三维封装结构的形成方法
【专利摘要】一种三维封装结构的形成方法，包括：提供具有位于正面的金属焊盘的两个键合基底，两个键合基底的正面相对间隔设置；使两个所述键合基底的金属焊盘的上表面产生感生电荷；找到两个所述键合基底上的感生电荷之间作用力达到最大时两个所述键合基底所对应的位置，将所述作用力最大时两个所述键合基底的位置作为对准位置，在所述对准位置将所述两个键合基底上的金属焊盘对准；对准之后，将所述两个键合基底键合在一起。本发明解决了现有技术中两个键合基底的对准精度较低的问题。
【专利说明】
三维封装结构的形成方法
技术领域
[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种三维封装结构的形成方法。
【背景技术】
[0002]随着微电子器件高集成度、多功能化的要求，现有的二维封装技术难以满足封装要求，而三维封装具有尺寸小、重量轻、减小信号延迟等优点，正成为微电子器件封装的主流技术。键合是实现三维封装的关键工艺，应用于三维封装的键合方法有多种，其中一种为金属-金属键合。现有一种利用金属-金属键合方法形成三维封装结构的方法包括:
[0003]如图1所示，提供两个键合基底1，键合基底I具有位于正面的金属焊盘10、以及将相邻两金属焊盘10隔开的绝缘层11 ;将两个键合基底I的正面相对间隔设置，根据两个键合基底I上的对准标记(未图示)机械地移动键合基底1，以使两个键合基底I的金属焊盘10对准；如图2所示，对准之后，沿与键合基底I的正面垂直的方向，机械地移动其中一个键合基底I直至两个键合基底I之间的间隔消除，然后将两个键合基底I键合在一起，在键合过程中，在一定温度和压力作用下，两个键合基底I上的金属焊盘10的界面原子间相互扩散而实现键合，使得两个键合基底I固定连接在一起。
[0004]但是，在实际制造过程中发现，上述三维封装结构的形成方法存在以下问题:对准时，两个键合基底I根据对准标记所获得的对准精度较低；对准之后，在移动其中一个键合基底I直至两个键合基底I之间的间隔消除的过程中，该键合基底I容易在与移动方向垂直的方向上晃动，使得在两个键合基底I之间的间隔消除的时刻，两个键合基底I的对准精度低于之前对准步骤中所获得的对准精度。
[0005]随着微电子器件集成度的提高，金属焊盘10的尺寸越来越小、密度越来越大、相邻两金属焊盘10之间的距离越来越小。若两键合基底I上的金属焊盘10的对准精度较低，则很容易出现以下问题:其中一键合基底I上的金属焊盘10不仅与另一键合基底I上对应的金属焊盘10接触电连接，还与该对应的金属焊盘10邻近的金属焊盘10接触电连接，造成短路；其中一键合基底I上的金属焊盘10非常靠近另一键合基底I上对应的金属焊盘10邻近的金属焊盘10 (两者未物理接触)，由于金属焊盘10中的金属具有在绝缘层11中扩散的性质，故一键合基底I上的金属焊盘10可能会通过扩散在绝缘层11中的金属、与另一键合基底I上对应的金属焊盘10邻近的金属焊盘10短路。
【发明内容】
[0006]本发明要解决的问题是:现有三维封装结构的形成方法中两个键合基底的对准精度较低，容易发生两个键合基底上的金属焊盘短路的问题。
[0007]为解决上述问题，本发明提供了一种三维封装结构的形成方法，包括:
[0008]提供两个键合基底，所述键合基底具有位于正面的金属焊盘，两个所述键合基底的正面相对间隔设置；
[0009]使两个所述键合基底的金属焊盘的上表面产生感生电荷；
[0010]找到两个所述键合基底上的感生电荷之间作用力达到最大时两个所述键合基底所对应的位置，将所述作用力最大时两个所述键合基底的位置作为对准位置，在所述对准位置将所述两个键合基底上的金属焊盘对准；
[0011]对准之后，将所述两个键合基底键合在一起。
[0012]可选地，找到所述对准位置的方法为:重复对两个所述键合基底进行对准调节的步骤若干次，所述对准调节的步骤包括:使其中一个所述键合基底平面移动至初对准位置，在所述初对准位置对两个所述键合基底上的感生电荷之间的作用力进行测量，每次所述对准调节步骤中的所述初对准位置不同。
