用于形成sram鳍部的掩膜版组件以及鳍部的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本申请涉及半导体集成电路的技术领域，具体而言，涉及一种用于形成SRAM鳍部的掩膜版组件以及鳍部的利记博彩app。
【背景技术】
[0002]SRAM(静态随机存储器)是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路既能保存它内部存储的数据。随着半导体工艺技术的不断发展，SRAM的集成度不断提高，SRAM中晶体管的尺寸也不断缩小，使得晶体管容易产生短沟道效应，最终影响SRAM的性能。为了克服上述问题，现有技术提出了鳍式场效应管(FinFET)。该鳍式场效应管包括凸出于衬底表面设置的鳍部，以及设置于该鳍部的上表面和侧壁上的栅极结构。在该鳍式场效应管中，鳍部的顶部以及两侧的侧壁与栅极结构相接触的部分形成沟道区，从而有利于增大驱动电流，并改善SRAM的性能。
[0003]现有SRAM中的鳍部的利记博彩app通常包括以下步骤:首先，在衬底上依次形成第一掩膜层和第二掩膜层；然后，采用第一掩膜版刻蚀第二掩膜层，并在剩余第二掩膜层的两侧侧壁上形成介质层；接下来，去除第二掩膜层，并采用第二掩膜版刻蚀介质层；最后沿剩余介质层中图形刻蚀第一掩膜层和衬底，以在衬底中形成鳍部。图1a和图1b分别示意出了上述利记博彩app所采用第一掩膜版和第二掩膜版的结构示意图。如图1a所示，第一掩膜版包括至少两组第一图形单元，每组第一图形单元包括多个平行设置的第一光阻挡区和相应地设置于相邻第一光阻挡区之间的第一光透过区，同时第一掩膜版还包括设置在相邻第一图形单元之间的第二光透过区。如图1b所示，第二掩膜版包括与每组第一图形单元的位置对应设置的第二图形单元，每组第二图形单元包括多组第二图形子单元，每组第二图形子单元包括沿第一光透过区的延伸方向交替设置在与第一光透过区相对应的位置上的第三光透过区和第三光阻挡区，且每组第二图形子单元的两端分别延伸至与第一光透过区相邻的第一光阻挡区上，同时第二掩膜版好包括设置在相邻第二图形单元之间的第四光阻挡区。
[0004]上述第一掩膜版中第二光透过区的宽度通常明显大于第一光透过区的宽度，以在采用上述第一掩膜版和第二掩膜版形成鳍部之后，在衬底中对应于第二光透过区的位置上形成其他的结构。因此，在采用第一掩膜版进行光刻的过程中通过第二光透过区和第一光透过区的光强有所不同，从而使得在将第一掩膜版中图形转移到掩膜层的过程中由于光的衍射造成的图形失真程度存在较大差异，且该图形失真程度的差异很难进行补偿校正。同时在采用上述第二掩膜版进行光刻的过程中，上述第二掩膜版中第三光透过区的密度(即第三光透过区的面积与所述第二掩膜版的面积之比)较小，使得光刻过程中曝光的光强过低，从而降低了采用第二掩膜版进行图形转移的准确性，并最终影响所形成SRAM的性能。针对上述问题，目前还没有有效的解决方法。
【发明内容】
[0005]本申请旨在提供一种用于形成SRAM鳍部的掩膜版组件以及鳍部的利记博彩app，以提高掩膜版组件中图形的均匀性。
[0006]为了实现上述目的，本申请提供了一种用于形成鳍部的掩膜版组件，包括第一掩膜版和第二掩膜版，其中:第一掩膜版包括至少两组第一图形单元，每组第一图形单元包括多个平行设置的第一光阻挡区和相应地设置于相邻第一光阻挡区之间的多个第一光透过区；第二掩膜版包括与每组第一图形单元的位置对应设置的第二图形单元，每组第二图形单元包括多组第二图形子单元，每组第二图形子单元包括沿第一光透过区的延伸方向交替设置在与第一光透过区相对应的位置上的第三光透过区和第三光阻挡区，且每组第二图形子单元的两端分别延伸至与第一光透过区相邻的第一光阻挡区上，其中，第一掩膜版还包括:第二光阻挡区，与第一光阻挡区平行地设置于相邻第一图形单元之间；第二光透过区，设置于相邻第一图形单元之间，且位于第二光阻挡区的两侧；第二掩膜版还包括:第四光透过区，与第二光阻挡区的位置对应设置，且第四光透过区的宽度大于第二光阻挡区的宽度；第四光阻挡区，设置于相邻第二图形单元之间，且位于第四光透过区的两侧。
