图示为移动镜16、干涉仪系统18。
[0074]干涉仪系统18的计测信息供给到主控制装置20(参照图8)。主控制装置20基于干涉仪系统18的计测信息，经由载台驱动系统24来控制晶片载台WST的在XY平面内的位置(包含θζ方向的旋转)。此外，也可以取代干涉仪系统18而使用例如在晶片载台上搭载有标尺(绕射光栅)或读头的编码器系统来检测晶片载台WST的在XY平面内的位置。
[0075]另外，虽然在图1中省略了图示，但保持于晶片保持器WH的晶片W的表面的在Z轴方向上的位置及倾斜量通过例如美国专利第5，448，332号说明书等所公开的由斜入射方式的多点焦点位置检测系统构成的对焦传感器AF(参照图8)来计测。该对焦传感器AF的计测信息也供给到主控制装置20(参照图8)。
[0076]另外，在晶片载台WST上固定有其表面与晶片W的表面为相同高度的基准板FP(参照图1及图2)。在该基准板FP的表面形成有包含由后述的标线片对准检测系统检测的一对第I标记、及在后述的对准检测系统AS的基准线计测等中使用的第2标记在内的多个基准标记。
[0077]而且，在投影单元PU的镜筒45的侧面，设有对形成于晶片W的对准标记及基准标记进行检测的对准检测系统AS。作为对准检测系统AS，作为一例使用图像处理方式的成像式对准传感器之一的FIA(Field Image Alignment)系统，以卤素灯等的宽频(宽频带)光对标记进行照明，并对该标记图像进行图像处理，由此来计测标记位置。
[0078]在曝光装置100中，进一步地，在标线片载台RST的上方还设有例如美国专利第5，646，413号说明书等所公开的由使用曝光波长的光的17!?(11^01^11 The Reticle)对准系统构成的一对标线片对准检测系统13(在图1中未图示，参照图8)。标线片对准检测系统13的检测信号供给到主控制装置20(参照图8)。
[0079]在图8中示出了以曝光装置100的控制系统为中心构成且表示统括控制各构成部分的主控制装置20的输入输出关系的框图。主控制装置20包含工作站(或微型计算机)等，统括控制曝光装置100的各构成部分。
[0080]接下来，以晶片更换动作(晶片的装载及卸载动作)为中心来说明由上述那样构成的曝光装置100进行的一系列的动作。
[0081]例如在处理一批晶片的最前晶片时，首先，将标线片R装载到标线片载台RST上，通过主控制装置20并利用一对标线片对准检测系统13、基准板FP上的一对第I标记及第2标记、以及对准检测系统AS，根据例如美国专利第5，646，413号说明书等所公开的步骤来进行标线片对准及对准检测系统AS的基准线计测。
[0082]接着，在晶片更换位置(未图示)，将通过与曝光装置100例如串联(inline)连接的涂敷显影装置(未图示)而涂敷有感应材料(抗蚀剂)的晶片W装载到晶片载台WST的晶片保持器WH上。该晶片W的装载以以下步骤进行。此外，在以下的说明中，对于基于装载臂、卸载臂等对晶片的吸附及吸附解除，省略其说明。
[0083]首先，如图9的(A)中的白色箭头所示，通过构成晶片搬送系统的一部分的装载臂97A将晶片W搬送到晶片保持器WH上方。接着，通过主控制装置20，如图9的(B)中的黑色箭头所示，经由驱动装置94将上下移动销单元34^34^343朝向前述的上限移动位置沿+Z方向驱动。在其移动中途，被支承于装载臂97A的晶片W由上下移动销单元34^34^343从下方支承，进一步地上下移动销单元34^34^343被上升驱动，由此，晶片W由上下移动销单元3屯、342、343从下方支承，并被从装载臂97A交付到上下移动销单元34!、342、343。在该交付之前，真空栗46C通过主控制装置20而进行动作，使晶片W的背面由三个上下移动销单元34!、342、343(销头68^68^683)吸附保持。此时，在晶片W上出现上凸或下凸的翘曲等变形的情况下，晶片W在存在该变形的状态下被吸附保持于三个上下移动销单元34-34%