[0013]可选地，所述对准调节的步骤包括:沿第一方向的对准调节、以及沿第二方向的对准调节，所述第一方向与第二方向垂直并均与所述背面平行，所述键合基底上的金属焊盘沿所述第一方向、第二方向间隔排列；
[0014]所述沿第一方向的对准调节为:使其中一个所述键合基底沿所述第一方向移动至初对准位置，在所述初对准位置对两个所述键合基底上的感生电荷之间的作用力进行测量;
[0015]所述沿第二方向的对准调节为:使其中一个所述键合基底沿所述第二方向移动至初对准位置，在所述初对准位置对两个所述键合基底上的感生电荷之间的作用力进行测量;
[0016]重复对两个所述键合基底进行对准调节的步骤若干次中:首先，重复所述沿第一方向的对准调节若干次，并将所述作用力达到最大值时两个所述键合基底所对应的位置作为第一方向上的对准位置；然后，重复所述沿第二方向的对准调节若干次，并将所述作用力达到最大值时两个所述键合基底所对应的位置作为第二方向上的对准位置。
[0017]可选地，若干次所述对准调节步骤中，定义相邻的三次所述对准调节步骤按照时间先后依次为第一、二、三对准调节步骤；
[0018]所述第三对准调节步骤中的所述初对准位置位于:所述第一、二对准调节步骤中所述作用力较大的步骤所对应的所述初对准位置附近。
[0019]可选地，使两个所述键合基底的金属焊盘的上表面产生感生电荷的方法包括:将所述键合基底的背面吸附在静电吸盘上，使所述金属焊盘的上表面产生有感生电荷。
[0020]可选地，施加给所述静电吸盘的电压绝对值为500V至20000V。
[0021 ] 可选地，两个所述键合基底的金属焊盘上表面产生的感生电荷电性相同。
[0022]可选地，对准之后，使两个所述键合基底的金属焊盘上表面产生的感生电荷电性相反，其中一个所述键合基底在所述感生电荷的吸引力作用下向另一个所述键合基底靠近;
[0023]当两个所述键合基底接触时，将所述两个键合基底键合在一起。
[0024]可选地，所述键合基底还具有位于正面的绝缘层，相邻两所述金属焊盘被所述绝缘层隔开。
[0025]可选地，所述金属焊盘凸出于绝缘层的表面。
[0026]可选地，所述金属焊盘的凸出高度为50埃至1000埃。
[0027]可选地，所述金属焊盘的材料为铜。
[0028]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:
[0029]在本发明所提供三维封装结构的形成方法中，将两个键合基底上的金属焊盘对准时，在两个键合基底的金属焊盘的上表面产生感生电荷。基于两个键合基底在平行于键合基底的背面的方向上的相对位置不同时、两个键合基底上的感生电荷之间的作用力不同的原理，找到作用力达到最大时两个键合基底所对应的位置，该位置为对准位置。与现有技术中根据对准标记来实现两个键合基底对准的方法相比，本发明技术方案中两个键合基底的对准精度更高。
【附图说明】
[0030]图1是现有用于形成三维封装结构的两个键合基底的对准示意图；
[0031]图2是现有用于形成三维封装结构的两个键合基底键合在一起的示意图；
[0032]图3是本发明的第一实施例中用于形成三维封装结构的两个键合基底的对准示意图；
[0033]图4是本发明的第一实施例中两个键合基底上的金属焊盘沿第一方向的对准示意图；
[0034]图5是本发明的第一实施例中两个键合基底上的金属焊盘沿第二方向的对准示意图；
[0035]图6是图3所不两个键合基底键合在一起的不意图；
[0036]图7是本发明的第二实施例中用于形成三维封装结构的两个键合基底的对准示意图。
【具体实施方式】
[0037]如前所述，本发明要解决的技术问题是:现有三维封装结构的形成方法中两个键合基底的对准精度较低，容易发生两个键合基底上的金属焊盘短路的问题。
[0038]具体地，在本发明所提供三维封装结构的形成方法中，将两个键合基底上的金属焊盘对准时，在两个键合基底的金属焊盘的上表面产生感生电荷。基于两个键合基底在平行于键合基底的背面的方向上的相对位置不同时、两个键合基底上的感生电荷之间的作用力不同的原理，找到作用力达到最大时两个键合基底所对应的位置，该位置为对准位置。确定出两个键合基底的对准位置之后，可以将两个键合基底键合在一起，避免了两个键合基底上的金属焊盘短路的问题发生。
