一种异质结太阳能电池及其制备方法与太阳能电池组件的利记博彩app
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法与太阳能电池组件。
【背景技术】
[0002]近年来，太阳能电池生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，光伏发电的应用日益广泛并成为电力供应的重要能源之一。异质结太阳能电池技术是一种新型的高效电池技术，具有制程温度低、工艺简单、转换效率高等优势。
[0003]然而，当太阳光照射到电池表面时，如果太阳光被电池表面反射出去，则这部分太阳光不能到达电池表面，无法转换成电能，不利于异质结太阳能电池能量的输出。现有异质结太阳能电池通过制绒工艺在其电池表面形成绒面结构以减少光线的反射，但是即使是绒面的电池表面能够将入射的太阳光进行多次反射而增加了吸收的太阳光，仍有约11%的太阳光因反射而损失。为此，现有技术中大多采用在电池表面上覆盖减反射膜层(Ant1-reflective Coating，ARC)减少不必要的反射，增加异质结太阳能电池的能量输出。
[0004]现有的异质结太阳能电池，一般先在透明导电膜层(Transparent ConductingOxide, TC0)上设置减反射涂层，然后在减反射涂层上设置电极，如图1所示，现有的异质结太阳能电池的结构，包括:晶体硅片11、第一本征层I层12、第二本征层I层13、掺杂层P (或N)层14、掺杂层N(或P)层15、透明导电膜层16、减反射涂层17以及电极18，这样制备出来的太阳能电池的最外层为电极，最外层的电极很容易将照射到电极上的太阳光反射出去，降低太阳光的利用率，影响异质结太阳能电池的能量输出；同时，电极暴露在空气中，很容易被氧化而形成氧化层，从而降低太阳能电池的性能。
[0005]综上所述，现有技术中电极设置在异质结太阳能电池的最外层，一方面，最外层的电极很容易将照射到电极上的太阳光反射出去，降低太阳光的利用率，影响异质结太阳能电池的能量输出；另一方面，最外层的电极暴露在空气中，很容易被氧化而形成氧化层，降低太阳能电池的性能。
【发明内容】
[0006]本发明实施例提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法与太阳能电池组件，用以降低电池表面的反射作用，提高太阳光的利用率，同时提高电极的抗氧化能力，提升电池的性能。
[0007]本发明实施例提供的一种异质结太阳能电池，包括:晶体硅片、依次设置于所述晶体硅片第一侧面的第一本征层I层和掺杂层P层、依次设置于所述晶体硅片第二侧面的第二本征层I层和掺杂层N层、以及设置于所述掺杂层P层和所述掺杂层N层之上的透明导电膜层、以及设置于所述透明导电膜层上的电极，还包括:设置于至少一侧电极之外的第一减反射涂层。
[0008]本发明实施例提供的上述异质结太阳能电池中，在异质结太阳能电池至少一侧电极之外设置第一减反射涂层，使得异质结太阳能电池的电极设置在第一减反射涂层的下方，与现有技术中异质结太阳能电池的最外层为电极，最外层电极容易将照射到电极表面的太阳光反射出去，电极容易被氧化相比，通过将电池的电极设置在第一减反射涂层的下方，一方面第一减反射涂层能够降低对太阳光的反射作用，另一方面使得部分被电极反射的太阳光经过第一减反射涂层的反射重新进入电池中，从而降低了电池表面的反射作用，提高太阳光的利用率，同时电池的电极被第一减反射涂层所包覆，能够提高电极的抗氧化能力，提升电池的性能。
[0009]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述异质结太阳能电池中，所述异质结太阳能电池，还包括:设置于至少一侧的透明导电膜层与电极之间的第二减反射涂层，且所述第二减反射涂层的电阻率小于预设阈值。
[0010]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述异质结太阳能电池中，所述第一减反射涂层和所述第二减反射涂层设置在所述晶体硅片的同一侧。
[0011 ] 在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述异质结太阳能电池中，所述第一减反射涂层为单层减反射材料层或者多层减反射材料层，和/或所述第二减反射涂层为单层减反射材料层或者多层减反射材料层。
[0012]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述异质结太阳能电池中，所述第一减反射涂层的折射率与所述第二减反射涂层的折射率不同，且所述第一减反射涂层的厚度大于或等于80纳米且小于或等于200纳米，所述第二减反射涂层的厚度为大于或等于50纳米且小于或等于150纳米。