[0084]接着，如图9的(B)中的白色箭头所示，装载臂97A从晶片保持器WH的上方退避。在该装载臂97A的退避后，通过主控制装置20，如图10的(A)中的黑色箭头所示，经由驱动装置94将上下移动销单元3屯、342、343朝向前述的下限移动位置的附近沿-Z方向驱动。由此，如图1O的(B)所示，晶片W的背面与晶片保持器WH的晶片保持区域WMS抵接，晶片W载置于晶片保持器WH上。此时，通过主控制装置20，前述的真空栗46A进行动作，晶片W被真空吸附于晶片保持器WH。在该情况下，在晶片W上出现前述的上凸或下凸的翘曲等变形时，晶片W会因晶片保持器WH的吸引力而进行平坦化矫正。通过该晶片W的平坦化矫正的处理，要将晶片W恢复到无翘曲的平坦的平面形状。此时，会从晶片W对吸附着晶片W背面的三个上下移动销单元34!?343的销头68!?683主要施加以晶片W的中心为中心的半径方向上的力。例如，如图4所示，在配置于-Y侧的上下移动销单元3屯的销头68:(晶片吸附部)上作用有Y轴方向(±￥方向)上的力(参照图4中的箭头A)及/或ΘΧ方向上的力(参照图4中的箭头B)，由此，上下移动销单元3屯的板簧71以-Z端为支点弯曲(挠曲)，或产生例如从+X方向观察时挠曲成S字状等的变形。挠性管67工与该板簧71的变形相应地发生变形。由于板簧71的前者的弯曲变形而销头68!向01方向移动，由于后者的S字状的挠曲变形而销头68!向￥轴方向移动。此时，挠性管
于其一部分位于晶片保持器WH及晶片台WTB的贯穿孔84内，所以会有其外周面与贯穿孔84的内壁面接触的情况。然而，由于在贯穿孔84与上下移动销单元3屯之间存在规定的间隙且挠性管67工自由变形，所以不会因上述的挠性管67工与贯穿孔84的内壁面的接触而阻碍板簧71的变形。
[0085]其他上下移动销单元342、343的销头682、683也同样地，在晶片W(晶片保持器WH)的半径方向或倾斜(tilt)方向上移动。在上下移动销单元342、343中，也不会因挠性管672、673各自与贯穿孔84的内壁面的接触而阻碍板簧71的变形。因此，在中央顶起单元80中，晶片W的平坦化动作不会被基于三个上下移动销单元3如?343得到的吸附保持力所阻碍。由此，能够避免在保持于晶片保持器WH的晶片W上因三个上下移动销单元3如?343的吸附保持而产生变形。
[0086]在晶片W的装载后，通过主控制装置20并利用对准检测系统AS，执行对晶片W上的多个对准标记进行检测的对准计测(例如EGA)。由此，求出晶片W上的多个照射区域的排列坐标。此外，对准计测(EGA)的详情在例如美国专利第4，780，617号说明书等中有所公开。
[0087]接着，通过主控制装置20，基于对准计测的结果，进行步进扫描方式的曝光动作，即重复使晶片W移动到晶片W上的多个照射区域的用于曝光的加速开始位置的照射间步进动作、和前述的扫描曝光动作，从而在晶片W上的全部照射区域中依次转印标线片R的图案。此外，步进扫描方式的曝光动作与以往并无不同，因此省略详细说明。
[0088]当曝光结束时，将曝光完毕的晶片W以以下步骤从晶片载台WST的晶片保持器WH卸载。
[0089]S卩，首先，将晶片载台WST移动到规定的晶片更换位置，通过主控制装置20，停止真空栗46A的动作并且开始供气装置46B的动作，从供气装置46B经由供排气口 36向晶片W的背面侧喷出加压空气。由此，晶片W从晶片保持器WH的晶片保持区域丽S浮起。接着，通过主控制装置20，经由驱动装置94将上下移动销单元3屯、342、343朝向前述的移动上限位置沿+Z方向驱动。在该上下移动销单元34^34^343的上升的中途，晶片W由上下移动销单元3屯、342、343从下方支承，并抬升到上限移动位置。此外，在上下移动销单元3屯、342、343上升时，上下移动销单元34^34^343也能够分别吸附保持晶片W的背面。
