一种延长石墨舟使用寿命的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及光伏领域，具体涉及一种延长石墨舟使用寿命的方法。
【背景技术】
[0002]在太阳能电池制备过程中，需要采用管式PECVD镀减反射膜。减反射膜的成分为氮化硅。由于石墨的空隙结构，对氮化硅气体有一定的吸附性，在式PECVD镀减反射膜通气体的过程中，造成硅片表面膜厚不均匀。目前大多数企业采取了石墨舟清洗和饱和工艺。即:石墨舟每使用约100次后(约0.5-1个月)，对其进行清洗；然后饱和处理，饱和处理即在PECVD炉内，对加载或不加载硅片或假片的石墨舟进行镀氮化硅膜，纯镀膜时间长达2-3小时，才能对抗镀膜时石墨舟对硅片膜厚的影响。而实际的太阳能电池片制备过程中的镀膜工艺，气相沉积镀膜的有效时间仅仅5-10min，膜厚为80nm。因此饱和工艺虽然能够改善硅片表面膜层质量，但是气体的浪费非常严重。不仅如此，每使用100次就要进行酸洗，严重影响石墨舟的使用寿命，0.5-1.5年就要更换一次，而且石墨舟的价值较高，进一步增加了成本。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于提供一种延长石墨舟使用寿命的方法，以解决现有技术中存在的上述问题。
[0004]本发明提供的技术方案如下:
[0005]—种延长石墨舟使用寿命的方法，包括如下步骤:
[0006]1)石墨舟烘干之后，拆成片，腐蚀或清洁表面；
[0007]2)采用等离子增强化学气相沉积的方法镀第一层硅膜，功率2.4-2.6kw,通SiH4, N2,Ar ;膜厚 l_2um ；
[0008]3)采用等离子增强化学气相沉积的方法镀第二层硅膜，功率1.9-2.lKw,通SiH4，N2，Ar ;膜厚 l-3um ；
[0009]4)采用等离子增强化学气相沉积的方法镀第三层硅膜，功率1.4-1.6KW，通SiH4，N2，H2 ;膜厚 2-6um ；
[0010]5)惰性气体保护下，将温度缓慢升至800-1000°C，对非晶硅膜进行晶化，得到晶体硅薄膜；
[0011 ] 6)惰性气体保护下冷却至室温。
[0012]在本发明中，步骤1)的石墨舟为新出厂或是使用一段时间之后。
[0013]在本发明的较佳实施例中，三层硅膜的总厚度为4-10微米。
[0014]在本发明中，在步骤1)中，如果是使用过一段时间的石墨舟，则常规清洗之后再烘干即可。如果是新的石墨舟处理如下:
[0015]1)鼓泡酸洗:采用浓硝酸，30-50°C ;石墨舟一共浸泡2_3h，每lh设定鼓泡20_30min ；
[0016]2)鼓泡水洗:2_3h，每h换水一次，清洗时鼓泡不断；
[0017]3)抽风烘干:温度130_150°C，抽风，烘干时间8_20h。
[0018]由上述描述可知，本发明的硅涂层有三层，其中，第一层硅膜为底层，其采用高功率，可以将硅结合至石墨层；第二层为过渡层，将硅膜结合到第一层上；第三层为厚度大，主要为硅结晶。
[0019]采用这种做法得到的石墨舟，表面为一层4-20微米厚的均匀硅涂层，每次使用时，不必再做饱和处理，按照常规100次左右，对表面因长久使用形成的氮化硅做酸清洗即可。且不会再伤害石墨舟的表面，可以延长石墨舟的使用寿命。
【具体实施方式】
[0020]实施例1
[0021]新出厂的石墨舟
[0022]1、石墨舟烘干之后，拆成片，石墨舟在浓硝酸中一共浸泡3h，温度30_50°C ;每lh设定鼓泡20min ;鼓泡水洗2h，每小时换水一次，清洗时鼓泡不断；温度140摄氏度，抽风，烘干时间12h ;
[0023]2、采用等离子增强化学气相沉积的方法镀第一层硅膜，功率2.5kw，通SiH4, N2,Ar ;膜厚 lum ；
[0024]3、采用等离子增强化学气相沉积的方法镀第二层硅膜，功率2Kw，通SiH4，N2，Ar。采用等离子增强化学气相沉积的方法镀第三层硅膜，功率1.5KW，通SiH4 ;膜厚2um ;
[0025]4、惰性气体保护下，将温度缓慢升至800-1000°C，对非晶硅膜进行晶化，得到晶体娃薄膜，于是石墨表面的娃膜层；膜厚7um ；
[0026]5、惰性气体保护下冷却至室温。
[0027]使用时，按照常规100次左右，对表面因长久使用形成的氮化硅做酸清洗即可，不必再做饱和处理。
[0028]实施例2
[0029]使用1年的石墨舟
[0030]1、配液:HF酸与水的配比:1:5.
