薄膜晶体管和包括其的显示装置的制造方法
【专利摘要】本发明涉及薄膜晶体管和包括其的显示装置。提供了能够显示具有均匀亮度的图像的薄膜晶体管(TFT)和包括该薄膜晶体管的显示装置，该TFT包括：栅电极；栅极绝缘层，布置在栅电极上；半导体层，布置在栅极绝缘层上；源电极和漏电极，布置在半导体层上同时彼此间隔开；以及保护层，布置在源电极和漏电极上并且具有接触孔，漏电极的一部分通过接触孔暴露，其中，漏电极包括与栅电极的一部分重叠的第一漏电极、从第一漏电极延伸并且具有通过接触孔暴露的部分的第二漏电极、以及从第一漏电极分支为与第二漏电极间隔开的第三漏电极。
【专利说明】薄膜晶体管和包括其的显示装置
[0001 ]优先权声明
[0002]本申请要求于2015年I月22日提交到韩国知识产权局(ΚΙΡ0)的韩国专利申请N0.10-2015-0010694的优先权和所有权益，将其公开内容通过引用全部结合于本文中。
技术领域
[0003]本发明的实施方式的方面涉及薄膜晶体管(TFT)和包括其的显示装置，并且更具体地，涉及能够显示具有均匀亮度的图像的TFT和包括该TFT的显示装置。
【背景技术】
[0004]液晶显示(IXD)装置是最近被广泛认可的一类平板显示(FPD)装置。这种LCD装置包括两个基板(其具有形成在其上的电极)以及插入在其间的液晶层。当电压被施加至电极时，液晶层的液晶分子重新排布，从而调整在显示装置中的透射光的量。
[0005]应当理解，该技术背景部分旨在提供用于理解本文中公开的技术等的有用背景，因此，技术背景部分可包括在本文所公开的主题的相应实际申请日期之前不是相关领域的技术人员已知或理解的一部分的构思、概念以及认知。
【发明内容】
[0006]本发明的实施方式的方面涉及能够显示具有均匀亮度的图像的薄膜晶体管(TFT)和包括该薄膜晶体管的显示装置。
[0007]根据本发明的示例性实施方式，TFT包括:栅电极;栅极绝缘层，布置在栅电极上；半导体层，布置在栅极绝缘层上;源电极和漏电极，布置在半导体层上同时彼此间隔开；以及保护层，布置在源电极和漏电极上并且具有接触孔(漏电极的一部分通过其暴露)，其中，漏电极包括与栅电极的一部分重叠的第一漏电极、从第一漏电极延伸并且具有通过接触孔暴露的部分的第二漏电极、以及从第一漏电极分支为与第二漏电极间隔开的第三漏电极。
[0008]第二漏电极可具有圆形形状或多边形形状。
[0009]第三漏电极可环绕第二漏电极的外周。
[0010]第三漏电极可具有圆环形状或多边环形状。
[0011]第三漏电极可具有在约I.5微米(μπι)至约3.Ομπι的范围内的宽度。
[0012]第三漏电极可被布置为与第二漏电极的外周间隔开在约3.Ομπι至约6.Ομπι的范围内的间隔。
[0013]第三漏电极可被布置为与第二漏电极邻近栅电极的程度相比更邻近栅电极。
[0014]TFT可进一步包括欧姆接触层，该欧姆接触层布置在半导体层和源电极之间以及半导体层和漏电极之间。
[0015]根据本发明的示例性实施方式，一种显示装置包括:第一基板;栅极线，布置在第一基板上;数据线，布置为与栅极线交叉;TFT，连接至栅极线和数据线；以及像素电极，连接至TFT，其中，TFT包括从栅极线分支出的栅电极、从数据线分支出的源电极以及连接至像素电极的漏电极，并且漏电极包括与栅电极的一部分重叠的第一漏电极、从第一漏电极延伸并且连接至像素电极的第二漏电极、以及从第一漏电极分支为与第二漏电极间隔开的第三漏电极。
[0016]第二漏电极可具有圆形形状或多边形形状。
[0017]第三漏电极可被布置为环绕第二漏电极的外周。
[0018]第三漏电极可具有圆环形状或多边环形状。
[0019]第三漏电极可具有在约1.5μπι至约3.Ομπι的范围内的宽度。
[0020]第三漏电极可被布置为与第二漏电极的外周间隔开在约3.Ομπι至约6.Ομπι的范围内的间隔。
[0021]第三漏电极可被布置为与第二漏电极邻近栅电极的程度相比更邻近栅电极。
[0022]像素电极可包括水平主干电极、垂直主干电极以及从水平主干电极和垂直主干电极延伸的多个分支电极。
