一种降低铆接接触电阻的方法
【技术领域】
[0001]本发明属于电子工艺领域，尤其设计一种降低铆接接触电阻的方法。
【背景技术】
[0002]在电容器的生成制备工程中，电极箔与引线的铆接工序是铝电解电容器生产中的关键工序，电极箔与引线间的铆接接触电阻由电容器制造商的工艺水平和质量管理水平决定。电极箔与引线的铆接大多由自动生产线完成。传统的直接铆接的方式，翻花并铆压后的电极箔相对于引线舌片有退让现象，引线舌片与电极箔铆接处有空隙。实践证明，电极箔比容越高，退让的程度越明显，出现退让的概率也越大，而且这种退让具有很大的随机性。这种退让，使电极箔与引线舌片的接触面积减小，二者间的接触电阻则增大，且空隙处易渗进工作电解液，进一步加剧接触电阻不稳定，阻值增大。以往人们通过加大铆接压力、改变刺铆针四棱锥角度、改变铆接模凹模孔径等方法降低铆接接触电阻。应该说，这些措施确实起到一些效果，但由于铝电解电容
器体积不断缩小，所用阳极箔的比容越来越高，高比容的阳极箔较厚，且柔韧性较差，原有的措施对铆接接触电阻的控制并不完全可靠。铝电解电容器生产过程中仍有损耗角正切时大时小、电容量似有似无的质量问题发生，这些问题无法通过筛选完全排除，直接影响电容器制造商的经济效益和在用户中的质量信誉。
【发明内容】
[0003]本发明旨在解决上述问题，提供一中可有效降低铆接接触电阻的方法。
[0004]一种降低铆接接触电阻的方法，其特征在于包括如下步骤:(1)首先在电极箔上进行预冲孔；(2)将引线和电极箔送至铆接模的冲压位置；(3)接着由铆接针同时刺穿引线舌片和电极箔，在凹模孔内形成凸出的花瓣；(4)然后将已经完成穿刺的引线和电极箔一同挪至铆压处，通过铆压上、下模对凸出的花瓣加压、打平，完成引线与电极箔铆接。
[0005]本发明所述的一种降低铆接接触电阻的方法，其特征在于所述铆接针为修磨成规定四棱锥型。
[0006]本发明所述的一种降低铆接接触电阻的方法，其特征在于所述铆接过程有自动铆接机完成。
[0007]本发明所述的一种降低铆接接触电阻的方法，其特征在于所述自动铆接机为径向铆接机。
[0008]本发明所述的降低铆接接触电阻的方法，通过对铆接工艺的改进对减小引线与电极箔间的铆接接触电阻值，缩小阻值变动范围具有较大的优势。稳定了电极箔与引线间的铆接接触电阻，可以减缓铝电解电容器容量和损耗角正切值劣化，对延长电容器有效工作寿命有积极作用。本发明所述铆接工艺方法操作简单易于推广。
【具体实施方式】
[0009]一种降低铆接接触电阻的方法，其特征在于包括如下步骤:(1)首先在电极箔上进行预冲孔；(2)将引线和电极箔送至铆接模的冲压位置；(3)接着由铆接针同时刺穿引线舌片和电极箔，在凹模孔内形成凸出的花瓣；(4)然后将已经完成穿刺的引线和电极箔一同挪至铆压处，通过铆压上、下模对凸出的花瓣加压、打平，完成引线与电极箔铆接。
[0010]本发明所述的一种降低铆接接触电阻的方法，所述铆接针为修磨成规定四棱锥型。所述铆接过程有自动铆接机完成。所述自动铆接机为径向铆接机。改进后的工艺在电极箔上进行预冲孔，穿刺并铆压后，引线舌片的花瓣紧贴电极箔，两者接触面积大，贴合严实，不存在可见间隙，这样便可将铆接接触电阻稳定控制在较低的水平上。测试电极箔与引线间的接触电阻值。在铆接工序，经改进后的工艺较原工艺铆接接触电阻均值小8%?15%:解剖老化后的半成品，铆接处的接触电阻均值约小24%。此外，新工艺的阻值数据集中，离散性明显好于老工艺。铆接工艺的改进，稳定了电极箔与引线间的铆接接触电阻，可以减缓铝电解电容器容量和损耗角正切值劣化，对延长电容器有效工作寿命有积极作用。可以认为，铆接工艺的改进对减小引线与电极箔间的铆接接触电阻值，缩小阻值变动范围具有较大的优势。
【主权项】
1.一种降低铆接接触电阻的方法，其特征在于包括如下步骤: (O首先在电极箔上进行预冲孔； (2)将引线和电极箔送至铆接模的冲压位置； (3)接着由铆接针同时刺穿引线舌片和电极箔，在凹模孔内形成凸出的花瓣；(4)然后将已经完成穿刺的引线和电极箔一同挪至铆压处，通过铆压上、下模对凸出的花瓣加压、打平，完成引线与电极箔铆接。2.如权利要求1所述的一种降低铆接接触电阻的方法，其特征在于所述铆接针为修磨成规定四棱锥型。3.如权利要求1所述的一种降低铆接接触电阻的方法，其特征在于所述铆接过程有自动柳接机完成。4.如权利要求3所述的一种降低铆接接触电阻的方法，其特征在于所述自动铆接机为径向铆接机。
【专利摘要】一种降低铆接接触电阻的方法，属于电子工艺领域。首先在电极箔上进行预冲孔；将引线和电极箔送至铆接模的冲压位置；接着由铆接针同时刺穿引线舌片和电极箔，在凹模孔内形成凸出的花瓣；然后将已经完成穿刺的引线和电极箔一同挪至铆压处，通过铆压上、下模对凸出的花瓣加压、打平，完成引线与电极箔铆接。通过对铆接工艺的改进对减小引线与电极箔间的铆接接触电阻值，缩小阻值变动范围具有较大的优势。稳定了电极箔与引线间的铆接接触电阻，可以减缓铝电解电容器容量和损耗角正切值劣化，对延长电容器有效工作寿命有积极作用。本发明所述铆接工艺方法操作简单易于推广。
【IPC分类】H01G9/14, H01G9/008
【公开号】CN105632767
【申请号】CN201410598141
【发明人】刘秋丽
【申请人】陕西高华知本化工科技有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年10月31日