一种加速蓝宝石衬底隐形切割自裂的方法
【技术领域】
[0001]本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种蓝宝石衬底隐形切割的方法。
【背景技术】
[0002]在LED芯片制备工艺中，切割就是将制好的晶圆片分割成符合所需尺寸的单一晶粒，这是半导体发光二极管芯片制造工艺中一道必不可少的工序。目前在LED芯片制备领域一般采用激光切割。激光切割主要有激光表切和隐切两种。它是用一定能量密度和波长的激光束聚焦在晶圆片表面或内部，通过激光在晶圆片表面或内部灼烧出划痕，然后再用裂片机沿划痕裂开。激光切割具有产能高、成品率高、易于自动化操作、成本低等优势。
[0003]随着LED对亮度的要求不断提高，隐形切割技术成为LED行业发展趋势。目前先进的隐形切割技术成功地解决了 LED亮度低的问题。在不降低成品率的情况下，隐形切割技术成功控制了 LED亮度的降低，并适用于不同厚度的各种的外延片。
[0004]但是由于激光功率的不稳定性以及蓝宝石衬底自裂能力的差异，晶圆片无法完全自裂，导致劈裂时强行崩开、扩膜后正面外观较差、芯片边缘出现不规则断裂现象，部分芯片甚至出现无法劈开整面双胞导致报废，从而降低了芯片外观良率。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题是:提供一种加速蓝宝石衬底隐形切割自裂的方法，该方法可以降低LED芯片正面不规则崩裂比例，得到外观和质量良好的芯片。
[0006]为了解决本发明的技术问题，本发明提供一种加速蓝宝石衬底隐形切割自裂的方法，包括准备蓝宝石衬底LED晶圆片，对晶圆片进行隐形切割，该方法还包括将晶圆片置于烘箱内烘烤，取出冷却至常温，用劈裂机进行劈裂，使芯片完全分离。
[0007]优选地，所述烘烤的温度为60_120°C。
[0008]优选地，所述烘烤时间为10_30min。
[0009]本发明的有益效果:本发明提供一种加速蓝宝石衬底隐形切割自裂的方法，通过将被隐形切割的晶圆片置于烘箱内烘烤，加速晶圆片自裂，从而避免因晶圆片无法完全自裂导致劈裂时强行崩开、扩膜后正面外观较差、芯片边缘出现不规则断裂现象等问题，提高了产品良率，降低生产成本。
【具体实施方式】
[0010]提供一种加速蓝宝石衬底隐形切割自裂的方法，步骤如下:
(1)准备晶圆片:在蓝宝石衬底上进行外延，并经过芯片工艺形成LED晶圆片，此时芯片已经形成电极，切割道已经形成，但是衬底没有进行切割；
(2)激光切割:将芯片有电极的一面贴在白膜上，利用隐形切割机从无电极的一面对芯片进行隐形切割；
(3)烘烤:将没有完全自裂开的晶圆片置于烘箱内，在60-120°C烘烤10-30min，然后再取出冷却至常温；
(4)劈裂:将冷却至常温的芯片贴上PET透明薄膜，用劈裂机对晶圆片进行劈裂，使得芯片完全分离。
[0011]用本发明生产LED芯片正面不规则崩裂比例明显下降，良率显著提高。
[0012]以上所述，仅为本发明中的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉该技术的人在本发明所揭露的技术范围内，可轻易想到的变换或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
【主权项】
1.一种加速蓝宝石衬底隐形切割自裂的方法，其特征在于包括如下步骤: 准备蓝宝石衬底LED晶圆片； 对晶圆片进行激光隐形切割； 将没有完全自裂开的晶圆片置于烘箱内烘烤，取出冷却至常温； 用劈裂机进行劈裂，使得芯片完全分离。2.根据权利要求1所述的一种加速蓝宝石衬底隐形切割自裂的方法，其特征在于所述烘烤的温度为60-120°C。3.根据权利要求1所述的一种加速蓝宝石衬底隐形切割自裂的方法，其特征在于所述烘烤时间为10-30min。
【专利摘要】本发明提供一种加速蓝宝石衬底隐形切割自裂的方法，包括准备蓝宝石衬底LED晶圆片，对晶圆片进行隐形切割，该方法还包括将晶圆片置于烘箱内烘烤，取出冷却至常温，用劈裂机进行劈裂，使芯片完全分离。
【IPC分类】H01L21/78, H01L33/00
【公开号】CN105405932
【申请号】CN201410388208
【发明人】李青鑫, 胡嘉俊, 王召灿, 杨小东
【申请人】晶能光电（江西）有限公司
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2014年8月8日