[0023]分支电极可包括:第一分支电极，沿左上方向从水平主干电极和垂直主干电极延伸；第二分支电极，沿右上方向从水平主干电极和垂直主干电极延伸；第三分支电极，沿左下方向从水平主干电极和垂直主干电极延伸；以及第四分支电极，沿右下方向从水平主干电极和垂直主干电极延伸。
[0024]显示装置可进一步包括布置在TFT和像素电极之间的滤色器。
[0025]显示装置可进一步包括:第二基板，布置为与第一基板相对;公共电极，布置在第二基板上；以及液晶层，插入在第一基板和第二基板之间。
[0026]显示装置可进一步包括布置在第一基板或第二基板上的取向层，其中，取向层或液晶层包括具有指向的聚合物材料。
[0027]上述内容仅是说明性的，并不旨在以任何方式进行限制。除上述示例性方面、实施方式和特征之外，进一步的方面、实施方式和特征通过参考附图和以下详细说明将变得显而易见。
【附图说明】
[0028]当结合附图考虑时，通过参考以下详细说明，随着本发明变得更好理解，本发明的更完整的理解及其许多附带优点将显而易见，在附图中，相似的参考符号表示相同或者相似的部件，其中，
[0029]图1是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的框图；
[0030]图2是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的平面图；
[0031]图3是沿图2的线Ι-Γ截取的截面图；
[0032]图4是示出图2的部分“Α”的放大图；
[0033]图5是示出图2的像素电极的视图；
[0034]图6是示出根据本发明的另一示例性实施方式的显示装置的平面图；
[0035]图7是示出图6的部分“B”的放大图；
[0036]图8是示出根据本发明的又一示例性实施方式的显示装置的平面图；并且
[0037]图9是示出图8的部分“C"的放大图。
【具体实施方式】
[0038]通过以下参考附图详细描述的实施方式，本发明的优点和特征以及实现它们的方法将变得清楚。然而，本发明可体现为多种不同的形式并且不应被解释为限于在此阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将是透彻的和完整的并且将向本领域的技术人员充分传达本发明的范围。本发明仅由权利要求的范围限定。因此，在实施方式中未详细描述熟知的组成元件、操作和技术以防止本发明晦涩难懂。贯穿本说明书，相似的参考标号指代相似的元件。
[0039]在本文中，为了便于描述可使用空间相对术语“下方”、“下面”、“下部”、“上方”、“上部”等来描述如在图中示出的一个元件或部件与另一个元件或部件之间的关系。将理解的是，空间相对术语旨在包括除图中描绘的方位之外的在使用或者操作中的装置的不同方位。例如，在图中示出的装置被翻转的情况下，定位在另一个装置“下方”或“下面”的装置可放置在另一个装置“上方”。因此，说明性术语“下方”可包括下部和上部位置两者。装置也可沿另一个方向定位，并且因此空间相对术语可根据方位不同地解释。
[0040]本文中使用的全部术语仅用于描述本发明构思的实施方式并且可根据
【申请人】的意图和相关领域而改变。因此，本文中使用的术语应当解释为具有与它们在本公开的背景下的含义一致的含义，并且不旨在限制本发明。除非上下文另外明确指出，否则如本文中使用的单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式。将进一步理解，当在本说明书中使用术语“包括(comp rise)”、“包括(comp rising)” “包含(include)” 和 /或“包含(including)”时，规定指定特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
[0041]除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的技术人员通常理解的相同含义。将进一步理解，术语(诸如在通常使用的词典中定义的那些)应被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义一致的含义，并且将不以理想化或者过于刻板的意义来解释，除非在本说明书明确定义。
