半导体结构的形成方法
【专利摘要】本发明提供一种半导体结构的形成方法，所述形成方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆中形成有MEMS结构，第二晶圆中形成有TSV结构，因此第一晶圆和第二晶圆形成的晶圆键合结构能够用于制作MEMS-TSV键合结构，通过浸入刻蚀液中的湿法刻蚀，同步对第一晶圆和第二晶圆进行晶圆背面减薄，对第一晶圆和第二晶圆的损伤较小，有效提高了MEMS-TSV键合结构的生产效率。由于第一晶圆和第二晶圆之间密封，刻蚀液不会从对第一晶圆和第二晶圆之间进入晶圆键合结构，不会对晶圆键合结构造成损伤，提高了MEMS-TSV键合结构的质量。
【专利说明】
半导体结构的形成方法
技术领域
[0001]本发明涉半导体领域，具体涉及一种半导体结构的形成方法。
【背景技术】
[0002]随着半导体技术的发展，微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System, MEMS)成为目前半导体技术的研究热点。
[0003]微机电系统通常具有复杂的多层结构，需要多个晶圆键合在一起形成。因此，MEMS-TSV键合结构成为目前MEMS制造技术的重点研究对象，例如，在第一晶圆中形成MEMS空腔结构和工作电路，在第二晶圆中形成TSV(through-silicon via，穿透娃互连)互连结构，之后将第一晶圆和第二晶圆键合在一起，形成具有完整功能的微机电系统。第一晶圆和第二晶圆键合之后，还可以继续将第二晶圆与具有MEMS空腔结构和工作电路的第三晶圆键合在一起，形成第一、第二、第三晶圆键合在一起的晶圆键合结构，以形成更为复杂的微机电系统。
[0004]参考图1至图4，示出了现有技术一种MEMS-TSV键合结构形成方法的剖视图。
[0005]参考图1，第一晶圆20中包括第一衬底21、位于第一衬底21上的MEMS空腔结构23和工作电路22，第二晶圆10中包括第二衬底11，位于第二衬底11上的互连结构13，第一晶圆20和第二晶圆10通过晶圆键合部件30连接在一起，使MEMS空腔结构23、工作电路22和互连结构13电连接。在第二衬底11中形成有TSV结构12，所述TSV结构12与互连结构13相连，用于为工作电路22提供电信号的输入输出。这样第一晶圆20和第二晶圆10键合形成MEMS-TSV键合结构，所述MEMS-TSV键合结构可以分隔成多个微机电系统工作单元。
[0006]参考图2，现有技术中，为使形成的微机电系统工作单元体积更小，在第一晶圆20和第二晶圆10键合在一起之后，对第一晶圆20进行背面减薄，即去除部分厚度的衬底21。通常采用机械研磨的工艺第一晶圆20进行背面减薄，但是机械研磨可能损伤衬底21，进而可能影响MEMS空腔结构23和工作电路22的性能。
[0007]参考图3、图4，在减薄第一晶圆20之后，还要对第二衬底11进行干法刻蚀，使TSV结构12露出，在所述TSV结构12上形成金属端子14，在金属端子14上形成露出部分金属端子14的绝缘层15。所述金属端子14用于与外部电源相连，为互连结构13提供电信号的输入输出。
[0008]但是干法刻蚀去除第二衬底11的厚度较大，成本较高，并且只能对单片晶圆作业，批量生产时花费时间较长。生产效率比较低。
【发明内容】
[0009]本发明解决的问题是提供一种半导体结构的形成方法，提高MEMS-TSV键合结构的生产效率。
[0010]为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括:
[0011]提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆中形成有MEMS结构，所述第二晶圆中形成有TSV结构；
[0012]使所述第一晶圆与所述第二晶圆键合在一起，形成晶圆键合结构；
[0013]对第一晶圆和第二晶圆之间的区域进行密封处理；
[0014]将所述晶圆键合结构浸入刻蚀液中，对所述晶圆键合结构进行湿法刻蚀，同步对第一晶圆和第二晶圆进行晶圆背面减薄。
[0015]可选的，所述湿法刻蚀的刻蚀液包括:TMAH溶液。
[0016]可选的，所述第一晶圆中形成有与所述MEMS结构相连的工作电路，所述第二晶圆上形成有与所述TSV结构相连的互连结构；使所述第一晶圆与所述第二晶圆键合在一起，形成晶圆键合结构的步骤中，所述第一晶圆的工作电路与所述第二晶圆的互连结构相连。
