薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及薄膜晶体管利记博彩app
【专利摘要】本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及薄膜晶体管利记博彩app，属于显示技术领域。所述薄膜晶体管包括：基板、设置于所述基板上且经过退火处理的第一金属氧化物薄膜层、设置于所述第一金属氧化物薄膜层上且未经过退火处理的第二金属氧化物薄膜层以及设置于所述第二金属氧化物薄膜层上的源电极和漏电极。解决了退火处理的金属氧化物与漏源极接触产生肖特基电阻，导致薄膜晶体管稳定性下降的问题。
【专利说明】
薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及薄膜晶体管利记博彩app
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及薄膜晶体管利记博彩app。
【背景技术】
[0002]金属氧化物薄膜晶体管是当前薄膜晶体管领域的研究热点，例如铟镓锌氧化物IGZO薄膜晶体管。
[0003]金属氧化物薄膜晶体管通常包括基板、设于基板上的金属氧化物薄膜(有源层)和漏源极(漏电极和源电极)。在金属氧化物薄膜晶体管中，氧空位是载流子的主要来源，但过多的氧空位会导致金属氧化物薄膜内部缺陷态增多，进而影响载流子密度、迀移率和半导体的可靠性。为了解决氧空位造成的金属氧化物薄膜内部缺陷态增多的问题，常用的手段是对金属氧化物薄膜进行退火处理。但在退火处理过的金属氧化物薄膜上制备漏源极后，漏源极的金属原子很容易与金属氧化物薄膜中的氧形成接触氧化，发生肖特基(schottky)接触，产生肖特基电阻，肖特基电阻会导致金属氧化物薄膜晶体管开态电流不足、亚阈值摆幅过大等问题，导致薄膜晶体管稳定性下降。
【发明内容】
[0004]为了解决退火处理的金属氧化物薄膜与漏源极接触产生肖特基电阻，影响显示品质的问题，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及薄膜晶体管利记博彩app。所述技术方案如下:
[0005]第一方面，提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括:基板、设置于所述基板上且经过退火处理的第一金属氧化物薄膜层、设置于所述第一金属氧化物薄膜层上且未经过退火处理的第二金属氧化物薄膜层以及设置于所述第二金属氧化物薄膜层上的源电极和漏电极。
[0006]在本发明实施例的一种实现方式中，所述第一金属氧化物薄膜层和所述第二金属氧化物薄膜层均为铟镓锌氧化物IGZO薄膜层。
[0007]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述第一金属氧化物薄膜层的厚度为500-900埃。
[0008]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述第一金属氧化物薄膜层的退火温度为300-500度，退火气氛为空气、氧气或N2O，退火时间为0.5-2小时。
[0009]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述第二金属氧化物薄膜层的厚度为200-1000埃。
[0010]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述第二金属氧化物薄膜层为表面经过氢等离子处理或氢掺杂处理的金属氧化物薄膜层，所述表面为所述第二金属氧化物薄膜层朝向所述源电极和漏电极的一面。
[0011]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述薄膜晶体管还包括:栅极和栅绝缘层；所述栅极和所述栅绝缘层依次设置在所述基板与所述第一金属氧化物薄膜层之间；或者，所述栅绝缘层和所述栅极依次设置在所述源电极和漏电极之上。
[0012]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述栅绝缘层包括与所述栅极接触的SiNx层，与所述第一金属氧化物薄膜层或所述第二金属氧化物薄膜层接触的S1y层，以及设置在所述SiNx层和所述S1y层之间的S1N层，X和y均为正数。