[0042]图1是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的框图。
[0043]参考图1，根据示例性实施方式的显示装置可包括:显示面板10，具有多个像素PX;控制单元20，处理外部接收的图像信号DATA和控制信号CS以将处理的信号输出为各种信号;栅极驱动器30，将栅极信号分别提供至栅极线GLl至GLn;以及数据驱动器40，将数据电压分别提供至数据线DLl至DLm。
[0044]显示面板10可包括沿行方向传输栅极信号的多个栅极线GLl至GLn、沿列方向传输数据电压的多个数据线DLl至DLm、以及在栅极线和数据线彼此交叉的区域中排布成矩阵形式的多个像素PX。
[0045]显示面板10可包括第一基板、布置为与第一基板相对的第二基板以及插入在第一基板和第二基板之间的液晶层。
[0046]控制单元20可基于外部接收的图像信号DATA将校正的图像信号DATA’输出至数据驱动器40。此外，控制单元20可基于外部接收的控制信号CS将栅极控制信号GCS提供至栅极驱动器30并且可将数据控制信号DCS提供至数据驱动器40。例如，控制信号CS可以是时序信号，诸如垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、时钟信号CLK、以及数据使能信号DE，并且图像信号DATA可以是表示从像素PX输出的光的灰度级的数字信号。
[0047]栅极驱动器30可从控制单元20接收提供至其的栅极控制信号GCS以生成栅极信号，并且可将栅极信号提供至分别连接至多个栅极线GLl至GLn的像素PX。随着栅极信号顺序地施加至像素PX，数据电压可顺序地提供至像素PX。
[0048]数据驱动器40可从控制单元20接收数据控制信号DCS和校正的图像信号DATA’，并且可响应于数据控制信号DCS将对应于校正的图像信号DATA’的数据电压提供至分别连接至多个数据线DLl至DLm的像素PX。
[0049]图2是示出根据本发明的示例性实施方式的显示装置的平面图；并且图3是沿图2的线Ι-Γ截取的截面图。
[0050]第一基板100可由透明玻璃、塑料等形成，并且可具有平面形状或者曲面形状(具有预定曲率半径)。
[0051]栅极线110可沿水平方向布置在第一基板100上。然而，栅极线110的布置不限于此，并且栅极线110可沿垂直方向布置在第一基板100上。
[0052]栅极线110可由基于铝(Al)的金属(诸如Al或Al合金)、基于银(Ag)的金属(诸如Ag或Ag合金)、基于铜(Cu)的金属(诸如Cu或Cu合金)、基于钼(Mo)的金属(诸如Mo或Mo合金)、铬(Cr)、钽(Ta)、以及钛(Ti)形成;然而，形成栅极线110的材料不限于此，并且栅极线110可具有多层结构，该多层结构包括具有不同物理特性的至少两个导电层。
[0053]数据线120可布置为在垂直方向上与栅极线110交叉，并且可通过栅极绝缘层102与栅极线110绝缘。然而，数据线120的布置不限于此，并且数据线120可布置在水平方向上。
[0054]数据线120可由难熔金属(诸如Mo、Cr、Ta和T1、或者其合金)形成;然而，形成数据线120的材料不限于此，并且数据线120可具有包括难熔金属层和低电阻导电层的多层结构。
[0055]薄膜晶体管(TFT)130可包括从栅极线110分支出的栅电极132、从数据线120分支出的源电极134、以及连接至像素电极150的漏电极136。
[0056]栅电极132可通过栅极绝缘层102与源电极134和漏电极136绝缘。半导体层138可布置在栅极绝缘层102和源电极134之间以及栅极绝缘层102和漏电极136之间。
[0057]栅电极132可由导电材料形成，并且可具有使用Mo、Al、Cr、Au、T1、N1、钕(Nd)和Cu中的一种或者其合金形成的单层或多层结构。然而，形成栅电极132的材料不限于此，并且栅电极132可由各种导电材料形成。
