一种晶圆刻蚀工艺的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆刻蚀工艺。
【背景技术】
[0002]刻蚀工艺是半导体技术中一个重要的环节，随着半导体技术的不断发展，刻蚀技术也有了很大的发展。在大规模集成电路的制造中，刻蚀工艺主要分为湿法刻蚀和干法刻蚀两大类。但是，传统刻蚀工艺存在如下不足:一、各向异性差，横向腐蚀使得刻蚀剖面呈半圆弧形，不仅使图形剖面发生变化，而且稍有过刻蚀时剖面会产生虚线，致使薄膜上图形的线宽比原抗腐蚀剂膜上形成的线宽小。二、选择性差，必须采用专门的刻蚀终点监测，而且刻蚀效率低下。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于通过一种晶圆刻蚀工艺，来解决以上【背景技术】部分提到的问题。
[0004]为达此目的，本发明采用以下技术方案:
[0005]一种晶圆刻蚀工艺，其包括如下步骤:
[0006]S101、分离:工艺气体由等离子体电离为可化学反应的粒子；
[0007]S102、扩散:粒子扩散并吸附到硅片被刻蚀的表面；
[0008]S103、表面扩散:到达娃表面后，四处移动碰撞；
[0009]S104、反应:与柜表面的膜层发生RIE反应；
[0010]S105、解吸:RIE反应的生成物解吸，离开硅片表面；
[0011]S106、排放:排放反应腔。
[0012]特别地，所述步骤SlOl中的等离子体选用纯CF4。
[0013]本发明提出的晶圆刻蚀工艺可以进行精确控制，提高了刻蚀的各向异性特性，通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双从作用刻蚀，选择性也较好。
【附图说明】
[0014]图1为本发明实施例提供的晶圆刻蚀工艺流程图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
[0016]请参照图1所示，图1为本发明实施例提供的晶圆刻蚀工艺流程图。
[0017]晶圆刻蚀前的准备工作:将晶圆直接放在下电极上，腔室内有中性电极以增大有效积，以此可增大从等离子体到电极电压差和离子撞机的能量。本实施例中晶圆刻蚀工艺具体包括如下步骤:
[0018]S101、分离:工艺气体由等离子体电离为可化学反应的粒子。在本实施例中所述等离子体选用纯CF4。
[0019]S102、扩散:粒子扩散并吸附到硅片被刻蚀的表面。
[0020]S103、表面扩散:到达娃表面后，四处移动碰撞。
[0021]S104、反应:与柜表面的膜层发生RIE反应。
[0022]S105、解吸:RIE反应的生成物解吸，离开硅片表面。
[0023]S106、排放:排放反应腔。
[0024]本发明的技术方案可以进行精确控制，提高了刻蚀的各向异性特性，通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双从作用刻蚀，选择性也较好。
[0025]注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
【主权项】
1.一种晶圆刻蚀工艺，其特征在于，包括如下步骤: 5101、分离:工艺气体由等离子体电离为可化学反应的粒子； 5102、扩散:粒子扩散并吸附到硅片被刻蚀的表面； 5103、表面扩散:到达硅表面后，四处移动碰撞； 5104、反应:与柜表面的膜层发生RIE反应； 5105、解吸:RIE反应的生成物解吸，离开硅片表面； 5106、排放:排放反应腔。2.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀工艺，其特征在于，所述步骤SlOl中的等离子体选用纯CF4。
【专利摘要】本发明公开一种晶圆刻蚀工艺，包括如下步骤：分离：工艺气体由等离子体电离为可化学反应的粒子。扩散：粒子扩散并吸附到硅片被刻蚀的表面。表面扩散：到达硅表面后，四处移动碰撞。反应：与柜表面的膜层发生RIE反应。解吸：RIE反应的生成物解吸，离开硅片表面。排放：排放反应腔。本发明可以进行精确控制，提高了刻蚀的各向异性特性，通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双从作用刻蚀，选择性也较好。
【IPC分类】H01L21/3065
【公开号】CN105513957
【申请号】CN201410551311
【发明人】华源兴
【申请人】江苏凯旋涂装自动化工程有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2014年10月16日