[0090]接着，构成搬送系统的一部分的卸载臂(未图示)插入到由上下移动销单元3和、342、343支承的晶片W的下方。接着，通过主控制装置20将上下移动销单元34!、342、343下降驱动(沿-Z方向驱动)至规定的待机位置(上限移动位置与下限移动位置之间的规定位置)。在该上下移动销单元3如、342、343的下降的中途，将晶片W从上下移动销单元34^34^343交付到卸载臂。此外，在上下移动销单元3屯、342、343分别吸附保持着晶片W的背面的情况下，在刚要交付之前解除该吸附。然后，卸载臂保持着晶片W并退避。然后，重复进行上述的晶片W的装载以后的动作，对批内的多个晶片依次进行处理。在一批晶片的处理结束后，对下批晶片重复进行相同的处理。
[0091]如以上说明那样，根据本实施方式的曝光装置100所具备的晶片载台WST，被三个上下移动销单元34!、342、343的销头68!、682、683吸附背面的晶片W在载置到晶片保持器WH的晶片保持区域WMS(晶片载置面)时，被从晶片保持器WH吸附而变形(平坦化)。此时，为了避免阻碍该晶片W的变形，上下移动销单元3如、342、343受到来自晶片W的力(本实施方式中说明的外力的一例)，各自所具有的板簧71至少向一个方向(薄方向)位移，由此，分别包含销头68!、682、683的至少一部分向前述的各两个方向(参照图4的箭头)中的至少一个方向位移。由此，抑制因三个上下移动销单元34!、342、343的吸附而导致的晶片W的面内的变形的产生。因此，即使晶片W是直径为450毫米等的大型晶片，也能够通过三个上下移动销134从下方稳定地支承晶片W，并且几乎不产生变形地将该晶片W装载到晶片保持器WH上。
[0092]另外，根据本实施方式的曝光装置100，对几乎不产生变形地装载在晶片保持器WH上的晶片W以步进扫描方式进行曝光。因此，能够将标线片R的图案相对于既已形成的图案高精度地重合后转印到晶片W上的各照射区域。
[0093]此外，上述实施方式的晶片载台WST所具备的中央顶起单元80能够如以下说明的第1、第2变形例那样进行各种变形。以下，以中央顶起单元为中心，说明变形例的晶片载台。
[0094]《第I变形例》
[0095]在图11的(A)中，以立体图示出了除了驱动轴93及驱动机构95以外的第I变形例的晶片载台所具备的中央顶起单元180，在图11的(B)中，示出了图11的(A)所示的中央顶起单元180的俯视图。
[0096]中央顶起单元180取代前述的实施方式的上下移动销单元34ι?343及主体单元96而具有三个上下移动销134及主体单元196。
[0097]主体单元196在俯视观察(从上方(+Z方向)观察)时具有将正三角形的各顶点附近沿着与对应于各顶点的底边平行的线切除而成的六边形的形状，即具有短边和长边交替地连接而成的六边形的形状。主体单元196包含:具有分别构成上述六边形的短边的三个端面的俯视观察时呈Y字状的基底部件191;将基底部件191的端面彼此连结且分别构成上述六边形的长边的三个板簧171。基底部件191由具有120度中心角间隔的三个棒状部的Y字状的部件构成，在六个自由度方向上具有充分的刚度。另一方面，板簧171以将基底部件191的三个棒状部前端彼此连结的方式配置，仅俯视观察下与连结方向正交的方向上的刚度比其他方向低(例如，配置在-Y侧的板簧171的Y轴方向上的刚度低)。
[0098]三个上下移动销134各自分别固定在三个板簧171的中央部。三个上下移动销134分别由在六个自由度方向上具有充分的刚度的圆筒部件构成。另外，在三个上下移动销134各自上经由未图示的配管而连接有未图示的真空栗等真空装置。在通过三个上下移动销134从下方支承晶片W的状态下，经由未图示的真空装置(例如真空栗)使三个上下移动销134内部的空间成为负压，由此将晶片W吸附保持在三个上下移动销134上。在该吸附保持状态下，对晶片W实施平坦化矫正等，当从晶片W对三个上下移动销134作用有以晶片W的中心为中心的半径方向上的力时，三个上下移动销134各自向该力的方向移动(参照图11的(A)的双向箭头)。