[0058]栅极绝缘层102可布置在第一基板100上以覆盖栅电极132，并且可用于防止水分或杂质元素(impure element)通过第一基板100渗入。栅极绝缘层102可由绝缘材料形成，并且可具有由氮化硅(SiNx)或氧化硅(S12)形成的单层或多层结构。然而，形成栅极绝缘层102的材料不限于此，并且栅极绝缘层102可由各种绝缘材料形成。
[0059]半导体层138可由氧化物半导体形成。氧化物半导体可以是金属氧化物半导体(MOS)，并且可以是包括一种或多种金属(诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)和钛(Ti))的氧化物。例如，氧化物半导体可包括氧化锌(ZnO)、铟镓锌氧化物(IGZO)以及铟锌锡氧化物(IZTO)中的至少一种。然而，形成半导体层138的材料不限于此，并且半导体层138可由各种材料形成。
[0060]源电极134可布置在半导体层138上。源电极134可由导电材料形成，并且可具有使用Mo、Al、Cr、Au、T1、N1、Nd和Cu中的一种、或者其合金形成的单层或多层结构。然而，形成源电极134的材料不限于此，并且源电极134可由各种导电材料形成。
[0061]漏电极136可布置在半导体层138上，同时与源电极134间隔开。漏电极136可由导电材料形成，并且可具有使用Mo、Al、Cr、Au、T1、N1、Nd和Cu中的一种、或者其合金形成的单层或多层结构。然而，形成漏电极136的材料不限于此，并且漏电极136可由各种导电材料形成。
[0062]漏电极136可包括与栅电极132的一部分重叠的第一漏电极136a、从第一漏电极136a延伸并且具有通过接触孔160暴露的部分的第二漏电极136b、以及从第一漏电极136a分支为与第二漏电极136b间隔开的第三漏电极136c。
[0063]将参考图4提供关于第二漏电极136b和第三漏电极136c的更详细的描述。
[0064]尽管未示出，但欧姆接触层可进一步布置在源电极134和半导体层138之间以及漏电极136和半导体层138之间。欧姆接触层(未示出)可由诸如掺杂有高浓度的η型杂质的非晶硅或硅化物的材料形成。
[0065]保护层104可布置在源电极134和漏电极136上，并且可具有接触孔160，漏电极136的一部分通过接触孔160暴露。保护层104可由诸如SiNx或S1x的无机绝缘材料或有机绝缘材料形成。
[0066]滤色器140可布置在保护层104上。滤色器140可显示基色(诸如，红色、绿色和蓝色的三基色)中的一种。然而，由滤色器140显示的颜色不限于此，并且滤色器140可显示青色、品红色、黄色和白色中的一种。此外，滤色器140和保护层104的布置不限于此，并且滤色器140可布置在第二基板200上，并且由有机材料形成的有机层可布置在保护层104上。
[0067]尽管未示出，但覆盖层可布置在滤色器140上。覆盖层(未示出)可用于防止从滤色器140产生的污染物流入液晶层300中。覆盖层(未示出)可由诸如SiNx、Si02或碳氧化硅(S1C)的无机材料或有机材料形成。
[0068]像素电极150可布置在滤色器140上，并且可由透明导电材料形成。像素电极150可通过接触孔160电连接至漏电极136，使得数据电压可被施加至像素电极150。
[0069]将参考图5提供关于像素电极150的更详细的描述。
[0070]尽管未示出，但取向层可进一步布置在像素电极150上。取向层可以是垂直取向层(homeotropic alignment layer)或者光取向的取向层。光取向的取向层可包括聚合物材料(其具有通过照射沿预定方向偏振的紫外(UV)光形成的指向(orientat1n))。
[0071]第二基板200可布置为与第一基板100相对，并且可由透明玻璃、塑料等形成。第二基板200可具有平面形状或曲面形状(其具有比第一基板100的曲率半径更小的曲率半径)。
[0072]遮光部分210可布置在第二基板200上以覆盖栅极线110、数据线120和TFT 130。然而，遮光部分210的布置不限于此，并且遮光部分210可布置在第一基板100上。
[0073]遮光部分210可用于防止栅极线110、数据线120和TFT 130中产生光泄露。遮光部分210可由添加有黑色颜料的光敏有机材料等形成。