[0017]可选的，同步对第一晶圆和第二晶圆进行晶圆背面减薄的步骤包括:使第二晶圆中的TSV结构露出。
[0018]可选的，同步对第一晶圆和第二晶圆进行晶圆背面减薄的步骤包括:使第一晶圆的厚度减小200到400微米。
[0019]可选的，同步对第一晶圆和第二晶圆进行晶圆背面减薄的步骤包括:使第二晶圆的厚度减小200到400微米。
[0020]可选的，在对第一晶圆和第二晶圆之间的区域进行密封处理的步骤之后，将所述晶圆键合结构浸入刻蚀液中之前，所述形成方法还包括:对所述第二晶圆背面进行预减薄。
[0021]可选的，对所述第二晶圆背面进行预减薄的步骤包括:采用机械研磨、干法刻蚀或者湿法刻蚀的方法，对所述第二晶圆背面进行预减薄。
[0022]可选的，在同步对第一晶圆和第二晶圆进行晶圆背面减薄之后，所述形成方法还包括:对所述第二晶圆背面进行再次减薄，使第二晶圆中的TSV结构露出。
[0023]可选的，对第一晶圆和第二晶圆之间的区域进行密封处理的步骤包括:在第一晶圆和第二晶圆键合面的边缘区域形成密封结构。
[0024]可选的，在第一晶圆和第二晶圆键合面的边缘区域形成密封结构的步骤包括:在第一晶圆和第二晶圆键合面的边缘区域涂布胶体材料，对所述晶圆键合结构进行烘烤，使所述胶体材料固化，形成密封结构。
[0025]可选的，所述胶体材料为环氧树脂。
[0026]与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点:
[0027]本发明第一晶圆中形成有MEMS结构，第二晶圆中形成有TSV结构，因此第一晶圆和第二晶圆形成的晶圆键合结构能够用于制作MEMS-TSV键合结构，通过浸入刻蚀液中的湿法刻蚀，同步对第一晶圆和第二晶圆进行晶圆背面减薄，对第一晶圆和第二晶圆的损伤较小，有效提高了 MEMS-TSV键合结构的生产效率。由于第一晶圆和第二晶圆之间的区域密封，刻蚀液不会从第一晶圆和第二晶圆之间进入晶圆键合结构，进而不会对MEMS-TSV键合结构造成损伤，提高了 MEMS-TSV键合结构的质量。
【附图说明】
[0028]图1至图4是现有技术一种MEMS-TSV键合结构形成方法的示意图；
[0029]图5至图9是本发明半导体结构的形成方法一实施例中各个步骤的剖视图；
[0030]图10至图11是本发明半导体结构的形成方法一实施例中各个步骤的剖视图。
【具体实施方式】
[0031 ] 如【背景技术】所述，在MEMS-TSV键合结构的制造过程中，为使形成的工作单元体积更小，通常采用机械研磨的工艺对第一晶圆进行晶圆背面减薄，但是机械研磨可能损伤衬底第一晶圆，进而可能影响MEMS结构和工作电路的性能。在减薄第一晶圆之后，还要对第二晶圆进行干法刻蚀，使TSV结构露出，但是干法刻蚀减薄第二晶圆的厚度较大，成本较高，并且只能对单片晶圆作业，批量生产时花费时间较长，生产效率比较低。
[0032]为了解决上述技术问题，本发明提出一种半导体结构的形成方法，本发明第一晶圆中形成有MEMS结构，第二晶圆中形成有TSV结构，因此第一晶圆和第二晶圆形成的晶圆键合结构能够用于制作MEMS-TSV键合结构，通过浸入刻蚀液中的湿法刻蚀，同步对第一晶圆和第二晶圆进行晶圆背面减薄，对第一晶圆和第二晶圆的损伤较小，有效提高了MEMS-TSV键合结构的生产效率。由于第一晶圆和第二晶圆之间的区域密封，刻蚀液不会从第一晶圆和第二晶圆之间进入晶圆键合结构，进而不会对MEMS-TSV键合结构造成损伤，提高了 MEMS-TSV键合结构的质量。
[0033]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0034]参考图5至图9，示出了本发明半导体结构的形成方法一实施例各个步骤的剖视图。
[0035]参考图5，提供第一晶圆200和第二晶圆100。
[0036]在本实施例中，所述第一晶圆200包括第一衬底201，第二晶圆100包括第二衬底101，所述第一衬底201和第二衬底101均为硅衬底，在其他实施例中，所述衬底还可以为锗硅衬底或绝缘体上硅衬底等其它半导体衬底，对此本发明不做任何限制。
[0037]本实施例中，所述第一晶圆200和第二晶圆100用于形成MEMS-TSV键合结构。所述第一晶圆200包括第一衬底201，以及在第一衬底201上依次形成的第一介质层204和第二介质层205，在第一介质层204中形成有工作电路202，在第二介质层205中形成有MEMS结构203。
