提高oled封装效果的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及0LED封装技术领域，尤其涉及一种提高0LED封装效果的方法。
【背景技术】
[0002]近年来，OLED (Organic Light-Emitting D1de，有机电致发光显示器)作为一种新兴的平板显示器进入大众视线，因其具有良好的色彩对比度、主动发光、宽视角、能薄型化、响应速度快和低能耗等优点，被公认为可替代LCD的一种最具前景的显示技术。然而，在0LED显示器中，有机发光层和电极遇水和氧容易失效，从而大大影响0LED器件的使用寿命。因此，业界采用各种材料将0LED器件密封于玻璃外壳中，以通过气密式密封的方式将有机发光层和电极与周围环境隔离开来。密封0LED器件时采用的其中一种材料为玻璃料(Frit)ο
[0003]在目前的0LED封装制程中，通常采用网版(mask)将玻璃料直接印刷在封装盖板(Cap Glass)上，此种方式使得印刷好的玻璃料表面形貌不好(表面有凸起或凹陷、边缘毛刺现象严重)，增加了封装时产生的气泡量，降低了封装效果；并且，网版印刷由于需要将玻璃料大量涂覆于网版上，而透过网版印刷至封装盖板上的玻璃料的量非常有限，使玻璃料的利用率极低，提高了玻璃料的成本；另外，由于印刷时会存在位置偏移，导致玻璃料的位置精度较低，使得设计时需要加大显示区与玻璃料的安全距离，不易实现窄边框的0LED。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明提供了一种提高0LED封装效果的方法。
[0005]本发明提供的提高0LED封装效果的方法包括:在封装盖板上整面涂覆光刻胶；去除需要涂覆玻璃料区域的光刻胶，在需要涂覆玻璃料的区域形成光刻胶凹槽；将玻璃料转移至光刻胶凹槽内；低温预烘烤，将玻璃料初步定型；去除光刻胶；烧结固化，将玻璃料完全定型。
[0006]根据本发明的一个实施例，所述方法还包括:压合合板，将封装盖板和带有机发光器件的玻璃基板压合在一起；封装，采用激光封装法将有机发光器件封装在封装盖板和玻璃基板之间。
[0007]根据本发明的一个实施例，预烘烤时的温度为100?200°C。
[0008]根据本发明的一个实施例，烧结固化时的温度为300?550°C。
[0009]根据本发明的一个实施例，将玻璃料转移至光刻胶凹槽内的步骤中采用的玻璃料的粘度为1000?30，OOOCPSo
[0010]根据本发明的一个实施例，将玻璃料转移至光刻胶凹槽内的步骤中采用的玻璃料的粘度为几千CPS。
[0011]根据本发明的一个实施例，将玻璃料转移至光刻胶凹槽内时采用点胶的方式转移。
[0012]根据本发明的一个实施例，去除需要涂覆玻璃料区域的光刻胶时采用的工艺包括曝光和显影。
[0013]根据本发明的一个实施例，去除光刻胶的步骤中采用的方法为干法刻蚀或湿法刻蚀。
[0014]本发明利用光刻胶凹槽对玻璃料的边缘形状进行限制，优化了玻璃料的表面形貌，玻璃料表面非常平坦，几乎没有凹陷和凸起，从而可以减少封装时产生的气泡，提高了封装效果；采用光刻胶凹槽对玻璃料进行定位，还可以提高玻璃料的位置精度，降低了显示区与玻璃料的安全距离，使0LED的边框可以做的更窄。
[0015]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
【附图说明】
[0016]图la至图le所示为本发明提高0LED封装效果的方法的部分工序的剖视示意图。
[0017]图2所示为封装盖板的俯视示意图。
【具体实施方式】
[0018]为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对本发明详细说明如下。
[0019]图la至图le所示为本发明的提高0LED封装效果的方法的工序示意图。如图la至图le所示，本发明的提高0LED封装效果的方法包括:
[0020]步骤1:在封装盖板1上整面涂覆光刻胶，所涂光刻胶的层数依需要而涂，可以涂一层也可以涂多层，如图2所示，本实施例的封装盖板1为一矩形的玻璃板，其包括显示区11和位于显示区11外围的矩形框状封装区12 ;
[0021]步骤2:通过曝光、显影等光刻工艺去除需要涂覆玻璃料区域的光刻胶(图2中的矩形阴影区即为需要涂覆玻璃料的区域，此区域的光刻胶需要去除，图2中非阴影区域的光刻胶不需要去除)，图la所示为去除需要涂覆玻璃料区域的光刻胶之后的剖视示意图，如图la所示，去除光刻胶2后，在需要涂覆玻璃料的区域即图2中的阴影区形成有光刻胶凹槽21，光刻胶凹槽21穿透光刻胶层；