[0007]进一步地，上述掩膜版组件中，第一掩膜版中第二光阻挡区设置于相邻第一图形单元之间的正中心位置。
[0008]进一步地，上述掩膜版组件中，每组第一图形单元包括三个第一光阻挡区和两个第一光透过区。
[0009]进一步地，上述掩膜版组件中，相邻第二图形子单元中位于不同第二图形子单元中由第三光透过区和第三光阻挡区组成的组沿第一光透过区的延伸方向交错设置。
[0010]本申请还提供了一种鳍部的利记博彩app，该利记博彩app包括:在衬底上依次形成第一掩膜层和第二掩膜层；采用本申请提供的掩膜版组件中第一掩膜版刻蚀去除第二掩膜层中对应于第一掩膜版中第一光透过区和第二光透过区的部分；在剩余第二掩膜层的两侧侧壁上形成介质层；去除第二掩膜层；采用掩膜版组件中第二掩膜版刻蚀去除介质层中对应于第二掩膜版中第三光透过区和第四光透过区的部分；沿剩余介质层中图形刻蚀第一掩膜层和衬底，以在衬底中形成鳍部。
[0011]进一步地，采用第一掩膜版刻蚀第二掩膜层的步骤包括:在第二掩膜层上形成第一光刻胶预备层；采用第一掩膜版光刻第一光刻胶预备层，以形成图形化的第一光刻胶层；沿第一光刻胶层中图形刻蚀第二掩膜层。
[0012]进一步地，采用第二掩膜版刻蚀介质层的步骤包括:形成覆盖介质层和第一掩膜层的第二光刻胶预备层；采用第二掩膜版光刻第二光刻胶预备层，以形成图形化的第二光刻胶层；沿第二光刻胶层中图形刻蚀介质层。
[0013]进一步地，第一掩膜层由远离衬底的方向上依次设置的Si02层、SiN层和3102层组成；第二掩膜层为无定型碳层；介质层为氮化硅层或二氧化硅层。
[0014]本申请还提供了一种SRAM，包括设置于衬底上的鳍部，以及与鳍部连接设置的晶体管，其特征在于，鳍部由本申请上述的利记博彩app制作而成。
[0015]进一步地，衬底包括多个存储单元区，鳍部和晶体管设置于各存储单元区中，每个存储单元区上设置有两个上拉晶体管、两个下拉晶体管和两个存取晶体管。
[0016]应用本申请的技术方案，通过在第一掩膜版中相邻第一图形单元之间设置与第一光阻挡区平行的第二光阻挡区，并在相邻第一图形单元之间、第二光阻挡区的两侧设置第二光透过区，减小了第一光透过区的宽度和第二光透过区的宽度之间的差值，从而提高了第一掩膜版中图形的均匀性，同时通过在第二掩膜版中对应于第二光阻挡区的位置上设置第四光透过区，并在第四光透过区的两侧设置第四光阻挡区，使得第二掩膜版中光透过区的密度得以增加，从而增加了采用第二掩膜版进行光刻时的光强，提高了采用第二掩膜版进行图形转移的准确性，进而提高所形成器件的性能。
【附图说明】
[0017]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
[0018]图1a示出了现有掩膜版组件中第一掩膜版的结构示意图；
[0019]图1b示出了现有掩膜版组件中第二掩膜版的结构示意图；
[0020]图2a示出了本申请实施方式所提供的用于形成鳍部的掩膜版组件中第一掩膜版的结构不意图；
[0021]图2b示出了本申请实施方式所提供的用于形成鳍部的掩膜版组件中第一掩膜版的结构不意图；
[0022]图3示出了本申请实施方式所提供的鳍部的利记博彩app的流程示意图；
[0023]图4示出了本申请实施方式所提供的鳍部的利记博彩app中，在衬底上依次形成第一掩膜层和第二掩膜层；
[0024]图5示出了采用本申请提供的掩膜版组件中第一掩膜版刻蚀去除图4所示的第二掩膜层中对应于第一掩膜版中第一光透过区和第二光透过区的部分；
[0025]图6不出了在图5所TJK第二掩膜层的两侧侧壁上形成介质层；
[0026]图7示出了去除图6所示的第二掩膜层；
[0027]图8示出了采用掩膜版组件中第二掩膜版刻蚀去除图7所示的介质层中对应于第二掩膜版中第三光透过区和第四光透过区的部分；以及
[0028]图9示出了沿图8所示的介质层中图形刻蚀第一掩膜层和衬底，以在衬底中形成鳍部。
【具体实施方式】
[0029]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
[0030]需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述【具体实施方式】