[0038]具体地，在本实施例中，所述第一介质层204的材料为氧化硅，所述第二介质层205的材料为硅。如图5所示，所述MEMS结构203为位于第二介质层205中包含空腔的结构。
[0039]所述第二晶圆100包括第二衬底101以及在第二衬底101上形成的第三介质层110，所述第三介质层110中形成有互连结构103，所述第二衬底101中形成有TSV结构102，所述TSV结构102与所述互连结构103相连，用于在第一晶圆和第二晶圆键合在一起之后，所述TSV结构102为互连结构103提供电信号的输入输出。
[0040]在本实施例中，所述第三介质层110的材料为氧化硅，所述互连结构103的材料为铜，所述TSV结构102的材料为铜，但是本发明对第三介质层110、互连结构103、TSV结构102的材料均不做限制。在其他实施例中，所述互连结构103和TSV结构102的材料还可以为铝。
[0041]在本实施例中，所述第一晶圆200上还形成有第一金属垫301，所述第二晶圆100上还形成有第二金属垫302。所述第一金属垫301和第二金属垫302用于将第一晶圆200和第二晶圆100键合在一起。
[0042]需要说明的是，在本实施例中，所述第一衬底201的厚度Hl为700微米，所述第二衬底101的厚度H2为700微米，但是本发明对所述第一衬底201和第二衬底101的厚度不做限制，可选的，所述第一衬底201的厚度Hl可以在600到800微米的范围内，所述第二衬底101的厚度H2可以在600到800微米的范围内。还需要说明的是，在本实施例中，所述TSV结构102端部与所述第二衬底101表面的距离H3为600微米，即所述TSV结构102端部与所述第二晶圆100背面的距离为600微米。
[0043]继续参考图5，将所述第一晶圆200键合在第二晶圆100上，形成晶圆键合结构。本实施例中，所述晶圆键合结构用于形成MEMS-TSV键合结构。
[0044]具体地，在本实施例中，采用所述第一金属垫301和第二金属垫302将所述第一晶圆200和第二晶圆100键合在一起。本实施例中，所述第一金属垫301和第二金属垫302的材料为铝，所述第一金属垫301和第二金属垫302可以通过与锗材料发生共晶反应结合在一起。但是本发明对所述第一晶圆200和第二晶圆100的具体键合工艺不做限制，对第一金属垫301和第二金属垫302的材料也不做限制。
[0045]需要说明的是，所述第一晶圆200和第二晶圆100键合之后，第一晶圆200和第二晶圆100相对的表面为键合面。
[0046]继续参考图5，将第一晶圆200和第二晶圆100之间的区域进行密封处理。
[0047]本实施例中，在第一晶圆200和第二晶圆100键合面的边缘区域形成密封结构303，使第一晶圆200和第二晶圆100之间密封。
[0048]具体地，在本实施例中，在第一晶圆200和第二晶圆100键合面的边缘区域涂布胶体材料，对所述晶圆键合结构进行烘烤，使所述胶体材料固化，形成密封结构303。可以采用具有胶体涂布功能的针头，围绕所述晶圆键合结构一周，对所述第一晶圆200和第二晶圆100键合面的边缘区域涂布胶体材料。采用涂布胶体材料的方式将所述第一晶圆200和第二晶圆100之间的区域密封，操作方法简捷，密封效果较好，但是本发明对将第一晶圆和第二晶圆之间的区域的具体方法不做限制。
[0049]需要说明的是，在本实施例中，所述胶体材料为环氧树脂。环氧树脂的固化温度较低，对晶圆键合结构的影响较小，并且密封性强，但是本发明对所述胶体材料的具体材料不做限制。
[0050]参考图6，将所述晶圆键合结构浸入刻蚀液中，对所述晶圆键合结构进行湿法刻蚀，同步对第一晶圆200和第二晶圆100进行晶圆背面减薄。
[0051]具体地，本实施例中，所述第一晶圆200背面为第一衬底201背离第一介质层204的表面，所述第二晶圆100背面为第二衬底101背离第三介质层110的表面。
[0052]同步对第一晶圆200和第二晶圆100进行晶圆背面减薄的目的在于，使晶圆键合结构减薄，以使形成的MEMS-TSV结构体积更小，并且露出第二晶圆100中的TSV结构102，或者使TSV结构102更加接近第二晶圆100的背面。