[0099]根据取代中央顶起单元80而具有本第I变形例的中央顶起单元180的晶片载台WST，也能够到与上述实施方式的曝光装置100同等的效果。即，即使在晶片W的尺寸变大的情况下，也能够通过中央顶起单元180的三个上下移动销134从下方稳定地支承晶片W，并且能够抑制或避免伴随着基于晶片W的上下移动销134实现的吸附保持而产生变形，进而能够抑制或避免向晶片保持器装载后的晶片W的变形的产生。
[0100]此外，在上述实施方式及第I变形例中，中央顶起单元具有三个上下移动部件(上下移动销单元或上下移动销)。但是，中央顶起单元也可以具有两个或四个以上的上下移动部件，例如可以如接下来的第2变形例那样具有六个上下移动部件。
[0101]《第2变形例》
[0102]在图12中示出了第2变形例的晶片载台所具备的中央顶起单元280的俯视图。中央顶起单元280具备固定在驱动轴93的上表面(+Z侧的面)上的主体单元296。主体单元296构成为包含由俯视观察时呈正六边形状的板部件构成的台座部件291、和由固定在台座部件291的上表面上的俯视观察时呈正六边形状的框部件构成的主体部292。主体单元296虽然与前述的主体单元96的形状不同，但具有与前述的主体单元96相同的功能。
[0103]在主体部292上表面，在正六边形的各顶点的位置，安装有六个(六支)上下移动销单元2341、234a、2342、234b、2343、234c。
[0104]六个上下移动销单元中的、包含在图12中位于-Y侧的端部的上下移动销单元23如在内的设置于正三角形的各顶点位置的三个上下移动销单元234^234^2343,与前述的实施方式的上下移动销单元34ι等同样地构成，并同样地安装在主体部292的上表面上。
[0105]其余的三个上下移动销单元234a、234b、234c配置在另一正三角形的各顶点的位置，在这些上下移动销单元234a、234b、234c中，分别采用仅Z轴方向的刚度高、其他方向的刚度低的构造。例如，取代前述的板簧71，采用杆状的弹簧部件，与前述的上下移动销单元34a等同样地，构成上下移动销单元234a、234b、234c。由此，实现了仅Z轴方向的刚度高、其他方向的刚度低的三个上下移动销单元234a、234b、234c。
[0106]三个上下移动销单元234!、2342、2343的包含销头(吸附部)的至少一部分因吸附时的来自晶片的力的作用而分别向前述的正六边形的外接圆的半径方向位移，其余的三个上下移动销单元234a、234b、234c的包含销头(吸附部)的至少一部分在上述外接圆的半径方向及切线方向上位移。
[0107]根据取代中央顶起单元80而具有本第2变形例的中央顶起单元280的晶片载台WST，也能够得到与上述实施方式同等的效果。即，即使在晶片W的尺寸变大的情况下，也能够通过中央顶起单元280的六个上下移动销单元从下方稳定地支承晶片W，并且，能够抑制或避免伴随着基于晶片W的上下移动销单元实现的吸附保持而产生变形，进而能够抑制或避免向晶片保持器装载后的晶片W的变形的产生。该情况下，由于在六个点处支承晶片W，所以300mm的晶片当然没问题，即使是更大型的450mm的晶片等也能够稳定地支承。
[0108]此外，在上述实施方式及第I变形例中，将三个上下移动部件全部设为相同构造(包含形状)，但只要能够从下方动态(kinetic)地支承晶片W，则可以使至少一个上下移动销单元的构造与其他上下移动销单元不同。例如，可以采用与作为典型的动态支承构造的所谓开尔文夹钳(Ke IV in clamp)相同的原理来支承晶片的三个上下移动销单元的组。在此，动态是指，支承构造具有的自由度(可自由运动的轴的数量)与物理性约束条件的数量合计为6个的情况。该条件与承担物理性约束是独立的(无冗余度)的情况相同。