[0013]第二方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括第一方面任一项所述的薄膜晶体管。
[0014]第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第二方面所述的阵列基板。
[0015]第四方面，提供一种薄膜晶体管利记博彩app，所述方法包括:
[0016]提供一基板；
[0017]在所述基板上形成第一金属氧化物薄膜层，并对所述第一金属氧化物薄膜层进行退火处理；
[0018]在所述第一金属氧化物薄膜层上形成第二金属氧化物薄膜层；
[0019]在所述第二金属氧化物薄膜层上形成源电极和漏电极。
[0020]在本发明实施例的一种实现方式中，所述第一金属氧化物薄膜层和第二金属氧化物薄膜层均为IGZO薄膜层。
[0021]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述第一金属氧化物薄膜层的厚度为500-900埃。
[0022]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述对所述第一金属氧化物薄膜层进行退火处理，包括:
[0023]在300-500度的退火温度下，在空气、氧气或N2O中对所述第一金属氧化物薄膜层退火0.5-2小时。
[0024]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述第二金属氧化物薄膜层的厚度为200-1000埃。
[0025]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述方法还包括:
[0026]对所述第二金属氧化物薄膜层进行表面氢等离子处理或氢掺杂处理。
[0027]本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0028]本发明的薄膜晶体管包括经过退火处理的第一金属氧化物薄膜层，退火处理消除了金属氧化物中过多的氧空位，使得第一金属氧化物薄膜层作为有源层内部缺陷态减少，在第一金属氧化物薄膜层上设置有未经过退火的第二金属氧化物薄膜层，使得第二金属氧化物薄膜层具有氧含量低、氧空位多、电导率高的特性，第二金属氧化物薄膜层作为第一金属氧化物薄膜层与漏源极层之间的缓冲层，达到了减小漏源极与第一金属氧化物薄膜层之间接触电阻的技术效果，解决了退火处理的金属氧化物与漏源极接触产生肖特基电阻，导致薄膜晶体管稳定性下降的问题。
【附图说明】
[0029]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；
[0031]图2是本发明实施例提供的另一种薄膜晶体管的结构示意图；
[0032]图3是本发明实施例提供的另一种薄膜晶体管的结构示意图；
[0033]图4是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管利记博彩app的流程图；
[0034]图5是本发明实施例提供的另一种薄膜晶体管利记博彩app的流程图；
[0035]图6是本发明实施例提供的薄膜晶体管制作过程中的结构示意图；
[0036]图7是本发明实施例提供的薄膜晶体管制作过程中的结构示意图；
[0037]图8是本发明实施例提供的薄膜晶体管制作过程中的结构示意图；
[0038]图9是本发明实施例提供的薄膜晶体管制作过程中的结构示意图；
[0039]图10是本发明实施例提供的另一种薄膜晶体管利记博彩app的流程图；
[0040]图11是本发明实施例提供的薄膜晶体管制作过程中的结构示意图；
[0041]图12是本发明实施例提供的薄膜晶体管制作过程中的结构示意图；
[0042]图13是本发明实施例提供的薄膜晶体管制作过程中的结构示意图；
[0043]图14是本发明实施例提供的薄膜晶体管制作过程中的结构示意图。
【具体实施方式】