[0053]在本实施例中，同步对第一晶圆200和第二晶圆100进行晶圆背面减薄的步骤包括:去除部分厚度的第一衬底201，去除部分厚度的第二衬底101，使第二晶圆100中的TSV结构102端部接近第二晶圆100的背面。
[0054]需要说明的是，本实施例中，由于第一衬底201和第二衬底101的材料相同，刻蚀液去除第一衬底201和第二衬底101的速率也相同。因此，当需要去除的第一衬底201和第二衬底101的厚度相同时，采用将所述晶圆键合结构浸入刻蚀液的湿法刻蚀，能够通过一次湿法刻蚀完成对第一晶圆200和第二晶圆100的减薄，并且第二晶圆100中TSV结构102端部接近第二晶圆100的背面，有效提高了生产效率。
[0055]通过浸入刻蚀液中的湿法刻蚀，对第一晶圆200和第二晶圆100进行晶圆背面减薄，对第一晶圆200和第二晶圆100的损伤较小。相对于现有技术采用机械研磨的方法减薄第一晶圆，本发明采用湿法刻蚀对第一晶圆200进行晶圆背面减薄，不容易对第一晶圆200中，尤其是第一衬底201中的半导体器件、电路等造成损伤，进而有利于提高后续形成的MEMS-TSV键合结构的质量。
[0056]此外，由于本实施例中第一晶圆200和第二晶圆100之间的区域密封，刻蚀液不会从第一晶圆和第二晶圆之间进入晶圆键合结构，进而不会对第一晶圆200和第二晶圆100之间露出的第一金属垫301、第二金属垫302以及MEMS结构203或其他半导体器件造成损伤，进而提高了后续形成的MEMS-TSV键合结构的质量。
[0057]需要说明的是，当需要去除的第一衬底201和第二衬底101的厚度不同时，通过浸入刻蚀液中的湿法刻蚀，能够去除相同厚度的第一晶圆200和部分厚度的第二晶圆100，对于需要去除厚度更大的第一晶圆200或第二晶圆100，可以在通过浸入刻蚀液中的湿法刻蚀之前或之后，单独去除部分厚度的第一晶圆200或第二晶圆100。
[0058]在本实施例中，第一晶圆200中还形成有与MEMS结构203相连的其他半导体器件，因此第一晶圆200背面需要减薄的厚度为300微米，即需要去除的第一衬底201厚度为300微米。由于所述TSV结构102端部与所述第二衬底101表面的距离H3为600微米，因此需要去除的第二衬底101厚度为600微米，以露出第二晶圆100中TSV结构102端部。
[0059]因此，在本实施例中，通过浸入刻蚀液中的湿法刻蚀，同步对第一晶圆200和第二晶圆100进行晶圆背面减薄，去除300微米厚的第一衬底201，以及300微米厚的第二衬底101，使第一衬底201的厚度Hl减小到400微米，第二衬底101的厚度Hl也减小到400微米。由于在同步对第一晶圆200和第二晶圆100进行晶圆背面减薄之前，所述TSV结构102端部与所述第二衬底101表面的距离H3为600微米，去除300微米厚的第二衬底101，能够使所述TSV结构102端部接近第二晶圆背面。
[0060]通过本实施例中浸入刻蚀液中的湿法刻蚀，第一衬底201的厚度Hl和第二衬底101的厚度H2同时被减小了 300微米，并且所述浸入刻蚀液中的湿法刻蚀步骤可以对多个晶圆键合结构同时作业，有效提高了减薄晶圆键合结构的速率，也提高了露出所述TSV结构102端部的速率，进而提高了 MEMS-TSV键合结构的生产效率。
[0061]需要说明的是，本发明对同步对第一晶圆200和第二晶圆100进行晶圆背面减薄的步骤中，减薄第一晶圆200和第二晶圆100的厚度不做限制，可选的，通过浸入刻蚀液中的湿法刻蚀，减薄第一晶圆200和第二晶圆100的厚度还可以在200到400微米。
[0062]还需要说明的是，本实施例中，在将所述晶圆键合结构浸入刻蚀液中，对所述晶圆键合结构进行湿法刻蚀的步骤中，所采用的刻蚀液为TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液，TMAH溶液对硅材料的第一衬底201和第二衬底101刻蚀效果较好，对第一晶圆200和第二晶圆100中的其他半导体器件不容易造成损伤。但是本发明对所述湿法刻蚀采用的刻蚀液不做限制。
[0063]参考图7，在所述浸入刻蚀液中的湿法刻蚀步骤之后，对所述第二晶圆100背面进行再次减薄，使第二晶圆100中的TSV结构102露出。
[0064]具体地，本实施例中对所述第二衬底101进行干法刻蚀，继续去除部分厚度的第二衬底101，使所述TSV结构102端部露出。
