层11的表面的截面图。与其它表面部分、即非等离子体照射部分20Β相比，等离子体照射部分20Α更多地凹陷。这种凹部的底部具有平行于其它表面部分的平坦表面，其为C—面。另外，这种凹部极其浅，具有小于例如50nm、优选地在30到40nm的范围内的深度。请注意等离子体照射部分不需要凹陷，只要它形成为难蚀刻部分即可。
[0052]一旦湿蚀刻开始，如图3(b)所示，在非等离子体照射部分20B的表面上开始形成小的小面。在此点，在等离子体照射部分20A中不进行蚀刻。在图4(a)中示出了例示从元件的顶表面观察的处于此状态下的η型半导体层11的表面的示意图。
[0053]随着蚀刻进一步进行，如图3(c)所示，非等离子体照射部分20Β继续被蚀刻掉。附加地，蚀刻剂从非等离子体照射部分20Β进入等离子体照射部分20下方，并且因而进行蚀刻(也称为侧蚀刻)以到达等离子体照射部分20Α下方。在图4(b)中示出了例示从元件的顶表面观察的处于此状态下的η型半导体层11的表面的示意图。
[0054]随着蚀刻进一步进行，如图3(d)所示，形成六角锥状突起20，六角锥状突起20具有在直线组的交点IS处的顶点20C，即，距等离子体照射部分20Α最远的点。另外，如此形成的突起20的底面具有正六角形形状，该正六角形形状具有在对应于非等离子体照射部分20B的部分处的顶点20D。突起20具有均一形状并且以最密集充填排列形成在η型半导体层11的表面上。在图4(b)中示出了例示从元件的顶表面观察的处于此状态下的η型半导体层11的表面、即凹凸结构面21的示意图。按此方式，包括六角锥状突起20的凹凸结构面21形成在半导体结构层14的表面上。请注意最密集充填排列是指均具有正六角形底面的多个微椎体20之间没有任何间隙地排列在平坦表面上的排列，即，是指如图4(c)所示的所谓的蜂窝排列。
[0055]在此实施方式中，在η型半导体层11的表面上以点状形式形成易蚀刻部分20Β，并且在η型半导体层11的其它表面部分上方形成蚀刻相对难以进行的难蚀刻部分20Α。之后，进行蚀刻。这允许突起20在蚀刻中以稳定方式形成在η型半导体层11的C—面上。因此，包括具有均一形状并且以最密集充填排列设置的突起20的凹凸结构面21能够以高度可靠的方式形成。这允许以更大量从η型半导体层11的表面、即光提取表面21提取光。因而，能够提供具有高辉度、高可靠性和高光提取效率的半导体发光元件。
[0056]图5是用于说明在根据此实施方式的变形例的半导体发光元件的制造方法中形成易蚀刻部分的步骤的图。图5示出在此变形例中具有用于形成易蚀刻部分的掩模层的η型半导体层11的顶视图。为了便于理解，对掩模层19的掩模部分19Β加阴影。
[0057]根据此变形例的半导体发光元件的制造方法除了形成易蚀刻部分的步骤之外具有与根据第一实施方式的半导体发光元件的制造方法类似的步骤。此变形例在形成易蚀刻部分的步骤中掩模层19的掩模部分19Β的形状、以及从掩模部分19Β露出的η型半导体层11的表面部分11Β和要形成的易蚀刻部分的图案上不同。
[0058]如图5所示，在此变形例中的掩模层19的掩模部分19Β具有蜂窝图案。具体地，当通过第一直线组L1、第二直线组L2、第三直线组L3以包括等边三角形格子GD的网格形式细分表面时，掩模部分19Β形成为每个掩模部分构成中心在这种格子GD的顶点处的正六角形的边，因而获得蜂窝图案，第一直线组L1包括与半导体结构层14的表面上的晶体方向中的[11-20]方向平行且等间隔排列的多条直线，第二直线组L2包括与[2-1-10]方向平行且以与第一直线组L1相同的间隔排列的多条直线，第三直线组L3包括与[1-210]方向平行且以与第一直线组L1和第二直线组L2相同的间隔排列的多条直线。
[0059]此变形例的掩模部分19Β对应于通过用直线连接第一实施方式的一个掩模部分19Α和其相邻(距离最近)的三个掩模部分19Α而得到的构造。换句话说，此变形例的掩模部分19Β(即，要成为易蚀刻部分的部分)具有通过用直线连接第一实施方式的一个掩模部分19Α和其最相邻的掩模部分19Α而获得的蜂窝图案。
