一种半导体器件解封方法
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体技术领域，具体属于一种半导体器件解封方法。
【背景技术】
[0002]半导体器件邦定是在半导体生产工艺中的一种打线方式，一般是在半导体封装前将芯片内部电路使用金线与金属管脚进行连接，然后再使用塑封材料对其进行封装。由于成本的原因，越来越多的企业将封装时的邦定线由金线改为铜线或是铝线，来降低半导体器件的生产成本。
[0003]在对半导体器件进行失效分析或者是反向工程时，需要对半导体器件进行解封，即去掉半导体器件的塑封材料。目前，对半导体器件进行解封有专门的配套设备可以实现，由于设备材料使用的都是耐酸材料，设备价格都极其昂贵，只要对设备添加酸液就可以自动对半导体器件进行解封，但是通过该设备进行对半导体器件进行解封后无法得到完整的邦定线。而通过传统的化学方法对半导体器件进行解封，很容易对半导体器件的邦定线进行腐蚀，同样无法得到完整的邦定线。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种半导体器件解封方法，用以解决现有技术中存在的在半导体器件进行解封时无法得到完整的邦定线的问题。
[0005]本发明提供一种半导体器件解封方法，该方法包括:
[0006]配制酸液，并加热所述酸液；其中，所述酸液中至少包括发烟硝酸和浓硫酸；
[0007]将带塑封材料的半导体器件浸入所述加热的酸液中以对所述塑封材料进行溶解。
[0008]优选地，所述酸液的配制比例为:发烟硝酸与浓硫酸的比例范围为1:1?3:1。
[0009]优选地，所述半导体器件的邦定线的线径在0.Smil以上的所述酸液的配制比例为:发烟硝酸与浓硫酸的比例为2:1。
[0010]优选地，所述半导体器件的邦定线的线径在0.Smil以下的所述酸液的配制比例为:发烟硝酸与浓硫酸的比例为1.5:1。
[0011]优选地，所述加热的温度为100-200°c。
[0012]优选地，所述加热的温度为150°C。
[0013]优选地，所述加热的时间为15-20分钟。
[0014]优选地，所述方法还包括:固定所述半导体器件的金属管脚。
[0015]优选地，所述固定所述半导体器件的金属管脚，具体为通过焊锡焊接固定。
[0016]优选地，所述浓硫酸为98 %浓硫酸。
[0017]本发明有益效果如下:通过焊锡焊接固定半导体器件的金属管脚，使用加热的按照一定比例配制的酸液，对半导体器件进行解封，去掉半导体器件的塑封材料，完成半导体器件的解封。通过本发明提供的方法，可以得到完整的半导体器件的邦定线，且操作简单，成本低廉，成功率高。
【附图说明】
[0018]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本发明实施例中半导体器件解封方法的流程图；
[0020]图2为本发明实施例中半导体器件结构示意图；
[0021]图3为本发明实施例中半导体器件解封过程示意图；
[0022]图4为本发明实施例中半导体器件解封后的结构示意图。
【具体实施方式】
[0023]为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0024]如图1所示的流程图，本发明实施例提供了一种半导体器件I解封方法，该方法步骤为:
[0025]步骤101:配制酸液，并加热所述酸液；其中，所述酸液中至少包括发烟硝酸和浓硫Ife ；
[0026]步骤102:将带塑封材料2的半导体器件I浸入所述加热的酸液中以对所述塑封材料2进行溶解。
[0027]所述酸液包括发烟硝酸和浓硫酸，把发烟硝酸和浓硫酸按照一定的比例进行配制，并且将配制好的酸液进行加热，加热到一定温度后，将带有塑封材料2的半导体器件I浸入到加热的酸液中，一直到半导体器件I上的塑封材料2全部溶解。通过发烟硝酸和浓硫酸的混合配制的酸液可以有效的溶解半导体器件I上的塑封材料2，并能保持半导体器件I的邦定线7的完整。
[0028]较佳地，本发明实施例中的半导体解封方法还包括固定所述半导体器件I的金属管脚3。固定金属管脚3可以有效的防止半导体器件I解封后悬空的金属管脚3脱落，保证整个半导体器件I解封后的完整性。
[0029]较佳地，本发明实施例通过焊锡焊接固定半导体器件I的金属管脚3，焊锡4经高温焊接容易吸附在金属管脚3上，焊接固定后悬空的金属管脚3不会脱落。或是使用废弃的金属框、废弃的金属条焊接在金属管脚3上，将金属管脚3固定在一起，防止悬空的金属管脚3脱落。
[0030]较佳地，本发明实施例中所述酸液中的发烟硝酸和浓硫酸的比例范围为1:1?3:1。在此配制比例范围内，配制的酸液可以用来溶解半导体器件I的塑封材料2，降低半导体器件I中的邦定线7被腐蚀的几率。
[0031]较佳地，本发明实施例中，所述半导体器件I的邦定线7的线径在0.Smil以上时，所述酸液中发烟硝酸和浓硫酸的最佳配制比例为2:1。使用该配制比例能够得到完整的0.Smil以上线径的半导体器件I的邦定线7。
[0032]较佳地，本发明实施例中，所述半导体器件I的邦定线7的线径在0.Smil以下时，所述酸液中发烟硝酸和浓硫酸的最佳配制比例为1.5:1。使用该配制比例能够得到完整的
0.Smil以下线径的半导体器件I的邦定线7。