[0039]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0040]第一实施例
[0041]如图3所示，提供两个键合基底10，键合基底10具有位于正面的金属焊盘100，两个键合基底10的正面相对间隔设置，定义两个键合基底10之间的间隔为H。
[0042]键合基底10除了具有金属焊盘100之外，还具有半导体衬底110、以及位于半导体衬底110上的绝缘层120，键合基底10上任意相邻两金属焊盘100被绝缘层120隔开。
[0043]两个键合基底10的半导体衬底110上均形成有电路(未图示)，金属焊盘100与半导体衬底110上的所述电路电连接。在本实施例中，所述三维封装结构为CMOS图像传感器，其中一个键合基底10的半导体衬底110上的电路为感光电路，另一键合基底10的半导体衬底110上的电路为数据处理电路。在其他实施例中，所述三维封装结构也可以为其他器件，如 MEMS (Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统)。
[0044]在本实施例中，半导体衬底110为硅衬底。在其他实施例中，半导体衬底110也可以为其他常用的半导体材料。
[0045]在本实施例中，绝缘层120的材料为氧化硅。在其他实施例中，绝缘层120也可以为其他绝缘材料，如氮化硅、氮氧化硅等等。
[0046]在本实施例中，金属焊盘100的材料为铜。在其他实施例中，金属焊盘100也可以为其他金属材料，如铜合金。
[0047]在本实施例中，金属焊盘100凸出于绝缘层120的表面。为了在后续的键合步骤中能够获得良好的键合效果，在本实施例中，金属焊盘100的凸出高度设置为50埃至1000埃。在其他实施例中，金属焊盘100的凸出高度也可以根据实际需要做其他相适应的调整。在其他实施例中，金属焊盘100也可以与绝缘层120的表面齐平。
[0048]在本实施例中，两个键合基底10上的金属焊盘100的尺寸不相同。在其他实施例中，两个键合基底10上的金属焊盘100的尺寸也可以相同。
[0049]需说明的是，在本步骤中，只要使两个键合基底10的正面相对间隔设置即可，对于两个键合基底10的金属焊盘100是否对准并没有限制要求。
[0050]在本实施例中，在两个键合基底10的正面相对间隔设置时，键合基底10的背面S吸附在载片台上。在本实施例中，所述载片台为静电吸盘20 (e-chuck)。在其他实施例中，所述载片台也可以为真空吸盘。
[0051]继续参照图3所示，使两个键合基底10的金属焊盘100的上表面产生感生电荷。
[0052]根据静电吸盘20的吸附原理可知，当键合基底10的背面S吸附在静电吸盘20上时，静电吸盘20有被施加电压，且键合基底10的金属焊盘100的上表面(即沿键合基底10的厚度方向远离背面S的表面)产生有感生电荷。
[0053]在本实施例中，两个静电吸盘20被施加的电压为同种电压，均为负电压，两个键合基底10的金属焊盘100的上表面产生同种感生电荷，均为负电荷。静电吸盘20被施加负电压时，被吸附在静电吸盘20上的键合基底10的背面S产生感生正电荷，金属焊盘100的上表面产生感生负电荷。
[0054]在其他实施例中，两个静电吸盘20被施加的电压也可以均为正电压，此时，两个键合基底10的金属焊盘100的上表面均产生感生正电荷。
[0055]在两个键合基底10的正面相对间隔设置时，由于两个键合基底10的金属焊盘100的上表面均产生有感生电荷，故两个键合基底10的感生电荷之间会存在作用力。在本实施例中，由于两个键合基底10的感生电荷为同种电荷，故该作用力为排斥力。