[0060]此外，与此实施方式同样，在此变形例中，可以通过第一直线组L1A、第二直线组L2A、第三直线组L3A以包括等边三角形格子GD的网格形式细分半导体结构层14的表面，第一直线组L1A包括与半导体结构层14的表面上的晶体方向中的[1-100]方向平行且等间隔排列的多条直线，第二直线组L2A包括与[10-10]方向平行且以与第一直线组L1A相同的间隔排列的多条直线，第三直线组L3A包括与[0-110]方向平行且以与第一直线组L1A和第二直线组L2A相同的间隔排列的多条直线，并且掩模部分19B可以相应地形成。
[0061]图6(a)?(c)是说明在此变形例的蚀刻步骤中形成微椎体的处理的图。图6(a)?(c)是以时间顺序示意地例示在蚀刻步骤中的η型半导体层11的表面的顶视图。
[0062]在此变形例中，如图6 (a)所示，一旦开始蚀刻，蚀刻进行以从对应于掩模部分19B的非等离子体照射部分(易蚀刻部分)20E进入到难蚀刻部分、即等离子体照射部分20F下方。由于非等离子体照射部分20E以蜂窝形状形成，所以蚀刻从非等离子体照射部分20E的弯曲部分(即，与其相邻非等离子体照射部分20E的交点)径向地进行，并且蚀刻从非等离子体照射部分20E的直线部分线性地进行。因而，蚀刻进行以从非等离子体照射部分20E形成总体上圆形形状。
[0063]随着蚀刻进行，如图6(b)所示，微椎体的侧表面部分20G、即除了C—面之外的晶体面(小面)开始形成。一旦通过蚀刻消除了 C—面，蚀刻变得极端难以进行。因而，一旦由于蚀刻的进展而形成了侧表面部分20G，就不进一步进行蚀刻。
[0064]最终，如图6(c)所示，形成具有正六角形形状的底面的六角锥状突起20，其以非等离子体照射部分20E为边，并且顶部顶点20H在直线组的交点(等离子体照射部分20F的中心)上方。按此方式，包括六角锥状突起20的凹凸结构面21形成在半导体结构层14的表面上。
[0065]在此变形例中，易蚀刻部分20E以蜂窝形状形成。此变形例中的易蚀刻部分20E具有比第一实施方式中的点状易蚀刻部分20B大的面积。这允许在短蚀刻时段中形成突起20，SP，凹凸结构面21。
[0066]图7(a)和图7(b)是用于说明在此实施方式中根据半导体发光元件的制造方法制造的半导体发光元件10的光提取表面(即半导体结构层14的C—面)21上形成的突起20的详细形状的图。图7(a)是从上方观看的突起20的放大图。图7(b)是沿着图7的线W-W所取的截面图。
[0067]如上所述，半导体结构层14的表面具有包括六角锥状突起20的凹凸表面结构。另夕卜，当通过直线组L1到L3将半导体结构层14的表面以包括等边三角形单位格子GD的网格形式细分时，突起20具有六角锥状形状，六角锥状形状具有中心在这种单位格子GD的顶点处的正六角形的底边。具体地，这种六角锥状突起20的顶部顶点20C的位置对应于从上方观看的直线组的交点的位置，即，如图7(a)所示的单位格子GD的顶点的位置。另外，突起20的底面具有正六角形形状，该正六角形形状具有在对应于易蚀刻部分20B的部分处的顶点20D。
[0068]如图7(a)和图7(b)所示，突起20的侧边部分(侧棱部分)20K具有凹陷结构(谷结构)。突起20的六个侧表面(S卩，六角锥的角锥表面)20J各具有等腰三角形形状，并且它们的顶点部分一起形成突起20的顶点20C。突起20的侧表面20J的等边部分经由具有凹陷结构的侧边部分20K与其相邻侧表面20J的等边部分接触。另外，如图7(b)所示，突起20的侧边部分20K具有以下结构:谷部分(凹部)20L插入在峰部分(突起)20M和20N之间。
[0069]第二实施方式
[0070]图8是用于说明在根据第二实施方式的半导体发光元件的制造方法中形成易蚀刻部分的步骤的图。根据第二实施方式的半导体发光元件的制造方法除了形成易蚀刻部分的步骤之外具有与根据第一实施方式的半导体发