[0109]作为上述的三个上下移动销单元的组的一例，列举出如下三个上下移动销单元的组，如图13所示，第I上下移动销单元334a包含在上端部设有吸附部68(上述实施方式的销头等)、且下端部固定在能够上下移动的基底部件396(上述实施方式的主体单元等)上的沿上下方向延伸的棒状弹簧部件371a;第2上下移动销单元334b包含在上端部设有吸附部68、且下端部固定在基底部件396上的板簧部件371b;第3上下移动销单元334c包含在上端经由球接头设有吸附部68、且下端固定在基底部件396上的棒状部件37 Ic。在此，板簧部件37 Ib的面的法线方向(薄方向)与Y轴平行，将棒状部件371c和板簧部件371b相连的方向与Y轴平行。此外，在本例中，作为位移部的棒状弹簧部件371a、作为位移部的板簧部件371b、及棒状部件371c各自的下端部担负上下移动销单元334a、334b及334c各自的下端。
[0110]该情况下，在第I上下移动销单元334a中，吸附部68的仅Z轴方向上的移动被约束(允许其余五个自由度方向上的移动)，在第2上下移动销单元334b中，吸附部68的两轴方向(Z轴方向及Y轴方向)上的移动和绕Y轴的旋转(0y旋转)被约束(允许X轴方向上的移动和0y旋转及θζ旋转)，在第3上下移动销单元334c中，吸附部68的仅正交三轴方向(X、Y及Z轴方向)上的移动被约束(允许Qx、9y及θζ旋转)。但是，在上下移动销单元334a?334c中，在吸附保持着晶片的情况下，由于第3上下移动销单元334c的吸附部68，而晶片的正交三轴方向的位置被约束，由于第2上下移动销单元334b的吸附部68，而绕Y轴的旋转(0y旋转)和绕Z轴的旋转(θζ旋转)进一步被约束，由于第3上下移动销单元334c的吸附部68，而绕X轴的旋转(ΘΧ旋转)进一步被约束。
[0111]此外，在上述实施方式或变形例(以下，称为“上述实施方式等”)中，三个或六个上下移动销单元均至少在吸附保持着晶片的状态下，因来自晶片的力的作用而至少向一轴方向位移，但不限定于此。即，只要不阻碍晶片的自由变形，则也可以采用三个或六个上下移动销单元中的仅一部分的上下移动销单元因来自晶片的力的作用而位移的结构。
[0112]此外，在上述实施方式等中，说明了曝光装置是不经由液体(水)地进行晶片W的曝光的干式曝光装置的情况，但不限于此，例如，也能够将上述实施方式等适用于欧洲专利申请公开第I，420，298号说明书、国际公开第2004/055803号、美国专利第6，952，253号说明书等所公开那样地，在投影光学系统与晶片之间形成包含照明光的光路的液浸空间，经由投影光学系统及液浸空间的液体并以照明光对晶片进行曝光的曝光装置。
[0113]另外，在将晶片W装载于晶片保持器WH时，为了减少在晶片上产生的变形，能够在晶片保持器W的圆边部28及/或多个针部32的表面上涂覆低摩擦材料(例如，DLC(类金刚石链膜:Diamond-1 ike carbon)等)。
[0114]另外，在上述实施方式等中，说明了曝光装置是步进扫描方式等的扫描型曝光装置的情况，但不限于此，也可以是步进机等静止型曝光装置。另外，也能够将上述实施方式适用于将照射区域与照射区域合成的步进拼接(step and stitch)方式的缩小投影曝光装置、接近(proximity)方式的曝光装置、或镜面投影对准曝光器(mirror project1naligner)等。
[0115]另外，上述实施方式等也能够适用于双载台型的曝光装置。双载台型的曝光装置的构造及曝光动作在例如美国专利6，341，007号、美国专利6，400，441号、美国专利6，549，269号、美国专利6，590，634号、美国专利5，969，441号及美国专利6，208，407号等中有所公开。
[0116]另外，上述实施方式等的曝光装置中的投影光学系统不仅可以是缩小系统，也可以是等倍及放大系统中的任一个，投影光学系统PL不仅可以是折射系统，也可以是反射系统及反射折射系统中的任一个，其投影像也可以是倒立像及正立像中的任一个。另外，上述的照明区域及曝光区域的形状为矩形，但并不限于此，例如也可以为圆弧、梯形或平行四边形等。