[0044]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0045]图1是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图，参见图1，薄膜晶体管包括:基板100、设置于基板100上且经过退火处理的第一金属氧化物薄膜层101、设置于第一金属氧化物薄膜层101上且未经过退火处理的第二金属氧化物薄膜层102以及设置于第二金属氧化物薄膜层102上的源电极103和漏电极104。
[0046]本发明的薄膜晶体管包括经过退火处理的第一金属氧化物薄膜层101，退火处理消除了金属氧化物中过多的氧空位，使得第一金属氧化物薄膜层101作为有源层内部缺陷态减少，在第一金属氧化物薄膜层101上设置有未经过退火的第二金属氧化物薄膜层102，使得第二金属氧化物薄膜层102具有氧含量低、氧空位多、电导率高的特性，第二金属氧化物薄膜层102作为第一金属氧化物薄膜层101与漏源极层之间的缓冲层，达到了减小漏源极与第一金属氧化物薄膜层101之间接触电阻的技术效果，解决了退火处理的金属氧化物与漏源极接触产生肖特基电阻，影响显示品质的问题。
[0047]其中，基板100可以是玻璃基板。源电极103和漏电极104可以是Al(铝)、Cu(铜)、Mo(钼)、Cr(络)、Ti(钛)等电极。
[0048]其中，第一金属氧化物薄膜层101和第二金属氧化物薄膜层102可以为IGZO(铟镓锌氧化物)薄膜层。当然，该第一金属氧化物薄膜层101和第二金属氧化物薄膜层102还可以为IZO(铟锌氧化物)等其他金属氧化物薄膜层。
[0049]在本发明实施例中，第一金属氧化物薄膜层101的厚度可以为500-900埃。优选地，第一金属氧化物薄膜层101的厚度为700埃，采用上述优选值可以避免第一金属氧化物薄膜层101厚度过大，导致薄膜晶体管整体尺寸大的问题;厚度过小，对刻蚀等工艺要求较高，且容易被刻穿的问题。
[0050]在本发明实施例中，第一金属氧化物薄膜层101的退火温度可以为300-500度，退火气氛可以为空气、氧气或犯0( —氧化二氮)，退火时间可以为0.5-2小时。优选地，退火温度可以为260-320度，退火时间可以为I小时，采用上述优选值可以避免退火温度过低或时间过短，不能达到消除金属氧化物中过多的氧空位的效果，同时可以避免温度过高或时间过长，破坏薄膜结构的问题。
[0051 ]在本发明实施例中，第二金属氧化物薄膜层102的厚度可以为200-1000埃。优选地，第二金属氧化物薄膜层102的厚度为500埃，采用上述优选值可以避免第二金属氧化物薄膜层102厚度过大，导致薄膜晶体管整体尺寸大的问题;第二金属氧化物薄膜层102厚度过小，又不能起到缓冲层的效果的问题。
[0052]在本发明实施例中，第二金属氧化物薄膜层102为表面经过氢等离子(Plasma)处理或氢掺杂处理的金属氧化物薄膜层，第二金属氧化物薄膜层102的表面为第二金属氧化物薄膜层102朝向源电极103和漏电极104的一面。第二金属氧化物薄膜层102表面经过氢Plasma处理或掺杂处理，可以进一步降低与漏源极接触表面的含氧量，另外，可以提高第二金属氧化物薄膜层102的致密性，有利于后续刻蚀工艺的进行。
[0053]图2显示了一种底栅结构的薄膜晶体管，如图2所示，栅极105和栅绝缘层106依次设置在基板100与第一金属氧化物薄膜层101之间。而图3显示了一种顶栅结构的薄膜晶体管，如图3所示，栅绝缘层106和栅极105依次设置在源电极103和漏电极104之上。
[0054]在图2和图3提供的薄膜晶体管中，栅绝缘层106包括与栅极105接触的SiNx层，与第一金属氧化物薄膜层101或第二金属氧化物薄膜层102接触的S1y层，设置在SiNx层和S1y层之间的S1N层，X和y均为正数。SiNx层与栅极105接触，保证整个栅绝缘层106的致密性，S1y与金属氧化物接触(在底栅结构中接触第一金属氧化物薄膜层101，在顶栅结构中接触第二金属氧化物薄膜层102)，防止金属氧化物与SiNx的氢(沉积SiNx的过程中需要用到氢气)接触，中间设置S1N层增加SiNx层和S1y层的结合力。
[0055]其中，栅极105可以是Al、Cu、Mo、Cr、Ti等电极。
[0056]如图2或3所示，该薄膜晶体管还可以包括钝化层107或其他常见膜层。其中，钝化层的材质通常为氮化硅或者氧化硅。
[0057]本发明实施例还提供了一种阵列基板，该阵列基板包括图1?3所示出的薄膜晶体管。