[0074]平坦化层220可布置在遮光部分210上，并且可用于平坦化遮光部分210。平坦化层220可由有机材料等形成。
[0075]公共电极230可布置在平坦化层220上，并且可由透明导电材料形成。
[0076]尽管未示出，但取向层可进一步布置在公共电极230上。取向层可以是垂直取向层或者光取向的取向层。光取向的取向层可包括聚合物材料(其具有通过照射沿预定方向偏振的UV光形成的指向)。
[0077]液晶层300可插入在第一基板100和第二基板200之间。液晶层300可包括聚合物材料(其具有通过照射沿预定方向偏振的UV光形成的指向)。
[0078]图4是示出图2的部分“A”的放大图。
[0079]第二漏电极136b可从第一漏电极136a延伸，并且可具有四边形形状。然而，第二漏电极136b的形状不限于此，并且可基于TFT 130和像素电极150的布置以各种方式修改。
[0080]接触孔160可形成在第二漏电极136b上，并且第二漏电极136b的一部分可通过接触孔160暴露。
[0081 ] 第三漏电极136c可从第一漏电极136a分支出，以布置为环绕第二漏电极136b的外周。例如，根据示例性实施方式的显示装置可以以其中第二漏电极136b和第三漏电极136c布置为具有围绕接触孔I60的双壁结构的方式设置。
[0082]第三漏电极136c可具有四边环形状。然而，第三漏电极136c的形状不限于此，并且可基于第二漏电极136b的形状以各种方式修改。
[0083]第三漏电极136c可具有在约1.5微米(μπι)至约3.Ομπι的范围内的宽度Wl和W1’。此夕卜，第三漏电极136c可布置为与第二漏电极136b的外周间隔开在约3.Ομπι至约6.Ομπι的范围内的间隔W2和W2’。然而，由于工艺误差等，第三漏电极136c的宽度以及第三漏电极136c和第二漏电极136b之间的间隔可稍微不同于上述范围。
[0084]如在根据示例性实施方式的显示装置中，在滤色器140或有机层(未示出)布置在第一基板100上的情况下，由于各种工艺误差，滤色器140可能从接触孔160朝向栅电极132塌陷(collapse)。当滤色器140塌陷时，会出现形成在布置在滤色器140上的像素电极150和栅电极132之间的电容的变化，使得显示具有均匀亮度的图像会变得困难。
[0085]在根据示例性实施方式的显示装置中，第二漏电极136b和第三漏电极136c可布置为围绕接触孔160以具有双壁结构。具体地，第三漏电极136c可布置为与第二漏电极136b邻近栅电极132的程度相比更邻近栅电极132。因此，即使滤色器140塌陷，根据示例性实施方式的显示装置也可通过在栅电极132和第三漏电极136c之间形成的具有预定水平(level)的电容来显示具有均匀亮度的图像。
[0086]图5是示出图2的像素电极的视图。
[0087]像素电极150可包括水平主干电极152、垂直主干电极154以及从水平主干电极152和垂直主干电极154分支为从其延伸的多个分支电极156a、156b、156c和156d。
[0088]水平主干电极152和垂直主干电极154可具有线形形状，并且可彼此结合以形成十字形主干电极。然而，水平主干电极152和垂直主干电极154的形状不限于此，并且水平主干电极152和垂直主干电极154可以以如下方式设置:水平主干电极152和垂直主干电极154的宽度从像素电极150的一侧朝向像素电极150的中心增加。
[0089]第一分支电极156a可从水平主干电极152和垂直主干电极154分支为沿左上方向延伸，并且第二分支电极156b可从水平主干电极152和垂直主干电极154分支为沿右上方向延伸。第三分支电极156c可从水平主干电极152和垂直主干电极154分支为沿左下方向延伸，并且第四分支电极156d可从水平主干电极152和垂直主干电极154分支为沿右下方向延伸。
[0090]第一至第四分支电极156a、156b、156c和156d的侧面可扭曲电场以形成确定液晶分子302的倾斜方向的电场的水平分量。电场的水平分量可在第一至第四分支电极156a、156b、156 c和156d的侧面上形成为分别相对于第一至第四分支电极156a、156b、156c和156d的侧面基本平行。因此，液晶分子302在像素电极150的子区域Da至Dd中可分别沿四个不同的方向排布。
