一种用于变压器的半导体导电材料的生产工艺的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及变压器导电材料技术领域，特别是一种用于变压器的半导体导电材料的生产工艺。
【背景技术】
[0002]目前，变压器中用于连接导线的导电材料大都是用铝合金制成，时间久了容易发生氧化，造成接触面减小，导通状态降低，影响变压器的工作状态，造成变压器的使用寿命缩短。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是要提供一种用于变压器的半导体导电材料的生产工艺。
[0004]为达到上述目的，本发明是按照以下技术方案实施的:
一种用于变压器的半导体导电材料的生产工艺，该方法包括以下步骤:
1)将石墨片夹置在电子束蒸发台中的旋转工件盘上，将纯度均为99.99%以上的钒、铌、钯三种材料分别放置在电子束蒸发台坩祸中的三个穴位中；
2)关闭电子束蒸发台工作室门，抽真空至1.0X10 3Pa,加热升温至500°C ；
3)先将坩祸中装有钒材料的穴位处于工作位置，打开电子束高压开关，调整电子束电流至800mA，蒸发10-15分钟，使硅片的电极面上沉积一层钒金属；然后关断电子束高压开关，调整坩祸中装有铌材料的穴位处于工作位置，打开电子束高压开关，调整电子束电流至800mA，蒸发30-35分钟，使所述钒金属层上沉积一层铌金属；然后关断电子束电流，调整坩祸中装有钯材料的穴位处于工作位置，打开电子束高压开关，调整电子束电流至800mA，蒸发30-35分钟，使所述铌金属层上沉积一层钯金属；
4)电子束蒸发台工作室停止加热，降温至100°C时停止抽真空，打开放气阀，取出沉积上钒铌钯多层金属的硅片；
5)将上述硅片放进烧结炉中，抽真空至2.0 X 13Pa,套上炉体，升温至600 °C，恒温60分钟；
6)移开炉体，降温至200°C时停止抽真空，打开放气阀，取出硅片，降至常温，得到钒铌钯半导体材料。
[0005]与现有技术相比，本发明的有益效果:
本发明采用正空电子束蒸发方式分别将钒铌钯三种金属沉积在硅片的电极面上，以及通过合金方式形成了高性能的钒铌钯多层金属电极，使得电极稳定性强、导电性好和使用寿命长，用于变压器能增加导电材料的通态能力和可靠性。
【具体实施方式】
[0006]下面结合具体实施例对本发明作进一步描述，在此发明的示意性实施例以及说明用来解释本发明，但并不作为对本发明的限定。
[0007]一种用于变压器的半导体导电材料的生产工艺，该方法包括以下步骤:
1)将石墨片夹置在电子束蒸发台中的旋转工件盘上，将纯度均为99.99%以上的钒、铌、钯三种材料分别放置在电子束蒸发台坩祸中的三个穴位中；
2)关闭电子束蒸发台工作室门，抽真空至1.0X10 3Pa,加热升温至500°C ；
3)先将坩祸中装有钒材料的穴位处于工作位置，打开电子束高压开关，调整电子束电流至800mA，蒸发10-15分钟，使硅片的电极面上沉积一层钒金属；然后关断电子束高压开关，调整坩祸中装有铌材料的穴位处于工作位置，打开电子束高压开关，调整电子束电流至800mA，蒸发30-35分钟，使所述钒金属层上沉积一层铌金属；然后关断电子束电流，调整坩祸中装有钯材料的穴位处于工作位置，打开电子束高压开关，调整电子束电流至800mA，蒸发30-35分钟，使所述铌金属层上沉积一层钯金属；
4)电子束蒸发台工作室停止加热，降温至100°C时停止抽真空，打开放气阀，取出沉积上钒铌钯多层金属的硅片；
5)将上述硅片放进烧结炉中，抽真空至2.0 X 13Pa,套上炉体，升温至600 °C，恒温60分钟；
6)移开炉体，降温至200°C时停止抽真空，打开放气阀，取出硅片，降至常温，得到钒铌钯半导体材料。
[0008]采用本发明制得的用于变压器的半导体导电材料的通态峰值电压超过国家有关标准，优于传统铝合金导电材料。
[0009]本发明的技术方案不限于上述具体实施例的限制，凡是根据本发明的技术方案做出的技术变形，均落入本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种用于变压器的半导体导电材料的生产工艺，其特征在于:该方法包括以下步骤: 1)将石墨片夹置在电子束蒸发台中的旋转工件盘上，将纯度均为99.99%以上的钒、铌、钯三种材料分别放置在电子束蒸发台坩祸中的三个穴位中； 2)关闭电子束蒸发台工作室门，抽真空至1.0XlO 3Pa,加热升温至500°C ； 3)先将坩祸中装有钒材料的穴位处于工作位置，打开电子束高压开关，调整电子束电流至800mA，蒸发10-15分钟，使硅片的电极面上沉积一层钒金属；然后关断电子束高压开关，调整坩祸中装有铌材料的穴位处于工作位置，打开电子束高压开关，调整电子束电流至800mA，蒸发30-35分钟，使所述钒金属层上沉积一层铌金属；然后关断电子束电流，调整坩祸中装有钯材料的穴位处于工作位置，打开电子束高压开关，调整电子束电流至800mA，蒸发30-35分钟，使所述铌金属层上沉积一层钯金属； 4)电子束蒸发台工作室停止加热，降温至100°C时停止抽真空，打开放气阀，取出沉积上钒铌钯多层金属的硅片； 5)将上述硅片放进烧结炉中，抽真空至2.0 X 13Pa,套上炉体，升温至600 °C，恒温60分钟； 移开炉体，降温至200°C时停止抽真空，打开放气阀，取出硅片，降至常温，得到钒铌钯半导体材料。
【专利摘要】本发明公开了一种用于变压器的半导体导电材料的生产工艺，将石墨片夹置在电子束蒸发台中的旋转工件盘上，将纯度均为99.99%以上的钒、铌、钯三种材料分别放置在电子束蒸发台坩埚中的三个穴位中；关闭电子束蒸发台工作室门，抽真空至1.0×10-3Pa，加热升温至500℃；依次在硅片的电极面上沉积一钒铌钯金属层；电子束蒸发台工作室停止加热，降温至100℃时停止抽真空，打开放气阀，将硅片放进烧结炉中，抽真空至2.0×10-3Pa，套上炉体，升温至600？℃，恒温60分钟；移开炉体，降温至200℃时停止抽真空，打开放气阀，取出硅片，降至常温，得到钒铌钯半导体材料。本发明制得的钒铌钯多层金属电极，用于变压器能增加导电材料的通态能力和可靠性。
【IPC分类】H01F41/00
【公开号】CN105632745
【申请号】CN201410580100
【发明人】王云涛, 孙世五, 周东, 宋二文, 杜渝
【申请人】国家电网公司, 国网河南省电力公司焦作供电公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2014年10月27日