[0033]较佳地，本发明实施例中，所述加热配制的酸液的加热温度为100-200 V，在此温度范围内，配制的酸液能更快的溶解半导体器件I的塑封材料2。其中，当加热温度为150°C时，配制的酸液溶解半导体器件I的塑封材料2最快。
[0034]较佳地，本发明实施例中，所述加热配制的酸液的加热时间为15-20分钟。加热的时间多，所述配制的酸液的温度越高，加热的时间少，所述配制的酸液的温度低。
[0035]上述酸液中的浓硫酸使用的是98 %浓硫酸，98 %浓硫酸可以使金属钝化，在金属的表面形成氧化膜，防止酸液腐蚀，能有效地得到完整的半导体器件I的邦定线7。
[0036]如图2至图4所示，本发明实施例提供了一种半导体器件I解封方法，本发明实施例中提供的半导体器件I的邦定线7的线径为0.9mil。首先，如图2所示，在所述带有塑封材料2的半导体器件I的金属管脚3上，使用焊锡4将带有塑封材料2的半导体器件I的金属管脚3进行焊接固定，再使用长约0.3m的焊锡丝5栓住金属管脚3，通过焊锡丝5可以是随时取放半导体器件1，便于了解半导体器件I的塑封材料2的溶解情况，也可以使用长柄镊子来取放半导体器件I。然后在玻璃器皿中配制发烟硫酸和98%浓硫酸的配制比例为2:1的酸液，并对玻璃器皿中得分酸液进行加热，加热到150°C，保持这一温度。最后，将经过焊锡4焊接固定的带有塑封材料2的半导体器件I浸没入盛有配制的酸液的玻璃器皿中，对所述半导体器件I进行解封，在此过程中，可以通过焊锡丝5取放所述半导体器件1，查看所述半导体器件I上塑封材料2的溶解情况，直到所述塑封材料2完全溶解之后，将解封后的半导体器件I取出。如图4所示的解封后的半导体器件1，可以看到完整的邦定线7和芯片6，其中，中间的金属管脚3是悬空的，由于被焊锡4焊接与其他两个金属管脚3固定在一起，没有脱落。得到的解封后完整的半导体器件1，可以被用来做半导体器件I失效分析和反向工程分析。
[0037]从上述内容可以看出:本发明实施例把发烟硝酸和浓硫酸按照一定的比例进行配制，并且将配制好的酸液进行加热，加热到一定温度后，将带有塑封材料2的半导体器件I浸入到加热的酸液中，一直到半导体器件I上的塑封材料2全部溶解。通过发烟硝酸和浓硫酸的混合配制的酸液可以有效的溶解半导体器件I上的塑封材料2，并能保持半导体器件I的邦定线7的完整。
[0038]以上所述，仅是本发明的优选实施例而已，并非对本发明的技术范围作任何限制，故凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
[0039]尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
[0040]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种半导体器件解封方法，其特征在于，该方法包括: 配制酸液，并加热所述酸液；其中，所述酸液中至少包括发烟硝酸和浓硫酸； 将带塑封材料的半导体器件浸入所述加热的酸液中以对所述塑封材料进行溶解。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸液中包括发烟硝酸和浓硫酸，发烟硝酸与浓硫酸的比例范围为1:1?3:1。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体器件的邦定线的线径在0.Smil以上时，所述酸液的配制比例为: 发烟硝酸与浓硫酸的比例为2:1。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体器件的邦定线的线径在0.Smil以下时，所述酸液的配制比例为: 发烟硝酸与浓硫酸的比例为1.5:1。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热的温度为100-20(TC。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述加热的温度为150°C。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热的时间为15-20分钟。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括:固定所述半导体器件的金属管脚。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述固定所述半导体器件的金属管脚，具体为通过焊锡焊接固定。10.如权利要求1-9任一所述的方法，其特征在于，所述浓硫酸为98%浓硫酸。
【专利摘要】本发明公开了一种半导体器件解封方法，该方法包括：配制酸液，并加热所述酸液；其中，所述酸液中至少包括发烟硝酸和浓硫酸；将带塑封材料的半导体器件浸入所述加热的酸液中以对所述塑封材料进行溶解。本发明解决现有技术中存在的在半导体器件进行解封时无法得到完整的邦定线的问题。通过本发明提供的方法，可以得到完整的半导体器件的邦定线，且操作简单，成本低廉，成功率高。
【IPC分类】H01L21/02
【公开号】CN105575764
【申请号】CN201410550485
【发明人】张 浩, 曹婷
【申请人】北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2014年10月16日