[0091]图6是示出根据本发明的另一示例性实施方式的显示装置的平面图；并且图7是示出图6的部分“B”的放大图。
[0092]由于除了第二漏电极136b和第三漏电极136c的形状以外，图6和图7的显示装置与图2和图4的显示装置具有相同的配置，因此为了简明将省去其重复描述。
[0093]第二漏电极136b可从第一漏电极136a延伸，并且可具有八边形形状。接触孔160可形成在第二漏电极136b上，并且第二漏电极136b的一部分通过接触孔160暴露。
[0094]第三漏电极136c可从第一漏电极136a分支为环绕第二漏电极136b的外周。第三漏电极136c可具有八边环形状。
[0095]第三漏电极136c可具有在约1.5μπι至约3.Ομπι的范围内的宽度Wl和Wl ’。此外，第三漏电极136c可布置为与第二漏电极136b的外周间隔开在约3.Ομπι至约6.Ομπι的范围内的间隔W2和W2’。然而，由于工艺误差等，第三漏电极136c的宽度以及第三漏电极136c和第二漏电极136b之间的间隔可稍微不同于上述范围。
[0096]图8是示出根据本发明的又一示例性实施方式的显示装置的平面图；并且图9是示出图8的部分的放大图。
[0097]由于除了第二漏电极136b和第三漏电极136c的形状以外，图8和图9的显示装置与图2和图4的显示装置具有相同的配置，因此为了简明将省去其重复描述。
[0098]第二漏电极136b可从第一漏电极136a延伸，并且可具有圆形形状。接触孔160可形成在第二漏电极136b上，并且第二漏电极136b的一部分可通过接触孔160暴露。
[00"]第三漏电极136c可从第一漏电极136a分支为环绕第二漏电极136b的外周。第三漏电极136c可具有圆环形状。
[0100]第三漏电极136c可具有在约1.5μπι至约3.Ομπι的范围内的宽度Wl和W1’。此外，第三漏电极136c可布置为与第二漏电极136b的外周间隔开在约3.Ομπι至约6.Ομπι的范围内的间隔W2和W2’。然而，由于工艺误差等，第三漏电极136c的宽度以及第三漏电极136c和第二漏电极136b之间的间隔可稍微不同于上述范围。
[0101]如上所述，根据示例性实施方式，TFT和包括该TFT的显示装置可显示具有均匀亮度的图像。
[0102]通过前述内容，将理解，为了说明的目的在此已经描述了根据本公开的各个实施方式，并且在不背离本教导的范围和精神的情况下可做出各种修改。因此，本文中公开的各个实施方式不旨在限制本教导的真实范围和精神。以上描述的各个特征以及其他实施方式可以以任何方式混合和匹配，以产生与本发明一致的进一步的实施方式。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管，包括: 栅电极； 栅极绝缘层，布置在所述栅电极上； 半导体层，布置在所述栅极绝缘层上； 源电极和漏电极，布置在所述半导体层上同时彼此间隔开；以及保护层，布置在所述源电极和所述漏电极上并且具有接触孔，所述漏电极的一部分通过所述接触孔暴露， 其中，所述漏电极包括 第一漏电极，与所述栅电极的一部分重叠， 第二漏电极，从所述第一漏电极延伸并且具有通过所述接触孔暴露的部分，以及 第三漏电极，从所述第一漏电极分支为与所述第二漏电极间隔开。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第二漏电极具有圆形形状和多边形形状中的一种。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第三漏电极环绕所述第二漏电极的外周。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述第三漏电极具有圆环形状和多边环形状中的一种。5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述第三漏电极具有在1.5微米至3.0微米的范围内的宽度。