[0058]本发明的薄膜晶体管包括经过退火处理的第一金属氧化物薄膜层，退火处理消除了金属氧化物中过多的氧空位，使得第一金属氧化物薄膜层作为有源层内部缺陷态减少，在第一金属氧化物薄膜层上设置有未经过退火的第二金属氧化物薄膜层，使得第二金属氧化物薄膜层具有氧含量低、氧空位多、电导率高的特性，第二金属氧化物薄膜层作为第一金属氧化物薄膜层与漏源极层之间的缓冲层，达到了减小漏源极与第一金属氧化物薄膜层之间接触电阻的技术效果，解决了退火处理的金属氧化物与漏源极接触产生肖特基电阻，影响显示品质的问题。
[0059]本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述阵列基板。
[0060]在具体实施时，本发明实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0061]本发明的薄膜晶体管包括经过退火处理的第一金属氧化物薄膜层，退火处理消除了金属氧化物中过多的氧空位，使得第一金属氧化物薄膜层作为有源层内部缺陷态减少，在第一金属氧化物薄膜层上设置有未经过退火的第二金属氧化物薄膜层，使得第二金属氧化物薄膜层具有氧含量低、氧空位多、电导率高的特性，第二金属氧化物薄膜层作为第一金属氧化物薄膜层与漏源极层之间的缓冲层，达到了减小漏源极与第一金属氧化物薄膜层之间接触电阻的技术效果，解决了退火处理的金属氧化物与漏源极接触产生肖特基电阻，影响显示品质的问题。
[0062]图4是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管利记博彩app的流程图，该方法用于制作图1至图3所示的阵列基板，参见图4，方法包括:
[0063]步骤401:提供一基板。
[0064]步骤402:在基板上形成第一金属氧化物薄膜层，并对第一金属氧化物薄膜层进行退火处理。
[0065]步骤403:在第一金属氧化物薄膜层上形成第二金属氧化物薄膜层。
[0066]步骤404:在第二金属氧化物薄膜层上形成源电极和漏电极。
[0067]本发明的制成的薄膜晶体管包括经过退火处理的第一金属氧化物薄膜层，退火处理消除了金属氧化物中过多的氧空位，使得第一金属氧化物薄膜层作为有源层内部缺陷态减少，在第一金属氧化物薄膜层上形成有未经过退火的第二金属氧化物薄膜层，使得第二金属氧化物薄膜层具有氧含量低、氧空位多、电导率高的特性，第二金属氧化物薄膜层作为第一金属氧化物薄膜层与漏源极层之间的缓冲层，达到了减小漏源极与第一金属氧化物薄膜层之间接触电阻的技术效果，解决了退火处理的金属氧化物与漏源极接触产生肖特基电阻，导致薄膜晶体管稳定性下降的问题。
[0068]图5是本发明实施例提供的另一种薄膜晶体管利记博彩app的流程图，该方法用于制作图2所示的阵列基板，参见图5，方法包括:
[0069]步骤501:提供一基板。
[0070]步骤502:在基板上依次形成栅极和栅绝缘层。
[0071]其中，形成栅绝缘层可以包括:分别形成与栅极接触的SiNx层，与第一金属氧化物薄膜层或第二金属氧化物薄膜层接触的S1y层，设置在SiNx层和S1y层之间的S1N层，X和y均为正数。SiNx层与栅极接触，保证整个栅绝缘层的致密性，S1y层与金属氧化物接触(在底栅结构中接触第一金属氧化物薄膜层，在顶栅结构中接触第二金属氧化物薄膜层)，防止金属氧化物与SiNx的氢(沉积SiNx的过程中需要用到氢气)接触，中间设置S1N层增加SiNx层和S1y层的结合力。
[0072]如图6所示，在基板100上依次形成栅极105和栅绝缘层106。
[0073]步骤503:在栅绝缘层上形成第一金属氧化物薄膜层，并对第一金属氧化物薄膜层进行退火处理。
[0074]如图7所示，在栅绝缘层106上形成第一金属氧化物薄膜层101。
[0075]在本发明实施例中，对第一金属氧化物薄膜层进行退火处理，包括:
[0076]在300-500度的退火温度下，在空气、氧气或N2O中对第一金属氧化物薄膜层退火
0.5-2小时。
[0077]步骤504:在第一金属氧化物薄膜层上形成第二金属氧化物薄膜层。
[0078]其中，第一金属氧化物薄膜层和第二金属氧化物薄膜层可以为IGZO薄膜层。
[0079]在本发明实施例中，第一金属氧化物薄膜层的厚度可以为500-900埃。
[0080]在本发明实施例中，第二金属氧化物薄膜层的厚度可以为200-1000埃。