[0056]两个键合基底10上的金属焊盘100的对准精度不同时，即，两个键合基底10在与背面S平行的方向上的相对位置不同(此时两个键合基底10之间的间隔仍保持为H)时，两个键合基底10之间的所述作用力不相同。当两个键合基底10的对准精度越高时，两个键合基底10之间的所述作用力越大；反之，当两个键合基底10的对准精度越低时，两个键合基底10之间的所述作用力越小。
[0057]基于上述原理，在本发明的技术方案中，在两个键合基底10的金属焊盘100的上表面产生感生电荷之后，找到两个键合基底10上的感生电荷之间作用力达到最大时两个键合基底10所对应的位置，将所述作用力最大时两个键合基底10的位置作为对准位置，在所述对准位置将两个键合基底10上的金属焊盘100对准。S卩，本发明的技术方案根据两个键合基底10之间的所述作用力大小来确定两个键合基底10的金属焊盘100的对准位置。
[0058]具体地，在本发明中，重复对两个键合基底10进行对准调节的步骤若干次，所述对准调节的步骤包括:使其中一个键合基底10平面移动至初对准位置，在所述初对准位置对两个键合基底10上的感生电荷之间的作用力进行测量，每次所述对准调节步骤中的所述初对准位置不同，将所述作用力达到最大值时两个键合基底10所对应的位置作为对准位置。在本发明中，键合基底10作平面移动是指:键合基底10仅做沿与键合基底10背面S平行的方向的移动，在其中一个键合基底10平面移动的过程中，两个键合基底10的间隔始终保持为H。
[0059]为了确保所获得的两个键合基底10的金属焊盘100的对准位置具有较高的精度，重复对两个键合基底10进行对准调节的次数应尽可能的多一些，前后两次对准调节步骤中的所述初对准位置之间的距离应尽可能的小一些。
[0060]在每次所述对准调节步骤中，均记录下两个键合基底10的位置、以及在该位置所测量获得的所述作用力。这样一来，在重复对两个键合基底10进行对准调节的步骤若干次之后，可以比较各次所述对准调节步骤中测量所获得的作用力的相对大小，并找出最大的所述作用力、以及最大的所述作用力所对应的两个键合基底10的位置。
[0061]需说明的是，在本发明的技术方案中，对对准调节步骤中的所述初对准位置并没有具体限制，只要使得在所述初对准位置两个键合基底10上的金属焊盘100不会存在太大的偏离即可。为了使所述初对准位置能够更为接近所述对准位置，可以根据两个键合基底10上的对准标记(未图示)来确定所述初对准位置。
[0062]在本实施例中，若干次所述对准调节步骤中，定义相邻的三次所述对准调节步骤按照时间先后依次为第一对准调节步骤、第二对准调节步骤、第三对准调节步骤；所述第三对准调节步骤中的所述初对准位置位于:所述第一对准调节步骤和第二对准调节步骤中所述作用力较大的步骤所对应的所述初对准位置附近。即，若所述第一对准调节步骤中的所述作用力大于所述第二对准调节步骤中的所述作用力，则所述第三对准调节步骤中的所述初对准位置位于所述第一对准调节步骤中的所述初对准位置附近。反之，若所述第一对准调节步骤中的所述作用力小于所述第二对准调节步骤中的所述作用力，则所述第三对准调节步骤中的所述初对准位置位于所述第二对准调节步骤中的所述初对准位置附近。
[0063]这样一来，若干次所述对准调节步骤中，在第一次对准调节步骤、以及第二次对准调节步骤之后进行的每次所述对准调节步骤中的所述初对准位置，都可以根据前两次所述对准调节步骤中的所述作用力来确定，使得确定的所述初对准位置能够越来越接近键合基底10的对准位置，从而减少了所述对准调节步骤的次数，提高了对准调节的效率。
[0064]在本实施例中，所述对准调节步骤包括:图4所示的沿第一方向X的对准调节、以及图5所示的沿第二方向Y的对准调节，第一方向X与第二方向Y垂直，并均与键合基底10的背面S平行，键合基底10上的金属焊盘100沿第一方向X、第二方向Y间隔排列。
[0065]如图4所示，所述沿第一方向X的对准调节为:使其中一个键合基底10沿第一方向X移动至初对准位置，在所述初对准位置对两个键合基底10上的感生电荷之间的作用力进行测量。
[0066]如图5所示，所述沿第二方向Y的对准调节为:使其中一个键合基底10沿第二方向Y移动至初对准位置，在所述初对准位置对两个键合基底10上的感生电荷之间的作用力进行测量。
