一种无介质敷铜沉金的led封装用的陶瓷基板的制作工艺的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及LED封装技术领域，具体涉及一种无介质敷铜沉金的LED封装用的陶瓷基板的制作工艺。
【背景技术】
[0002]发光二极管LED作为一种新型的发光器件，具有节能、环保、使用寿命长、启动速度快等诸多优点，可应用于电子通讯、电光板以及液晶显示器等众多领域。一般而言，LED发光晶片是以打金线、共晶或覆晶的方式连结于基板上而形成LED芯片，而后LED芯片固定于系统的电路板上。现有的LED基板主要有金属基板和陶瓷基板两种。金属基板连接LED发光晶片的技术存在着散热性差、绝缘性差等弊病。使用陶瓷基板散热性好，制作时需要先在陶瓷层上制作电极线路，方法主要有两种，一是电链法，二是气相沉积法。电链法首先是要对陶瓷进行金属化制作，制作过程中会产生大量有害污水，污染环境，而沉积膜层极薄，因此需多次分层电镀加厚，电镀过程中又再次产生大量的有害污水；且这种电镀沉积镀层膜还存在韧性差、与陶瓷的结合力差、电极点易脱落、镀层膜薄电流通过能力差等缺点，不能满足大功率电流通过要求。
[0003]目前应用于LED产品的陶瓷基板，采用的是印刷银浆电路，银浆固有硫化弊端，硫化后表面发黑，直接影响光折射率；硫化后还会产品厌电效应，降低导电性能，内阻增大，导致产品电压升高，进而发热量加大，最终导致产品失效。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种解决硫化、光折射维持率高的无介质敷铜沉金的LED封装用的陶瓷基板的制作工艺，以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案:
[0006]—种无介质敷铜沉金的LED封装用的陶瓷基板的制作工艺，具体步骤如下:
[0007](1)烧结陶瓷片:将陶瓷粉通过模具成型后放入1000-1020°C的环境中进行烧结8-10min得到陶瓷片；
[0008](2)覆铜:经过真空镀雾的方法将铜覆在陶瓷片的上表面，形成铜箔，铜箔上铜的重量为 28.2-28.5g ；
[0009](3)蚀刻:用稀硫酸按照工艺流程图腐蚀掉无用的铜箔，留下有用的铜箔作为线路；
[0010](4)沉金:将已蚀刻好线路的基板经过金药水使铜箔上沉积上金得到成品。
[0011]与现有技术相比，本发明的有益效果是:
[0012]本发明采用了无介质敷铜技术，保持了原铜材及陶瓷自身具有的优异导热性能，铜上再沉金，金的化学反应很稳定，有效解决了硫化问题，进而提高了产品的电性稳定性及光折射的长期维持率。
【附图说明】
[0013]图1为本发明的工艺流程示意图。
[0014]图中:1-陶瓷片；2-铜箔；3_蚀刻掉的铜箔；4_上金。
【具体实施方式】
[0015]下面结合【具体实施方式】对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
[0016]实施例1
[0017]请参阅图1，本发明实施例中，一种无介质敷铜沉金的LED封装用的陶瓷基板的制作工艺，具体步骤如下:
[0018](1)烧结陶瓷片:将陶瓷粉通过模具成型后放入1000°C的环境中进行烧结8min得到陶瓷片；
[0019](2)覆铜:经过真空镀雾的方法将铜覆在陶瓷片的上表面，形成铜箔，铜箔上铜的重量为28.2g ;
[0020](3)蚀刻:用稀硫酸按照工艺流程图腐蚀掉无用的铜箔，留下有用的铜箔作为线路；
[0021](4)沉金:将已蚀刻好线路的基板经过金药水使铜箔上沉积上金得到成品。
[0022]实施例2
[0023]—种无介质敷铜沉金的LED封装用的陶瓷基板的制作工艺，具体步骤如下:
[0024](1)烧结陶瓷片:将陶瓷粉通过模具成型后放入1010°C的环境中进行烧结9min得到陶瓷片；
[0025](2)覆铜:经过真空镀雾的方法将铜覆在陶瓷片的上表面，形成铜箔，铜箔上铜的重量为28.35g ；
[0026](3)蚀刻:用稀硫酸按照工艺流程图腐蚀掉无用的铜箔，留下有用的铜箔作为线路；
[0027](4)沉金:将已蚀刻好线路的基板经过金药水使铜箔上沉积上金得到成品。
[0028]实施例3
[0029]请参阅图1，本发明实施例中，一种无介质敷铜沉金的LED封装用的陶瓷基板的制作工艺，具体步骤如下:
[0030](1)烧结陶瓷片:将陶瓷粉通过模具成型后放入1020°C的环境中进行烧结lOmin
得到陶瓷片；
[0031](2)覆铜:经过真空镀雾的方法将铜覆在陶瓷片的上表面，形成铜箔，铜箔上铜的重量为28.5g ;
[0032](3)蚀刻:用稀硫酸按照工艺流程图腐蚀掉无用的铜箔，留下有用的铜箔作为线路；
[0033](4)沉金:将已蚀刻好线路的基板经过金药水使铜箔上沉积上金得到成品。
[0034]本发明采用了无介质敷铜技术，保持了原铜材及陶瓷自身具有的优异导热性能，铜上再沉金，金的化学反应很稳定，有效解决了硫化问题，进而提高了产品的电性稳定性及光折射的长期维持率。
[0035]上面对本专利的较佳实施方式作了详细说明，但是本专利并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利宗旨的前提下作出各种变化。
【主权项】
1.一种无介质敷铜沉金的LED封装用的陶瓷基板的制作工艺，其特征在于，具体步骤如下: (1)烧结陶瓷片:将陶瓷粉通过模具成型后放入1000-1020°C的环境中进行烧结8-10min得到陶瓷片； (2)覆铜:经过真空镀雾的方法将铜覆在陶瓷片的上表面，形成铜箔，铜箔上铜的重量为 28.2-28.5g ； (3)蚀刻:用稀硫酸按照工艺流程图腐蚀掉无用的铜箔，留下有用的铜箔作为线路； (4)沉金:将已蚀刻好线路的基板经过金药水使铜箔上沉积上金得到成品。
【专利摘要】本发明公开了一种无介质敷铜沉金的LED封装用的陶瓷基板的制作工艺，具体步骤如下：烧结陶瓷片：将陶瓷粉通过模具成型后放入1000-1020℃的环境中进行烧结8-10min得到陶瓷片；覆铜：经过真空镀雾的方法将铜覆在陶瓷片的上表面，形成铜箔；蚀刻：用稀硫酸按照工艺流程图腐蚀掉无用的铜箔，留下有用的铜箔作为线路；沉金：将已蚀刻好线路的基板经过金药水使铜箔上沉积上金得到成品。本发明采用了无介质敷铜技术，保持了原铜材及陶瓷自身具有的优异导热性能，铜上再沉金，金的化学反应很稳定，有效解决了硫化问题，进而提高了产品的电性稳定性及光折射的长期维持率。
【IPC分类】H01L33/64, H01L33/00
【公开号】CN105489713
【申请号】CN201510167573
【发明人】郭垣成
【申请人】郭垣成
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年4月10日