[0117]此外，上述实施方式等的曝光装置的光源并不限于ArF准分子激光，也能够使用发出KrF准分子激光(输出波长248nm)、F2激光(输出波长157nm)、Ar2激光(输出波长126nm)、Kr2激光(输出波长146nm)等的脉冲激光光源、发出g线(波长436nm)、i线(波长365nm)等亮线的超高压水银灯等。另外，也能够使用YAG激光的高次谐波产生装置等。此外，例如美国专利第7，023，610号说明书所公开那样，作为真空紫外光可以使用高次谐波，该高次谐波如下地产生:将从DFB半导体激光器或者光纤激光器振荡得到的红外区或可见区的单一波长激光，利用例如掺杂有铒(或者铒与镱两者)的光纤放大器进行放大，并使用非线性光学晶体将其波长变换为紫外光，而得到高次谐波。
[0118]另外，在上述实施方式等中，作为曝光装置的照明光IL并不限于波长10nm以上的光，当然也可以使用波长不足10nm的光。例如，能够将上述实施方式等适用于使用软X射线区域(例如5?15nm的波长域)的EUV(Extreme Ultrav1let)光的EUV曝光装置。此外，也能够将上述实施方式适用于使用电子束或离子束等带电粒子束的曝光装置。
[0119]而且，也能够将上述实施方式等适用于例如美国专利第6，611，316号说明书所公开的那样经由投影光学系统在晶片上合成两个标线片图案并通过一次扫描曝光来对晶片上的一个照射区域大致同时地进行双重曝光的曝光装置。
[0120]此外，在上述实施方式等中，要形成图案的物体(照射能量束的曝光对象的物体)并不限于晶片，也可以是玻璃板、陶瓷基板、薄膜部件、或光罩基板(mask blanks)等其他物体。
[0121]作为曝光装置的用途并不限定于半导体制造用的曝光装置，例如，也能够广泛地适用于在方形的玻璃板上转印液晶显示元件图案的液晶用的曝光装置、用于制造有机EL、薄膜磁头、摄像元件(CCD等)、微型机械及DNA芯片等的曝光装置。另外，不仅是半导体元件等微型器件，还能够将上述实施方式等适用于为了制造在光曝光装置、EUV曝光装置、X射线曝光装置、及电子束曝光装置等中使用的标线片或光罩(mask)而在玻璃基板或硅晶片等上转印电路图案的曝光装置。
[0122]半导体元件等电子器件是经过以下步骤而制造出的:进行器件的功能/性能设计的步骤;基于该设计步骤制作标线片的步骤;从硅材料制作晶片的步骤;通过上述实施方式等的曝光装置(图案形成装置)及其曝光方法将光罩(标线片)的图案转印到晶片上的光刻步骤;对曝光后的晶片进行显影的显影步骤;通过蚀刻将抗蚀剂残留的部分以外的部分的露出部件去除的蚀刻步骤;将蚀刻结束而不再需要的抗蚀剂除去的抗蚀剂去除步骤;器件组装步骤(包含切割工序、接合工序、封装工序)、检查步骤等。在该情况下，在光刻步骤中，由于使用上述实施方式等的曝光装置来执行上述的曝光方法，而在晶片上形成器件图案，所以能够生产性良好地制造高集成度的器件。
[0123]此外，将与在目前说明中引用的曝光装置等有关的所有公报、国际公开、欧洲专利申请公开说明书、美国专利申请公开说明书及美国专利说明书的公开引用为本说明书的记载的一部分。
[0124]附图标记说明
[0125]34^34:^343."上下移动销单元，68...吸附部，67^673."烧性管，68^683."销头，96...主体单元，71...板簧，100…曝光装置，371a...棒状弹簧部件，371b...板簧部件，371c...棒状部件，IL...照明光，1P…照明系统，PL…投影光学系统，PU...投影单元，W…晶片，WST…晶片载台，WMS...晶片保持区域，WH...晶片保持器。
【主权项】