[0065]在所述干法刻蚀的刻蚀过程中，刻蚀设备吸附第一晶圆200，使刻蚀气体单独对所述第二晶圆100上的第二衬底101进行刻蚀，因此干法刻蚀不会对第一衬底201造成影响。干法刻蚀对TSV结构102的影响较小，并且在干法刻蚀露出所述TSV结构102端部后，所述TSV结构102会部分凸出于第二衬底101表面，有利于后续在第二衬底101上形成绝缘层之后，所述TSV结构102容易露出绝缘层。
[0066]但是本发明对在所述浸入刻蚀液中的湿法刻蚀步骤之后，继续去除部分厚度的第二衬底101的具体方法不做限制，在其他实施例中，还可以采用机械研磨或者湿法刻蚀的方法继续去除部分厚度的第二衬底101。例如，可以采用金刚石研磨头对所述第二衬底101表面进行机械研磨，机械研磨去除第二衬底101的速率较快。需要说明的是，这里的机械研磨或者湿法刻蚀的方法，均为吸附所述第一晶圆200后，单独对第二晶圆100进行处理，以避免损伤到第一晶圆200。
[0067]参考图8，在干法刻蚀露出所述TSV结构102端部，使所述TSV结构102会部分凸出于第二衬底101表面之后，在所述第二衬底101上形成绝缘层104，所述绝缘层104露出TSV结构102端部。
[0068]具体地，可以在所述第二衬底101和所述TSV结构102上覆盖绝缘材料层(未示出)，通过干法刻蚀或是湿法刻蚀去除所述TSV结构102端部上的绝缘材料层，剩余的绝缘材料层形成所述绝缘层104，所述绝缘层104露出TSV结构102端部。
[0069]所述绝缘层104用于使后续形成的金属端子与第二衬底102绝缘。在本实施例中，所述绝缘层104的材料为氧化硅。
[0070]参考图9，在所述TSV结构102上形成金属端子105，在金属端子105上形成露出部分金属端子105的保护层106。所述金属端子105用于与外部电源相连，为互连结构103提供电信号的输入输出。
[0071]所述保护层106的形成方法包括，在所述TSV结构102以及绝缘层104上涂布光阻材料，对所述光阻材料继续曝光显影，去除部分金属端子105上的光阻材料，剩余的光阻材料形成所述保护层106，所述保护层106中具有露出部分金属端子105的开口。
[0072]这样即形成了 MEMS-TSV键合结构，本实施例形成的MEMS-TSV键合结构的质量较好，并且生产效率较高。所述MEMS-TSV键合结构可以经过切割封装等工艺形成微机电系统工作单元。
[0073]参考图10至图11，示出了本发明半导体结构的形成方法另一实施例的示意图。本发明半导体结构的形成方法另一实施例与上述实施例的步骤大致相同，与上述实施例相同的步骤在此不再赘述，与上述实施例不同之处在于:
[0074]请参考图10，在第一晶圆200和第二晶圆100边缘区域之间密封之后，将所述晶圆键合结构浸入刻蚀液中之前，对所述第二晶圆100背面进行预减薄。在本实施例中，对所述第二晶圆100背面进行预减薄的步骤即去除部分厚度的第二衬底101。
[0075]在本实施例中，去除第二衬底101的厚度为300微米，在去除部分厚度的第二衬底
101之后，所述第二衬底101的厚度H2减小为400微米。
[0076]在本实施例中，所述第二晶圆100背面进行预减薄的方法为机械研磨，具体地，可以采用金刚石研磨头对所述第二衬底101表面进行机械研磨，机械研磨去除第二衬底101的速率较快。但是本发明对所述第二晶圆100背面进行预减薄的具体方法不做限制，在其他实施例中，还可以采用干法刻蚀或者湿法刻蚀去除部分厚度的第二衬底101。需要说明的是，这里的干法刻蚀或者湿法刻蚀的方法，均为吸附所述第一晶圆200后，单独对所述第二晶圆100背面进行预减薄，以避免损伤到第一晶圆200。
[0077]参考图11，在所述第二晶圆100背面进行预减薄之后，将所述晶圆键合结构浸入刻蚀液中，对所述晶圆键合结构进行湿法刻蚀，去除部分厚度的第一晶圆200和部分厚度的第二晶圆100，使第二晶圆100中的TSV结构102端部露出第二晶圆100背向第一晶圆200方向的表面。
[0078]在本实施例中，将所述晶圆键合结构浸入刻蚀液中，对所述晶圆键合结构进行湿法刻蚀，去除第一衬底201和第二衬底101的厚度为300微米，在所述湿法刻蚀之后，所述第一衬底201的厚度减小为400微米，所述TSV结构102露出第二衬底101的表面。