[0067]重复对两个键合基底10进行对准调节的步骤若干次中:首先，重复沿第一方向X的对准调节若干次，并将所述作用力达到最大值时两个键合基底10所对应的位置作为第一方向X上的对准位置，即，在执行沿第一方向X的对准调节步骤时，两个键合基底10在第二方向Y上的位置保持不变；然后，重复沿第二方向Y的对准调节若干次，并将所述作用力达到最大值时两个键合基底10所对应的位置作为第二方向Y上的对准位置，即，在执行沿第二方向Y的对准调节步骤时，两个键合基底10在第一方向X上的位置保持不变。换言之，在本实施例的技术方案中，首先找出两个键合基底10在第一方向X上的对准位置，然后找出两个键合基底10在第二方向Y上的对准位置。
[0068]若干次所述沿第一方向X的对准调节中，在第一次对准调节步骤、以及第二次对准调节步骤之后进行的每次所述对准调节步骤中的所述初对准位置，都可以根据前两次所述对准调节步骤中的所述作用力来确定，使得确定的所述初对准位置能够越来越接近键合基底10在第一方向X上的对准位置，从而减少了所述沿第一方向X的对准调节次数，提高了对准调节的效率。参考图4，当其中一个键合基底10从图4(a)所示的位置沿第一方向X移动至图4(b)所示的位置时，该键合基底10的位置越来越接近键合基底10在第一方向X上的对准位置。
[0069]若干次所述沿第二方向Y的对准调节中，在第一次对准调节步骤、以及第二次对准调节步骤之后进行的每次所述对准调节步骤中的所述初对准位置，都可以根据前两次所述对准调节步骤中的所述作用力来确定，使得确定的所述初对准位置能够越来越接近键合基底10在第二方向Y上的对准位置，从而减少了所述沿第二方向Y的对准调节次数，提高了对准调节的效率。参考图5，当其中一个键合基底10从图5(a)所示的位置沿第二方向Y移动至图5(b)所示的位置时，该键合基底10的位置越来越接近键合基底10在第二方向Y上的对准位置。
[0070]重复沿第一方向X或第二方向Y的对准调节若干次中，可以始终移动同一个键合基底10，也可以交替地移动两个键合基底10。
[0071]在具体实施例中，重复沿第一方向X的对准调节若干次、以及重复沿第二方向Y的对准调节若干次中，均是始终移动同一个键合基底10，即另一个键合基底10始终保持静止不动。在确定两个键合基底10的对准位置过程中:
[0072]首先，移动其中一个键合基底10，使其中一个键合基底10相对于另一个键合基底10在第一方向X上的位置发生变化，并对两个键合基底10上的感生电荷之间的作用力进行测量。所述作用力达到最大值时，将两个键合基底10所对应的位置作为第一方向X上的对准位置，在此位置下，两个键合基底10实现了第一方向X的对准。
[0073]然后，继续移动同一个键合基底10，使其中一个键合基底10相对于另一个键合基底10在第二方向Y上的位置发生变化，并对两个键合基底10上的感生电荷之间的作用力进行测量。所述作用力达到最大值时，将两个键合基底10所对应的位置作为第二方向Y上的对准位置，在此位置下，两个键合基底10实现了第二方向Y的对准。
[0074]在实际制造过程中，键合基底10上各个金属焊盘100的凸出高度往往并不一致。将两个键合基底10上的金属焊盘100对准过程中，在使其中一个键合基底10平面移动至初对准位置时，由于两个键合基底10上的金属焊盘100的感生电荷相反，故当两个键合基底10上较高的金属焊盘100距离较近时，感生电荷之间的排斥力会构成两个键合基底10继续靠近的阻力，进而防止发生两个键合基底10上较高的金属焊盘100相撞的问题。
[0075]施加给静电吸盘20的电压大小会直接影响键合基底10的金属焊盘100上产生的感生电荷，进而影响了两个键合基底10之间的所述作用力大小。经研究发现，若施加给静电吸盘20的电压绝对值过小，会导致金属焊盘100上产生的感生电荷过少，进而造成两个键合基底10之间的所述作用力过小。当两个键合基底10的相对位置发生变化时，两个键合基底10之间的所述作用力的变化量也会很小，这样一来，会对所述作用力的测量精度提出更为严格的要求。另外，当两个键合基底10之间的所述作用力过小时，对该作用力的测量也变得更为困难。
[0076]经研究发现，当施加给静电吸盘20的电压绝对值大于500V时能够避免上述问题的发生。当然，施加给静电吸盘20的电压绝对值也不能过大，否则会浪费能源，增加成本。在本实施例中，施加给静电吸盘20的电压绝对值小于20000V。
[0077]需说明的是，在本发明的技术方案中，使键合基底10的金属焊盘100的上表面产生感生电荷的方法并不应局限于上述实施例，也可以采用其他方法来使金属焊盘100的上表面产生感生电荷。例如，可以直接向键合基底10施加电压，以使金属焊盘100的上表面产生感生电荷。
[0078]在本实施例中，测量两个键合基底10的感生电荷之间的作用力方法为:利用一固定装置将键合基底10的外周面固定住，在键合基底10的背面固定一位于键合基底10中央位置的立柱，在两个键合基底10的感生电荷之间的作用力作用下，键合基底10会产生形变，由于所述立柱的高度(与键合基底的正面垂直方向上的尺寸)与所述形变关联、所述形变与所述作用力关联，因此，通过测量所述立柱的高度即能够获得所述作用力。当然，在其他实施例中，也可以通过其他方法来测量所述作用力。
[0079]如图6所示，对准之后，使其中一个键合基底10沿与所述正面垂直的方向移动，将两个键合基底10键合在一起，以形成三维封装结构。
[0080]在本实施例中，使其中一个键合基底10沿与所述正面垂直的方向移动的方法为:使两个键合基底10的金属焊盘100上表面产生的感生电荷电性相反，其中一个键合基底10在所述感生电荷的吸引力作用下向另一个键合基底10靠近，在两个键合基底10靠近的过程中，感生电荷之间的吸引力能够引导其中一个键合基底10移动，防止该键合基底10在与移动方向垂直的方向上晃动，使得在两个键合基底10之间的间隔消除的时刻，两个键合基底10的对准精度与之前对准步骤中所获得的对准精度保持一致，这样一来，在将两个键合基底10键合在一起之后，能够避免两个键合基底10上的金属焊盘100短路的问题发生。
[0081]第二实施例
[0082]第二实施例与第一实施例之间的区别在于:在第二实施例中，如图7所示，两个静电吸盘20施加的电压为异种电压，其中一个为正电压、另一个为负电压，两个键合基底10的金属焊盘100的上表面产生异种感生电荷，其中一个为正电荷、另一个为负电荷。
[0083]静电吸盘20被施加正电压时，被吸附在静电吸盘20上的键合基底10的背面S产生感生负电荷，金属焊盘100的上表面产生感生正电荷。静电吸盘20被施加负电压时，被吸附在静电吸盘20上的键合基底10的背面S产生感生正电荷，金属焊盘100的上表面产生感生负电荷。
[0084]在本实施例中，由于两个键合基底10的感生电荷为异种电荷，故两个键合基底10上的感生电荷之间的作用力为吸引力。
[0085]在第二实施例中，重复对两个键合基底10进行对准调节的步骤若干次过程可以参考第一实施例，在此不再赘述。
[0086]需说明的是，在第二实施例中，两个键合基底之间的间隔H应该保持在安全范围内，以防止两个键合基底10之间会因放电而击穿。
[0087]在第一、二实施例中，施加给两个静电吸盘20的电压绝对值可以相等，也可以不相等。
[0088]本发明中，各实施例采用递进式写法，重点描述与前述实施例的不同之处，各实施例中的相同部分可以参照前述实施例。
[0089]虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
【主权项】
