量子点发光二极管亚像素阵列、其制造方法以及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明实施例一般地涉及显示装置领域，尤其涉及量子点发光二极管亚像素阵列的制造方法、由此制造的量子点发光二极管亚像素阵列以及包括该量子点发光二极管亚像素阵列的显示装置。
【背景技术】
[0002]有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)曾被公认为有希望成为取代液晶显示器(IXD)的下一代显示产品。但是，随着消费者的消费水平的提升，高分辨率产品成为显示产品的重点发展方向，而高分辨的AMOLED产品很难同LCD竞争，这是因为有机发光显示产品的有机层结构通常采用掩模蒸发的方法制备，但是掩模蒸发方法存在着对位困难、良品率低、无法实现更小面积发光等的缺陷。这种精确控制蒸发区域能力不足的问题，无法满足目前迅速发展的对高分辨率显示的需求。虽然可以采用印刷和打印的方法来取代掩模蒸发制备有机发光层的工艺，但印刷和打印的方法得到的分辨率也是极其有限的。因此，高分辨率的AMOLED产品面临着技术难度高，产品良率低，而商品价格高的严重问题。
[0003]另一方面，随着量子点技术的深入发展，使用量子点材料作为发光层的电致量子点发光二极管的研究日益深入，量子效率不断提升，已基本达到产业化的水平，进一步采用新的工艺和技术来实现其产业化已成为未来的趋势。
【发明内容】
[0004]本发明实施例提供一种采用加热工艺制造量子点发光二极管(QD-LED)亚像素阵列的方法、利用该方法制成的量子点发光二极管亚像素阵列、以及包括该亚像素阵列的显示装置。本发明实施例避开了目前采用溶液打印方法制备QD-LED亚像素的工艺困难，同时也大幅度降低了制备高分辨率有源矩阵量子点发光二极管(AM-QD-LED)的难度，从而使得AM-QD-LED的技术成本比AMOLED技术的成本大为降低，也使得其有可能同现有LCD产品进行价格克争。
[0005]根据本发明实施例的第一方面，提供一种制造量子点发光二极管亚像素阵列的方法，该方法可以包括以下步骤:
[0006]量子点接受层形成步骤:在衬底之上形成量子点接受层；
[0007]热感性量子点材料层施加步骤:在所述量子点接受层上施加热感性量子点材料层，其中所述热感性量子点材料层包含热敏性的有机配体;以及
[0008]热感性量子点材料转移步骤:通过加热使所述热感性量子点材料层的预定区域的热感性量子点材料的所述有机配体发生化学反应，以将所述预定区域的所述热感性量子点材料转移到所述量子点接受层上的相应亚像素区域。
[0009]根据本发明的示例性实施例，所述方法可以还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，去除所述热感性量子点材料层中的未发生反应的剩余热感性量子点材料。
[0010]根据本发明的示例性实施例，所述热感性量子点材料层施加步骤可以包括在所述量子点接受层上对位放置形成有所述热感性量子点材料层的承载基板，其中所述热感性量子点材料层面向所述量子点接受层。
[0011 ]根据本发明的示例性实施例，所述方法可以还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，移走所述承载基板。
[0012]根据本发明的示例性实施例，所述热感性量子点材料层施加步骤可以包括在所述量子点接受层上对位放置形成有所述热感性量子点材料层的导热性掩模版，其中所述热感性量子点材料层面向所述量子点接受层。
[0013]根据本发明的示例性实施例，所述方法可以还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，移走所述导热性掩模版。
[0014]根据本发明的示例性实施例，所述热感性量子点材料层施加步骤可以包括在所述量子点接受层上涂布所述热感性量子点材料层。
[0015]根据本发明的示例性实施例，所述方法可以还包括在所述热感性量子点材料转移步骤之后，使用清洗工艺洗掉所述热感性量子点材料层中的未发生反应的剩余热感性量子点材料。
[0016]根据本发明的示例性实施例，所述加热可以包括激光加热、红外光源加热或加热炉加热中的一种或多种。
[0017]根据本发明的示例性实施例，所述热感性量子点材料转移步骤可以包括在加热之前，将导热性掩模版对位放置在所述热感性量子点材料层上，然后加热所述导热性掩模板。
[0018]根据本发明的示例性实施例，所述加热可以包括对热感性量子点材料进行激光的周期性扫描。
[0019]根据本发明的示例性实施例，所述加热可以包括对所述衬底整体加热和对所述热感性量子点材料进行激光的周期性扫描。
[0020]根据本发明的示例性实施例，所述加热可以还包括对所述衬底的整体加热。
[0021 ]根据本发明的示例性实施例，位于所述热感性量子点材料层与所述衬底之间的空穴传输层或电子传输层可以被用作所述量子点接受层。
[0022]根据本发明的示例性实施例，所述热感性量子点材料中的所述有机配体可以含有易受热分解而生成胺基、羟基、羧基或酚羟基的基团。
[0023]根据本发明的示例性实施例，所述量子点接受层为带有胺基、吡啶基、羧基或羟基的聚合物层。
[0024]根据本发明的示例性实施例，所述热感性量子点材料层中的有机配体可含有I，3-丁二烯基团，所述量子点接受层可含有烯基;或者，所述热感性量子点材料层中的有机配体可含有烯基，所述量子点接受层可含有I，3-丁二烯基团。