[0079]本实施例中，先采用机械研磨的方法去除部分厚度的第二衬底101，去除第二衬底101的速率较快。再通过圆键合结构浸入刻蚀液中，对所述晶圆键合结构进行湿法刻蚀，同时去除部分厚度的第一衬底201和第二衬底101。湿法刻蚀能够将机械研磨在第二衬底101上形成的粗糙表层去除，使得后续在第二衬底101表面形成的绝缘层和金属端子形貌更好。
[0080]以上所述仅为本发明的具体实施例，目的是为了使本领域技术人员更好的理解本发明的精神，然而本发明的保护范围并不以该具体实施例的具体描述为限定范围，任何本领域的技术人员在不脱离本发明精神的范围内，可以对本发明的具体实施例做修改，而不脱离本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括: 提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆中形成有MEMS结构，所述第二晶圆中形成有TSV结构； 使所述第一晶圆与所述第二晶圆键合在一起，形成晶圆键合结构； 对第一晶圆和第二晶圆之间的区域进行密封处理； 将所述晶圆键合结构浸入刻蚀液中，对所述晶圆键合结构进行湿法刻蚀，同步对第一晶圆和第二晶圆进行晶圆背面减薄。2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀液包括:TMAH溶液。3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一晶圆中形成有与所述MEMS结构相连的工作电路，所述第二晶圆上形成有与所述TSV结构相连的互连结构；使所述第一晶圆与所述第二晶圆键合在一起，形成晶圆键合结构的步骤中，所述第一晶圆的工作电路与所述第二晶圆的互连结构相连。4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，同步对第一晶圆和第二晶圆进行晶圆背面减薄的步骤包括:使第二晶圆中的TSV结构露出。5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，同步对第一晶圆和第二晶圆进行晶圆背面减薄的步骤包括:使第一晶圆的厚度减小200到400微米。6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，同步对第一晶圆和第二晶圆进行晶圆背面减薄的步骤包括:使第二晶圆的厚度减小200到400微米。7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在对第一晶圆和第二晶圆之间的区域进行密封处理的步骤之后，将所述晶圆键合结构浸入刻蚀液中之前，所述形成方法还包括:对所述第二晶圆背面进行预减薄。8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，对所述第二晶圆背面进行预减薄的步骤包括:采用机械研磨、干法刻蚀或者湿法刻蚀的方法，对所述第二晶圆背面进行预减薄。9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在同步对第一晶圆和第二晶圆进行晶圆背面减薄之后，所述形成方法还包括:对所述第二晶圆背面进行再次减薄，使第二晶圆中的TSV结构露出。10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对第一晶圆和第二晶圆之间的区域进行密封处理的步骤包括:在第一晶圆和第二晶圆键合面的边缘区域形成密封结构。11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，在第一晶圆和第二晶圆键合面的边缘区域形成密封结构的步骤包括:在第一晶圆和第二晶圆键合面的边缘区域涂布胶体材料，对所述晶圆键合结构进行烘烤，使所述胶体材料固化，形成密封结构。12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述胶体材料为环氧树脂。
【文档编号】H01L21/603GK105826215SQ201510011859
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2015年1月9日
【发明人】倪梁, 施林波, 陈福成, 汪新学
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司