[0013]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述异质结太阳能电池中，所述第一减反射涂层的折射率与所述第二减反射涂层的折射率相同，且所述第一减反射涂层的厚度与所述第二减反射涂层的厚度之和大于或等于50纳米且小于或等于150纳米。
[0014]本发明实施例提供的一种太阳能电池组件，包括至少一个本发明实施例提供的异质结太阳能电池。
[0015]本发明实施例提供的太阳能电池组件中，包括至少一个本发明实施例提供的异质结太阳能电池，也即在异质结太阳能电池至少一侧电极之外设置第一减反射涂层，使得异质结太阳能电池的电极设置在第一减反射涂层的下方，与现有技术中异质结太阳能电池的最外层为电极，最外层电极容易将照射到电极表面的太阳光反射出去，电极容易被氧化相比，通过将电池的电极设置在第一减反射涂层的下方，一方面第一减反射涂层能够降低对太阳光的反射作用，另一方面使得部分被电极反射的太阳光经过第一减反射涂层的反射重新进入电池中，从而降低了电池表面的反射作用，提高太阳光的利用率，同时电池的电极被第一减反射涂层所包覆，能够提高电极的抗氧化能力，提升电池的性能。
[0016]本发明实施例提供的一种异质结太阳能电池的制备方法，包括:在晶体硅片第一侧表面沉积第一硅薄膜层，在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层；在所述第一硅薄膜层和所述第二硅薄膜层表面沉积透明导电膜层，并在沉积透明导电膜层之后的晶体硅片上丝网印刷制备电极；在制备电极之后的晶体硅片的至少一个侧面设置第一减反射涂层。
[0017]本发明实施例提供的上述方法中，在异质结太阳能电池的制备过程中，在制备电极之后的晶体硅片的至少一个侧面设置第一减反射涂层，也即先制备电极，然后在电极上设置第一减反射涂层，使得异质结太阳能电池的电极设置在第一减反射涂层的下方，与现有技术中异质结太阳能电池的最外层为电极，最外层电极容易将照射到电极表面的太阳光反射出去，电极容易被氧化相比，通过将电池的电极设置在第一减反射涂层的下方，一方面第一减反射涂层能够降低对太阳光的反射作用，另一方面使得部分被电极反射的太阳光经过第一减反射涂层的反射重新进入电池中，降低了电池表面的反射作用，提高太阳光的利用率，同时电池的电极被第一减反射涂层所包覆，能够提高电极的抗氧化能力，提升电池的性能。
[0018]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述方法中，在沉积透明导电膜层之后的晶体硅片上丝网印刷制备电极之前，该方法还包括:在沉积透明导电膜层之后的晶体硅片的至少一个侧面设置第二减反射涂层，其中，所述第二减反射涂层的电阻率小于预设阈值；在沉积透明导电膜层之后的晶体硅片上丝网印刷制备电极，包括:在至少一个侧面设置有第二减反射涂层的晶体硅片上丝网印刷制备电极。
[0019]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述方法中，所述第一减反射涂层和所述第二减反射涂层设置在所述晶体硅片的同一侧。
[0020]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述方法中，所述第一减反射涂层为单层减反射材料层或者多层减反射材料层，和/或所述第二减反射涂层为单层减反射材料层或者多层减反射材料层。
[0021]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述方法中，当所述第一减反射涂层的折射率与所述第二减反射涂层的折射率不同时，所述第一减反射涂层的厚度大于或等于80纳米且小于或等于200纳米，所述第二减反射涂层的厚度为大于或等于50纳米且小于或等于150纳米。
[0022]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述方法中，当所述第一减反射涂层的折射率与所述第二减反射涂层的折射率相同时，所述第一减反射涂层的厚度与所述第二减反射涂层的厚度之和大于或等于50纳米且小于或等于150纳米。
[0023]在一种可能的实施方式中，本发明实施例提供的上述方法中，在晶体硅片第一侧表面沉积第一硅薄膜层，在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之前，该方法还包括: