晶体硅太阳能电池制造工艺的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及石油机械领域，具体地，涉及一种晶体硅太阳能电池制造工艺。
【背景技术】
[0002]太阳能电池板是通过吸收太阳光，将太阳辐射能通过光电效应或者光化学效应直接或间接转换成电能的装置，大部分太阳能电池板的主要材料为“娃”，但因制作成本很大，以至于它还不能被大量广泛和普遍地使用。相对于普通电池和可循环充电电池来说，太阳能电池属于更节能环保的绿色产品。
[0003]在现有技术中，现有的太阳能电池板生产工艺复杂，导致生产成本较高。
[0004]综上所述，本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题:
在现有技术中，现有的太阳能电池板生产工艺存在工艺复杂、生产成本较高、电池板质量较差的技术问题。
【发明内容】
[0005]本发明提供了一种晶体硅太阳能电池制造工艺，解决了现有的太阳能电池板生产工艺存在工艺复杂、生产成本较高、电池板质量较差的技术问题，实现了工艺简单，生产成本较低、电池板质量较好的技术效果。
[0006]为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种晶体硅太阳能电池制造工艺，所述工艺包括:
步骤1:将硅片进行清洗，然后进行绒面制备；
步骤2:进行扩散前清洗，然后进行磷扩散；
步骤3:进行周边刻蚀，然后去除背结；
步骤4:进行背电极印刷，然后进行正反极印刷；
步骤5:进行减反射膜制备，然后烧结，最后进行测试分档。
[0007]其中，在所述步骤I之前还包括:采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。
[0008]其中，所述将硅片进行清洗具体包括:采用超声波对硅片进行清洗，然后用酸(或碱)溶液将硅片表面切割损伤层除去30 — 50um。
[0009]其中，所述进行绒面制备具体为:用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。
[0010]其中，所述进行磷扩散具体包括:采用涂布源进行扩散，制成PN十结，结深为0.3—0.5umo
[0011]其中，所述进行周边刻蚀具体为:用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。
[0012]本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点: 由于采用了将晶体硅太阳能电池制造工艺设计为包括:步骤1:将硅片进行清洗，然后进行绒面制备;步骤2:进行扩散前清洗，然后进行磷扩散;步骤3:进行周边刻蚀，然后去除背结;步骤4:进行背电极印刷，然后进行正反极印刷;步骤5:进行减反射膜制备，然后烧结，最后进行测试分档的技术方案，所以，有效解决了现有的太阳能电池板生产工艺存在工艺复杂、生产成本较高、电池板质量较差的技术问题，进而实现了工艺简单，生产成本较低、电池板质量较好的技术效果。
【附图说明】
[0013]图1是本申请实施例一中晶体硅太阳能电池制造工艺的流程示意图。
【具体实施方式】
[0014]本发明提供了一种晶体硅太阳能电池制造工艺，解决了现有的太阳能电池板生产工艺存在工艺复杂、生产成本较高、电池板质量较差的技术问题，实现了工艺简单，生产成本较低、电池板质量较好的技术效果。
[0015]本申请实施中的技术方案为解决上述技术问题。总体思路如下:
采用了将晶体硅太阳能电池制造工艺设计为包括:步骤1:将硅片进行清洗，然后进行绒面制备;步骤2:进行扩散前清洗，然后进行磷扩散;步骤3:进行周边刻蚀，然后去除背结；步骤4:进行背电极印刷，然后进行正反极印刷;步骤5:进行减反射膜制备，然后烧结，最后进行测试分档的技术方案，所以，有效解决了现有的太阳能电池板生产工艺存在工艺复杂、生产成本较高、电池板质量较差的技术问题，进而实现了工艺简单，生产成本较低、电池板质量较好的技术效果。
[0016]为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
[0017]实施例一:
在实施例一中，提供了一种晶体硅太阳能电池制造工艺，请参考图1，所述工艺包括: 步骤1:将硅片进行清洗，然后进行绒面制备；
步骤2:进行扩散前清洗，然后进行磷扩散；
步骤3:进行周边刻蚀，然后去除背结；
步骤4:进行背电极印刷，然后进行正反极印刷；
步骤5:进行减反射膜制备，然后烧结，最后进行测试分档。
[0018]其中，在本申请实施例中，在所述步骤I之前还包括:采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。
[0019]其中，在本申请实施例中，所述将娃片进行清洗具体包括:米用超声波对娃片进行清洗，然后用酸(或碱)溶液将硅片表面切割损伤层除去30 - 50um。
[0020]其中，在本申请实施例中，所述进行绒面制备具体为:用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。
[0021]其中，在本申请实施例中，所述进行磷扩散具体包括:采用涂布源进行扩散，制成PN+结，结深为 0.3 —0.5um。
[0022]其中，在本申请实施例中，所述进行周边刻蚀具体为:用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。
[0023]具体的制造工艺技术说明如下:(I)切片:采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。(2)清洗:用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸(或碱)溶液将硅片表面切割损伤层除去30 — 50um。(3)制备绒面:用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。(4)磷扩散:采用涂布源(或液态源，或固态氮化磷片状源)进行扩散，制成PN+结，结深一般为0.3 — 0.5um。(5)周边刻蚀:扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。(6)去除背面PN+结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结。(7)制作上下电极:用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。
(8)制作减反射膜:为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2，Si02，A1203 ,S1，Si3N4，Ti02，Ta205等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。(9)烧结:将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。(10)测试分档:按规定参数规范，测试分类。
[0024]上述本申请实施例中的技术方案，至少具有如下的技术效果或优点:
由于采用了将晶体硅太阳能电池制造工艺设计为包括:步骤1:将硅片进行清洗，然后进行绒面制备;步骤2:进行扩散前清洗，然后进行磷扩散;步骤3:进行周边刻蚀，然后去除背结;步骤4:进行背电极印刷，然后进行正反极印刷;步骤5:进行减反射膜制备，然后烧结，最后进行测试分档的技术方案，所以，有效解决了现有的太阳能电池板生产工艺存在工艺复杂、生产成本较高、电池板质量较差的技术问题，进而实现了工艺简单，生产成本较低、电池板质量较好的技术效果。
[0025]尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
[0026]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.晶体娃太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述工艺包括: 步骤I:将硅片进行清洗，然后进行绒面制备； 步骤2:进行扩散前清洗，然后进行磷扩散； 步骤3:进行周边刻蚀，然后去除背结； 步骤4:进行背电极印刷，然后进行正反极印刷； 步骤5:进行减反射膜制备，然后烧结，最后进行测试分档。2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，在所述步骤I之前还包括:采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述将硅片进行清洗具体包括:采用超声波对硅片进行清洗，然后用酸(或碱)溶液将硅片表面切割损伤层除去 30 —50um。4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述进行绒面制备具体为:用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述进行磷扩散具体包括:采用涂布源进行扩散，制成PN+结，结深为0.3 — 0.5um。6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述进行周边刻蚀具体为:用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。
【专利摘要】本发明公开了晶体硅太阳能电池制造工艺，所述工艺包括：步骤1：将硅片进行清洗，然后进行绒面制备；步骤2：进行扩散前清洗，然后进行磷扩散；步骤3：进行周边刻蚀，然后去除背结；步骤4：进行背电极印刷，然后进行正反极印刷；步骤5：进行减反射膜制备，然后烧结，最后进行测试分档，实现了工艺简单，生产成本较低、电池板质量较好的技术效果。
【IPC分类】H01L31/18
【公开号】CN105514221
【申请号】CN201610096043
【发明人】陈怀之, 王刚, 聂海涛, 张仁友, 胡国波
【申请人】成都振中电气有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2016年2月22日