1.一种基板保持装置，用于保持基板，其特征在于，具备: 基板保持部，其吸附保持所述基板;和 多个移动部件，其在一端具有吸附所述基板的背面的吸附部，能够在通过该吸附部吸附着所述基板的背面的状态下相对于所述基板保持部移动， 所述多个移动部件中的至少一个移动部件的、包含所述吸附部的至少一部分因从吸附的所述基板受到的力的作用而向至少一个方向位移。2.一种基板保持装置，用于保持基板，其特征在于，具备: 基板保持部，其吸附保持所述基板;和 多个移动部件，其具有包含吸附所述基板的背面的吸附部的一端和与所述一端为相反侧的另一端，能够在该一端吸附着所述基板的背面的状态下分别相对于所述基板保持部移动， 所述多个移动部件中的至少一个移动部件，具备配置在所述一端与所述另一端之间且因从所述基板受到的力的作用而向至少一个方向位移的位移部。3.如权利要求1或2所述的基板保持装置，其特征在于， 所述移动部件至少设有三个。4.如权利要求3所述的基板保持装置，其特征在于， 至少三个所述移动部件各自的包含所述吸附部的至少一部分因所述力的作用而位移，所述至少一个移动部件的所述至少一部分向与其他移动部件的所述至少一部分不同的方向位移。5.如权利要求4所述的基板保持装置，其特征在于， 所述多个移动部件各自的包含所述吸附部的至少一部分因所述力的作用而向相互不同的方向位移。6.如权利要求1?5中任一项所述的基板保持装置，其特征在于， 所述各移动部件在所述基板保持部的基板保持区域内配置在正多边形的顶点的位置。7.如权利要求6所述的基板保持装置，其特征在于， 所述各移动部件的包含所述吸附部的至少一部分因所述力的作用而分别向所述正多边形的外接圆的半径方向位移。8.如权利要求7所述的基板保持装置，其特征在于， 所述移动部件设有三个。9.如权利要求7所述的基板保持装置，其特征在于， 所述移动部件设有六个， 六个所述移动部件中的彼此不相邻的三个移动部件的、包含所述吸附部的至少一部分，因所述力的作用而分别向所述外接圆的半径方向位移，其余的三个移动部件的包含所述吸附部的至少一部分向所述外接圆的半径方向及切线方向位移。10.如权利要求1?9中任一项所述的基板保持装置，其特征在于， 包含所述吸附部的至少一部分因所述力的作用而位移的所述移动部件中，进一步地，所述一部分因所述力的作用而绕与所述位移的方向的轴正交的轴转动。11.如权利要求1?10中任一项所述的基板保持装置，其特征在于， 所述多个移动部件各自的包含所述吸附部的至少一部分受到所述力的作用而位移， 包含所述吸附部的至少一部分各自位移的方向，是远离所述基板保持部的基板保持区域的中心的方向或接近所述中心的方向。12.如权利要求1?11中任一项所述的基板保持装置，其特征在于， 还具有供所述多个移动部件各自的另一端固定、且与所述多个移动部件一体地移动的基底部件， 包含所述吸附部的至少一部分因所述力的作用而位移的所述移动部件包含:所述吸附部、在一端部设置该吸附部且另一端部固定于所述基底部件的弹簧部件、和在该弹簧部件的整个长度方向范围内包围该弹簧部件的周围且弯曲自如的环状部件。13.如权利要求8所述的基板保持装置，其特征在于， 还具有供所述三个移动部件各自的另一端固定、且与所述三个移动部件一体地移动的基底部件， 所述三个移动部件分别包含:(i)在一端部设置所述吸附部且另一端部固定于所述基底部件的棒状弹簧部件；(ii)在一端部设置所述吸附部且另一端部固定于所述基底部件的板簧部件；以及(iii)在一端部设置能够位移的所述吸附部且另一端部固定于所述基底部件的棒状部件。14.如权利要求1?13中任一项所述的基板保持装置，其特征在于， 包含吸附着所述基板的吸附部的至少一部分，以不妨碍将所述基板载置于所述基板保持部的基板保持区域时产生的所述基板的变形的方式向所述至少一个方向位移。15.一种曝光装置，通过能量束对基板进行曝光，其特征在于，具备: 将所述基板保持于所述基板保持部的权利要求1?14中任一项所述的基板保持装置；和 通过所述能量束对所述基板进行曝光而在所述基板上生成图案的图案生成装置。16.—种器件制造方法，包含: 使用权利要求15所述的曝光装置对基板进行曝光;和 对曝光后的所述基板进行显影。
【文档编号】H01L21/683GK105830208SQ201480070325
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2014年10月29日
【发明人】柴崎祐, 柴崎祐一
【申请人】株式会社尼康