1.一种三维封装结构的形成方法，其特征在于，包括: 提供两个键合基底，所述键合基底具有位于正面的金属焊盘，两个所述键合基底的正面相对间隔设置； 使两个所述键合基底的金属焊盘的上表面产生感生电荷； 找到两个所述键合基底上的感生电荷之间作用力达到最大时两个所述键合基底所对应的位置，将所述作用力最大时两个所述键合基底的位置作为对准位置，在所述对准位置将所述两个键合基底上的金属焊盘对准； 对准之后，将所述两个键合基底键合在一起。2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，找到所述对准位置的方法为: 重复对两个所述键合基底进行对准调节的步骤若干次，所述对准调节的步骤包括:使其中一个所述键合基底平面移动至初对准位置，在所述初对准位置对两个所述键合基底上的感生电荷之间的作用力进行测量，每次所述对准调节步骤中的所述初对准位置不同。3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述对准调节的步骤包括: 沿第一方向的对准调节、以及沿第二方向的对准调节，所述第一方向与第二方向垂直并均与所述背面平行，所述键合基底上的金属焊盘沿所述第一方向、第二方向间隔排列； 所述沿第一方向的对准调节为:使其中一个所述键合基底沿所述第一方向移动至初对准位置，在所述初对准位置对两个所述键合基底上的感生电荷之间的作用力进行测量； 所述沿第二方向的对准调节为:使其中一个所述键合基底沿所述第二方向移动至初对准位置，在所述初对准位置对两个所述键合基底上的感生电荷之间的作用力进行测量； 重复对两个所述键合基底进行对准调节的步骤若干次中:首先，重复所述沿第一方向的对准调节若干次，并将所述作用力达到最大值时两个所述键合基底所对应的位置作为第一方向上的对准位置；然后，重复所述沿第二方向的对准调节若干次，并将所述作用力达到最大值时两个所述键合基底所对应的位置作为第二方向上的对准位置。4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，若干次所述对准调节步骤中，定义相邻的三次所述对准调节步骤按照时间先后依次为第一、二、三对准调节步骤； 所述第三对准调节步骤中的所述初对准位置位于:所述第一、二对准调节步骤中所述作用力较大的步骤所对应的所述初对准位置附近。5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，使两个所述键合基底的金属焊盘的上表面产生感生电荷的方法包括:将所述键合基底的背面吸附在静电吸盘上，使所述金属焊盘的上表面产生有感生电荷。6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，施加给所述静电吸盘的电压绝对值为500V 至 20000V。7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，两个所述键合基底的金属焊盘上表面产生的感生电荷电性相同。8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对准之后，使两个所述键合基底的金属焊盘上表面产生的感生电荷电性相反，其中一个所述键合基底在所述感生电荷的吸引力作用下向另一个所述键合基底靠近； 当两个所述键合基底接触时，将所述两个键合基底键合在一起。9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述键合基底还具有位于正面的绝缘层，相邻两所述金属焊盘被所述绝缘层隔开。10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述金属焊盘凸出于绝缘层的表面。11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述金属焊盘的凸出高度为50埃至1000 埃。12.如权利要求1至11任一项所述的形成方法，其特征在于，所述金属焊盘的材料为铜。
【文档编号】H01L21/68GK105826228SQ201510006918
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2015年1月7日
【发明人】陈福成, 刘尧, 施林波
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司