[0081]如图8所示，在第一金属氧化物薄膜层101上形成第二金属氧化物薄膜层102。
[0082]步骤505:对第二金属氧化物薄膜层进行表面氢Plasma处理或氢掺杂处理，第二金属氧化物薄膜层的表面为第二金属氧化物薄膜层朝向源电极和漏电极的一面。
[0083]由于第二金属氧化物薄膜层的厚度较厚，可以采用两步制作第二金属氧化物薄膜层，即先制作一层金属氧化物薄膜层，然后再制作一层金属氧化物薄膜层，并在第二层金属氧化物薄膜层的表面进行氢Plasma处理或氢掺杂处理。
[0084]步骤506:在第二金属氧化物薄膜层上形成源电极和漏电极。
[0085]如图9所示，在第二金属氧化物薄膜层102上形成源电极103和漏电极104。
[0086]步骤507:在源电极和漏电极上形成钝化层。
[0087]在源电极103和漏电极104上形成钝化层107，结构如图2所示。
[0088]本发明的制成的薄膜晶体管包括经过退火处理的第一金属氧化物薄膜层，退火处理消除了金属氧化物中过多的氧空位，使得第一金属氧化物薄膜层作为有源层内部缺陷态减少，在第一金属氧化物薄膜层上形成有未经过退火的第二金属氧化物薄膜层，使得第二金属氧化物薄膜层具有氧含量低、氧空位多、电导率高的特性，第二金属氧化物薄膜层作为第一金属氧化物薄膜层与漏源极层之间的缓冲层，达到了减小漏源极与第一金属氧化物薄膜层之间接触电阻的技术效果，解决了退火处理的金属氧化物与漏源极接触产生肖特基电阻，导致薄膜晶体管稳定性下降的问题。
[0089]图10是本发明实施例提供的另一种薄膜晶体管利记博彩app的流程图，该方法用于制作图3所示的阵列基板，参见图10，方法包括:
[0090]步骤601:提供一基板。
[0091 ]步骤602:在基板上形成第一金属氧化物薄膜层，并对第一金属氧化物薄膜层进行退火处理。
[0092]如图11所示，在基板100上形成第一金属氧化物薄膜层101。
[0093]在本发明实施例中，对第一金属氧化物薄膜层进行退火处理，包括:
[0094]在300-500度的退火温度下，在空气、氧气或N2O中对第一金属氧化物薄膜层退火
0.5-2小时。
[0095]步骤603:在第一金属氧化物薄膜层上形成第二金属氧化物薄膜层。
[0096]其中，第一金属氧化物薄膜层和第二金属氧化物薄膜层可以为IGZO薄膜层。
[0097]在本发明实施例中，第一金属氧化物薄膜层的厚度可以为500-900埃。
[0098]在本发明实施例中，第二金属氧化物薄膜层的厚度可以为200-1000埃。
[0099]如图12所示，在第一金属氧化物薄膜层101上形成第二金属氧化物薄膜层102。
[0100]步骤604:对第二金属氧化物薄膜层进行表面氢Plasma处理或氢掺杂处理，第二金属氧化物薄膜层的表面为第二金属氧化物薄膜层朝向源电极和漏电极的一面。
[0101]步骤605:在第二金属氧化物薄膜层上形成源电极和漏电极。
[0102]如图13所示，在第二金属氧化物薄膜层102上形成源电极103和漏电极104。
[0103]步骤606:在基板上依次形成栅绝缘层和栅极。
[0104]其中，形成栅绝缘层可以包括:分别形成与栅极接触的SiNx层，与第一金属氧化物薄膜层或第二金属氧化物薄膜层接触的S1y层，设置在SiNx层和S1y层之间的S1N层，X和y均为正数。SiNx层与栅极接触，保证整个栅绝缘层的致密性，S1y层与金属氧化物接触(在底栅结构中接触第一金属氧化物薄膜层，在顶栅结构中接触第二金属氧化物薄膜层)，防止金属氧化物与SiNx的氢(沉积SiNx的过程中需要用到氢气)接触，中间设置S1N层增加SiNx层和S1y层的结合力。
[0105]如图14所示，在源电极103和漏电极104上依次形成栅绝缘层106和栅极105。
[0106]步骤607:在栅极上形成钝化层。
[0107]在栅绝缘层106上形成钝化层107，结构如图3所示。
[0108]本发明的制成的薄膜晶体管包括经过退火处理的第一金属氧化物薄膜层，退火处理消除了金属氧化物中过多的氧空位，使得第一金属氧化物薄膜层作为有源层内部缺陷态减少，在第一金属氧化物薄膜层上形成有未经过退火的第二金属氧化物薄膜层，使得第二金属氧化物薄膜层具有氧含量低、氧空位多、电导率高的特性，第二金属氧化物薄膜层作为第一金属氧化物薄膜层与漏源极层之间的缓冲层，达到了减小漏源极与第一金属氧化物薄膜层之间接触电阻的技术效果，解决了退火处理的金属氧化物与漏源极接触产生肖特基电阻，导致薄膜晶体管稳定性下降的问题。