[0031]4)上舟:将石墨舟上的螺母全部松开，使石墨舟清洗更彻底。然后将石墨舟置于酸槽中。
[0032]3、鼓泡酸洗:石墨舟一共浸泡6_8h，每lh设定浸泡20min。
[0033]5)鼓泡水洗:6_8h，每2h换水一次，清洗时鼓泡不断。
[0034]4、抽风烘干。温度140摄氏度，抽风，烘干时间12h
[0035]5、采用等离子增强化学气相沉积的方法镀第一层硅膜，功率2.5kw，通SiH4, N2,Ar ;膜厚 lum ；
[0036]6、采用等离子增强化学气相沉积的方法镀第二层硅膜，功率2Kw，通SiH4，N2，Ar ;膜厚2um ；
[0037]7、采用等离子增强化学气相沉积的方法镀第三层硅膜，功率1.5KW，通SiH4 ;膜厚6um ；
[0038]8、惰性气体保护下，将温度缓慢升至800-1000°C，对非晶硅膜进行晶化，得到晶体娃薄膜，于是石墨表面的娃膜层；
[0039]9、惰性气体保护下冷却至室温。
[0040]使用时，按照常规100次左右，对表面因长久使用形成的氮化硅做酸清洗即可，不必再做饱和处理。
[0041]上述仅为本发明的一个具体实施例，但本发明的设计构思并不局限于此，凡利用此构思对本发明进行非实质性的改动，均应属于侵犯本发明保护范围的行为。
【主权项】
1.一种延长石墨舟使用寿命的方法，包括如下步骤: 1)石墨舟烘干之后，拆成片，腐蚀或清洁表面； 2)采用等离子增强化学气相沉积的方法镀第一层硅膜，功率2.4-2.6kw，通SiH4，N2，Ar ;膜厚 l-2um; 3)采用等离子增强化学气相沉积的方法镀第二层硅膜，功率1.9-2.lKw，通SiH4，N2，Ar ;膜厚 l-3um ； 4)采用等离子增强化学气相沉积的方法镀第三层硅膜，功率1.4-1.6KW，通SiH4，N2，H2;膜厚 2-6um ; 5)惰性气体保护下，将温度缓慢升至800-100(TC，对非晶硅膜进行晶化，得到晶体硅薄膜； 6)惰性气体保护下冷却至室温。2.如权利要求1所述的一种延长石墨舟使用寿命的方法，其特征在于:步骤1)的石墨舟为新出厂或是使用一段时间之后。3.如权利要求1所述的一种延长石墨舟使用寿命的方法，其特征在于:三层硅膜的总厚度为4-10微米。4.如权利要求1所述的一种延长石墨舟使用寿命的方法，其特征在于:步骤1)中，新的石墨舟处理如下:1)鼓泡酸洗:采用浓硝酸，30-50°C;石墨舟一共浸泡2-3h，每lh设定鼓泡20-30min ; 2)鼓泡水洗:2-3h，每h换水一次，清洗时鼓泡不断； 3)抽风烘干:温度130-150°C，抽风，烘干时间8-20h。
【专利摘要】本发明公开了一种延长石墨舟使用寿命的方法，包括如下步骤：1)石墨舟烘干之后，拆成片，2)采用等离子增强化学气相沉积的方法镀三层硅膜；膜总厚度为4-10微米；3)惰性气体保护下，将温度缓慢升至800-1000℃，对非晶硅膜进行晶化，得到晶体硅薄膜；4)惰性气体保护下冷却至室温。本发明可以延长石墨舟的使用寿命。
【IPC分类】H01L21/673, H01L31/18, H01L21/205
【公开号】CN105470344
【申请号】CN201510626772
【发明人】许新湖, 柯雨馨, 戴亮亮
【申请人】阳光大地（福建）新能源有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年9月28日