沟槽型超级结的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种沟槽型超级结的制造方法。
【背景技术】
[0002]超级结为由形成于半导体衬底中的交替排列的P型薄层和N型薄层组成，现有超级结的制造方法中包括沟槽型超级结的制造方法，这种方法是通过沟槽工艺制作超级结器件，需要先在半导体衬底如硅衬底表面的N型掺杂外延层上刻蚀一定深度和宽度的深沟槽，然后利用外延填充(EPI Filling)的方式在刻出的深沟槽上填充P型掺杂的硅外延，并且要求填充区域具有完好的晶体结构，以便后续流程制作高性能的器件。利用深沟槽和外延填充的方法制作超级结器件，对于深沟槽刻蚀和外延填充都是一种挑战，动辄大于10的深宽比，使得这种器件的制作非常困难，在提升器件的性能的同时一般都要求更高的工艺能力。
[0003]图1所示是现有沟槽型超级结的制造方法形成的超级结在后续热过程之后的结构示意图；现有方法包括如下步骤:
[0004]步骤一、提供一半导体衬底如娃衬底I，在所述半导体衬底I表面形成有N型外延层
12ο
[0005]步骤二、采用光刻刻蚀工艺在N型外延层12中形成多个沟槽。
[0006]步骤三、采用外延生长在所述沟槽中填充P型外延层13，Ρ型外延层13会同时延伸到所述沟槽外部的所述N型外延层12表面。
[0007]步骤四、进行化学机械研磨工艺将沟槽外部的P型外延层13去除，沟槽区域内的P型外延层13和沟槽外部的表面相平，最后形成由填充于沟槽中的所述P型外延层10组成的P型薄层和由所述沟槽之间的所述N型外延层12组成N型薄层交替排列结构，该P型薄层和N型薄层交替排列的结构即为超级结。
[0008]超级结形成之后，后续需要制作超级结器件，后续超级结器件制作过程中会包括P型体区(Pbody)推进等一系列热过程中，已制作完成的P型薄层也称P型柱(P-Pillar)也会受到很大的推进，根据工艺不同，单边推进量可能接近I微米，图1中标记13a所示区域即为P型薄层13在后续热过程后的硼向外横向扩散到N型薄层12中的区域，现有方法形成的P型薄层13会产生较多的外扩，P型薄层13和N型薄层12之间的掺杂会互相抵消效应(counterdope)，最后会使得N型薄层12具有导电性能导电通道的有效宽度变窄，从而会损失器件性能，损失工艺能力。
[0009]深沟槽的角度对于器件性能有非常大的影响，目前市面流行产品的深沟槽角度在88?89度左右，如图1所示。倾斜的深沟槽(Trench)对于器件反向击穿电压的提高不利。垂直角度的深沟槽不仅难以刻蚀，而且对于外延填充(EPI Filling)工艺形成很大的挑战。
【发明内容】
[0010]本发明所要解决的技术问题是提供一种沟槽型超级结的制造方法，能使得P型柱的最终形貌变得垂直，有利于反向击穿电压BV的改善，而又不会带来P型外延填充难度的提升。
[0011]为解决上述技术问题，本发明提供的沟槽型超级结的制造方法，其包括如下步骤:[00?2] —.在娃片的N型外延层表面形成ONO介质层；
[0013]二.利用光刻先定义出深沟槽的图形，然后利用干法刻蚀将所述ONO介质层刻开；之后去除光刻胶，利用ONO介质层作为硬掩膜进行深沟槽的刻蚀，深沟槽上宽下窄，深沟槽的侧壁同硅片表面的夹角在87?89.5度之间；之后淀积角度修正膜层；
[0014]三.分别对深沟槽两侧的侧壁进行倾斜P型离子注入；
[0015]四.去除角度修正膜层及ONO介质层的上部氧化层及氮化层，保留ONO介质层的下部氧化层；
[0016]五.利用外延填充工艺，在所述深沟槽中填充P型外延层;之后去除深沟槽外部的P型外延层，去除ONO介质层的下部氧化层；
[0017]六.利用后续工艺流程汇总的热过程激活步骤三注入的P型离子。
[0018]较佳的，步骤一中，N型外延层的厚度为15?60um。
[0019]较佳的，步骤一中，所述ONO介质层的氮化层上部氧化层厚度为100?2000埃，氮化层厚度为100?1500埃，氮化层下部氧化层厚度为0.5?3um。
[0020]较佳的，所述角度修正膜层为氧化硅膜层或氮化硅膜层。
[0021]较佳的，所述氧化硅膜层为TEOS0X。
[0022]较佳的，所述角度修正膜层的厚度为0.3?2um。
[0023]较佳的，步骤三中，对深沟槽两侧的侧壁注入的P型离子为B。
[0024]较佳的，步骤四中，利用湿法去除角度修正膜层及ONO介质层的上部氧化层及氮化层。
[0025]较佳的，步骤五中，利用化学机械研磨工艺去除深沟槽外部的P型外延层，利用湿法去除ONO介质层的下部氧化层。
[0026]本发明的沟槽型超级结的制造方法，先在硅片的N型外延层(NEPI)中采用简便的刻蚀工艺形成倾斜的深沟槽(Trench)，通过在深沟槽刻蚀完成后淀积(Dep)—层角度修正膜层，在深沟槽(Trench)侧壁形成一层保护膜层。本发明的沟槽型超级结的制造方法，利用填充性能较差的角度修正膜层在侧壁上形成的上厚下薄的特点，通过P型离子注入，将改善后较为垂直的P型柱(P-Pillar)形貌保持在N型外延层(NEPI)中，然后再取出该角度修正膜层，进行正常的P型外延填充，使得P型柱(P-Pillar)的最终形貌变得垂直，有利于反向击穿电压BV的改善，而又不会带来P型外延填充难度的提升。
【附图说明】
[0027]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明:
[0028]图1是现有沟槽型超级结的制造方法形成的超级结在后续热过程之后的结构示意图；
[0029]图2是本发明的沟槽型超级结的制造方法一实施例形成ONO介质层示意图；
[0030]图3是本发明的沟槽型超级结的制造方法一实施例深沟槽刻蚀并淀积角度修正膜层示意图；[0031 ]图4是本发明的沟槽型超级结的制造方法一实施例对深沟槽两侧的侧壁进行P型离子注入示意图；
[0032]图5是本发明的沟槽型超级结的制造方法一实施例去除角度修正膜层及上部氧化层、氮化层示意图；
[0033]图6是本发明的沟槽型超级结的制造方法一实施例填充P型外延层示意图；
[0034]图7是本发明的沟槽型超级结的制造方法一实施例制造的沟槽型超级结的P型柱形貌示意图。
【具体实施方式】
[0035]实施例一
[0036]沟槽型超级结的制造方法，包括以下步骤:
[0037]一.在娃片的1^型外延层(肥？1)12表面形成0勵((^丨(16-祖1:1