[0109]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括:基板、设置于所述基板上且经过退火处理的第一金属氧化物薄膜层、设置于所述第一金属氧化物薄膜层上且未经过退火处理的第二金属氧化物薄膜层以及设置于所述第二金属氧化物薄膜层上的源电极和漏电极。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属氧化物薄膜层和所述第二金属氧化物薄膜层均为铟镓锌氧化物薄膜层。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属氧化物薄膜层的厚度为 500-900埃。4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属氧化物薄膜层的退火温度为300-500度，退火气氛为空气、氧气或N2O，退火时间为0.5-2小时。5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二金属氧化物薄膜层的厚度为 200-1000埃。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二金属氧化物薄膜层为表面经过氢等离子处理或氢掺杂处理的金属氧化物薄膜层，所述表面为所述第二金属氧化物薄膜层朝向所述源电极和漏电极的一面。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括:栅极和栅绝缘层;所述栅极和所述栅绝缘层依次设置在所述基板与所述第一金属氧化物薄膜层之间；或者，所述栅绝缘层和所述栅极依次设置在所述源电极和漏电极之上。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层包括与所述栅极接触的SiNx层，与所述第一金属氧化物薄膜层或所述第二金属氧化物薄膜层接触的S1y层，以及设置在所述SiNx层和所述S1y层之间的S1N层，X和y均为正数。9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1-8任一项所述的薄膜晶体管。10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求9所述的阵列基板。11.一种薄膜晶体管利记博彩app，其特征在于，所述方法包括: 提供一基板； 在所述基板上形成第一金属氧化物薄膜层，并对所述第一金属氧化物薄膜层进行退火处理； 在所述第一金属氧化物薄膜层上形成第二金属氧化物薄膜层； 在所述第二金属氧化物薄膜层上形成源电极和漏电极。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一金属氧化物薄膜层和第二金属氧化物薄膜层均为IGZO薄膜层。13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一金属氧化物薄膜层的厚度为500-900埃。14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述对所述第一金属氧化物薄膜层进行退火处理，包括: 在300-500度的退火温度下，在空气、氧气或N2O中对所述第一金属氧化物薄膜层退火0.5-2小时。15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二金属氧化物薄膜层的厚度为200-1000埃。16.根据权利要求11-15任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括: 对所述第二金属氧化物薄膜层进行表面氢等离子处理或氢掺杂处理。
【文档编号】H01L21/77GK105826250SQ201610327597
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2016年5月17日
【发明人】黎午升, 曹占锋
【申请人】京东方科技集团股份有限公司