[0022]步骤3:如图lb所示，通过点胶(dispenser)的方式将玻璃料3转移至光刻胶凹槽21内，此处使用的玻璃料3的粘度应尽可能低(其粘度为几千至几十万CPS (布氏粘度单位)，具体可以为1000?30，000CPS，也就是说，其粘度可以低至几千CPS，而传统网印采用的玻璃料的粘度约为5万?25万CPS)，以尽可能地提高其在光刻胶凹槽21内的流动性，当然在本发明的其它实施例中，也可以采用网版印刷(mask)的方式将玻璃料3转移至光刻胶凹槽21内，采用网版印刷的方式时采用的玻璃料3的粘度也尽可能低；
[0023]步骤4:如图lc所示，进行低温预烘烤(Prebake)(预烘烤时的温度为100?200°C )，将玻璃料3初步定型，为下一步去除光刻胶2做准备；
[0024]步骤5:如图1d所示，通过干法刻蚀或湿法刻蚀去除光刻胶2，去除光刻胶2时不采用损伤玻璃料3的化学药剂；
[0025]步骤6:如图le所示，烧结固化(烧结固化时的温度为300?550°C )，将玻璃料3完全定型；
[0026]步骤7:压合合板，将封装盖板1和带有机发光器件的玻璃基板压合在一起；
[0027]步骤8:封装，封装时采用激光封装法，即采用电脑控制激光头沿着玻璃料3扫描，激光透过封装盖板1照射至玻璃料3，玻璃料3吸收能量而熔融，达到与玻璃基板的封合，从而完成对0LED器件的密封。
[0028]综上所述，本发明提供的提高0LED封装效果的方法至少具有如下优点:
[0029]1.本发明利用光刻胶凹槽对玻璃料的边缘形状进行限制，优化了玻璃料的表面形貌，玻璃料表面非常平坦，几乎没有凹陷和凸起，从而可以减少封装时产生的气泡，提高封装效果。
[0030]2.由于光刻胶凹槽采用光刻工艺形成，使得玻璃料的形状上宽下窄，呈倒梯形，从而可以增加与玻璃基板接触的玻璃料的面积，有利于玻璃料与玻璃基板的封接，提高了封装效果。
[0031]3.采用光刻胶凹槽对玻璃料进行定位，并采用点胶的方式将玻璃料填至光刻胶凹槽内，提高了玻璃料的位置精度，从而降低了显示区与玻璃料的安全距离，使0LED的边框可以做的更窄。
[0032]4.采用点胶的方式将玻璃料填至光刻胶凹槽内，可以减少填玻璃料时玻璃料的用量，提高了玻璃料的利用率，将其由不到20 %提升至90 %以上。
[0033]以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
【主权项】
1.一种提高OLED封装效果的方法，其特征在于，其包括: 在封装盖板上整面涂覆光刻胶； 去除需要涂覆玻璃料区域的光刻胶，在需要涂覆玻璃料的区域形成光刻胶凹槽； 将玻璃料转移至光刻胶凹槽内； 低温预烘烤，将玻璃料初步定型； 去除光刻胶； 烧结固化，将玻璃料完全定型。2.根据权利要求1所述的提高OLED封装效果的方法，其特征在于:所述方法还包括: 压合合板，将封装盖板和带有机发光器件的玻璃基板压合在一起； 封装，采用激光封装法将有机发光器件封装在封装盖板和玻璃基板之间。3.根据权利要求1所述的提高OLED封装效果的方法，其特征在于:预烘烤时的温度为100 ?200。。。4.根据权利要求1所述的提高0LED封装效果的方法，其特征在于:烧结固化时的温度为 300 ?550 Γ。5.根据权利要求1所述的提高0LED封装效果的方法，其特征在于:将玻璃料转移至光刻胶凹槽内的步骤中采用的玻璃料的粘度为1000?30，OOOCPSo6.根据权利要求1所述的提高0LED封装效果的方法，其特征在于:将玻璃料转移至光刻胶凹槽内的步骤中采用的玻璃料的粘度为几千CPS。7.根据权利要求1所述的提高0LED封装效果的方法，其特征在于:将玻璃料转移至光刻胶凹槽内时采用点胶的方式转移。8.根据权利要求1所述的提高0LED封装效果的方法，其特征在于:去除需要涂覆玻璃料区域的光刻胶时采用的工艺包括曝光和显影。9.根据权利要求1所述的提高0LED封装效果的方法，其特征在于:去除光刻胶的步骤中采用的方法为干法刻蚀或湿法刻蚀。
【专利摘要】一种提高OLED封装效果的方法，包括在封装盖板上整面涂覆光刻胶；去除需要涂覆玻璃料区域的光刻胶，在需要涂覆玻璃料的区域形成光刻胶凹槽；将玻璃料转移至光刻胶凹槽内；低温预烘烤，将玻璃料初步定型；去除光刻胶；烧结固化，将玻璃料完全定型。本发明利用光刻胶凹槽对玻璃料的边缘形状进行限制，优化了玻璃料的表面形貌，可以减少封装时产生的气泡，提高封装效果，还可以提高玻璃料的位置精度，降低显示区与玻璃料的安全距离，使OLED的边框可以做的更窄。
【IPC分类】H01L51/56, H01L51/52
【公开号】CN105405987
【申请号】CN201510981023
【发明人】张玉磊, 刘建立
【申请人】昆山国显光电有限公司
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2015年12月23日