6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述第三漏电极被布置为与所述第二漏电极的外周间隔开在3.0微米至6.0微米的范围内的间隔。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第三漏电极被布置为与所述第二漏电极邻近所述栅电极的程度相比更邻近所述栅电极。8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括:欧姆接触层，布置在所述半导体层和所述源电极之间以及所述半导体层和所述漏电极之间。9.一种显示装置，包括: 第一基板； 栅极线，布置在所述第一基板上； 数据线，布置为与所述栅极线交叉； 薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线；以及 像素电极，连接至所述薄膜晶体管， 其中，所述薄膜晶体管包括: 栅电极，从所述栅极线分支出， 源电极，从所述数据线分支出，以及 漏电极，连接至所述像素电极，并且 所述漏电极包括: 第一漏电极，与所述栅电极的一部分重叠， 第二漏电极，从所述第一漏电极延伸并且连接至所述像素电极，以及 第三漏电极，从所述第一漏电极分支为与所述第二漏电极间隔开。10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第二漏电极具有圆形形状和多边形形状中的一种。11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第三漏电极环绕所述第二漏电极的外周。12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第三漏电极具有圆环形状和多边环形状中的一种。13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第三漏电极具有在1.5微米至3.0微米的范围内的宽度。14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第三漏电极被布置为与所述第二漏电极的外周间隔开在3.0微米至6.0微米的范围内的间隔。15.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第三漏电极被布置为与所述第二漏电极邻近所述栅电极的程度相比更邻近所述栅电极。16.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述像素电极包括: 水平主干电极， 垂直主干电极，以及 多个分支电极，从所述水平主干电极和所述垂直主干电极延伸。17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述分支电极包括: 第一分支电极，沿左上方向从所述水平主干电极和所述垂直主干电极延伸， 第二分支电极，沿右上方向从所述水平主干电极和所述垂直主干电极延伸， 第三分支电极，沿左下方向从所述水平主干电极和所述垂直主干电极延伸；以及 第四分支电极，沿右下方向从所述水平主干电极和所述垂直主干电极延伸。18.根据权利要求9所述的显示装置，进一步包括布置在所述薄膜晶体管与所述像素电极之间的滤色器。19.根据权利要求9所述的显示装置，进一步包括: 第二基板，布置为与所述第一基板相对； 公共电极，布置在所述第二基板上；以及 液晶层，插入在所述第一基板与所述第二基板之间。20.根据权利要求19所述的显示装置，进一步包括布置在所述第一基板或所述第二基板上的取向层， 其中，所述取向层和所述液晶层中的一个包括具有指向的聚合物材料。
【文档编号】G02F1/136GK105826394SQ201510967794
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2015年12月21日
【发明人】尹姬京, 金大哲, 李健行, 李花郞, 崔国铉
【申请人】三星显示有限公司