[0025]根据本发明的示例性实施例，所述导热性掩模版可以由油溶性材料制成。
[0026]根据本发明的示例性实施例，所述热感性量子点材料层的所述承载基板可以由油溶性材料制成。
[0027]根据本发明的示例性实施例，所述方法可以用于将两种以上的热感性量子点材料形成在相应的亚像素区域上，所述方法包括在所述量子点接受层形成步骤之后针对所述两种以上的热感性量子点材料中的每一种热感性量子点材料分别执行所述热感性量子点材料层施加步骤和所述热感性量子点材料转移步骤。
[0028]根据本发明的示例性实施例，形成在所述承载基板上的所述热感性量子点材料层可以为两种以上的热感性量子点材料层的叠层，其中所述叠层中的作为最远离所述承载基板的层的第一层为相变温度最低的热感性量子点材料层，所述叠层中的最邻近所述承载基板的层为相变温度最高的热感性量子点材料层，所述热感性量子点材料转移步骤包括:
[0029]用第一温度加热所述叠层的所述预定区域，以将所述预定区域的叠层中的所述第一层转移到所述量子点接受层上的第一亚像素区域，并因此使得在所述预定区域中，所述叠层中的与所述第一层相邻的第二层暴露；
[0030]将所述承载基板移动一个亚像素区位置，使所暴露的所述预定区域的叠层中的所述第二层对准第二亚像素区域，用高于第一温度的第二温度加热所述预定区域，以将所述第二层转移到所述量子点接受层上的第二亚像素区域，
[0031]按此方式使用逐渐增加的温度将所述预定区域的叠层中的各层热感性量子点材料转移到所述量子点接受层上的相应亚像素区域。
[0032]根据本发明的示例性实施例，形成在所述导热性掩模版上的所述热感性量子点材料层可以为两种以上的热感性量子点材料层的叠层，其中所述叠层中的作为最远离所述导热性掩模版的层的第一层为相变温度最低的热感性量子点材料层，所述叠层中的最邻近所述导热性掩模版的层为相变温度最高的热感性量子点材料层，所述热感性量子点材料转移步骤包括:
[0033]用第一温度加热所述叠层的所述预定区域，以将所述预定区域的叠层中的所述第一层转移到所述量子点接受层上的第一亚像素区域，并因此使得在所述预定区域中，所述叠层中的与所述第一层相邻的第二层暴露；
[0034]将所述导热性掩模版移动一个亚像素区位置，使所暴露的所述预定区域的叠层中的所述第二层对准第二亚像素区域，用高于第一温度的第二温度加热所述预定区域，以将所述第二层转移到所述量子点接受层上的第二亚像素区域，
[0035]按此方式使用逐渐增加的温度将所述预定区域的叠层中的各层热感性量子点材料转移到所述量子点接受层上的相应亚像素区域。
[0036]根据本发明的示例性实施例，所述两种以上的热感性量子点材料层可以为用于RGB像素布局或RGBW像素布局的不同亚像素区域的热感性量子点材料的层。
[0037]根据本发明的示例性实施例，所述两种以上的热感性量子点材料层为用于RGB或RGBW像素布局中亚像素面积不等的不同亚像素区域的热感性量子点材料的层。
[0038]根据本发明的示例性实施例，所述量子点发光二极管的亚像素区域中的至少一个或全部使用热感性量子点材料形成，剩余的亚像素区域使用有机发光材料形成。
[0039]根据本发明实施例的第二方面，提供一种通过上述方法之一制成的量子点发光二极管的亚像素阵列。
[0040]根据本发明实施例的第三方面，提供一种具有上述量子点发光二极管的亚像素阵列的显示装置。
[0041]本发明实施例利用热感性的量子点材料通过加热工艺在量子点接受层上形成诸如红、绿、蓝等的亚像素，避开了类似于有机发光二极管(OLED)在提升分辨率方面的技术难度，例如，需要OLED蒸镀掩模版进一步减小掩模工艺线宽的要求，需要更高精度的打印喷头等。本发明实施例能够有效实现高分辨率的有源矩阵量子点发光二极管(AM-QD-LED)的产品生产，方便了工艺方面的制备，提升了工艺良率，能够大幅提升量子点材料的使用率，从而为大规模的AM-QD-LED的产业化铺平了道路。
【附图说明】
[0042]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0043]图1A-1C是通过截面图示例根据本发明实施例的热感性量子点材料的有机配体通过受热而向量子点接受层转移的原理图；
[0044]图2A-2K是通过截面图示例根据本发明的第一实施例的制备量子点发光二极管亚像素阵列的方法的各阶段的示意图；
[0045]图3A-3H是通过截面图示例根据本发明的第二实施例的制备量子点发光二极管亚像素阵列的方法的各阶段的示意图；
[0046]图4A-4H是通过截面图示例根据本发明的第三实施例的制备量子点发光二极管亚像素阵列的方法的各阶段的示意图；
[0047]图5A-5G是通过截面图示例根据本发明的第四实施例的制备量子点发光二极管亚像素阵列的方法的各阶段的示意图，以及
[0048]图6A-6F是通过截面图示例根据本发明的第五实施例的制备量子点发光二极管亚像素阵列的方法的各阶段的示意图。
[0049]附图仅仅示出了本发明的示例性实施例，因此不应当被认为是限制本发明的范围，因为本发明容许有其它等效实施例。图中示出的元件和特征不一定按比例绘制，相反地，重点放在了清楚地图示示例性实施例的原理。在附图中，相似的附图标记标出了相似或对应但并不一定相同的元件。
【具体实施方式】
[0050]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描