一种耐高温电子连接器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种电子连接器，具体涉及一种耐高温电子连接器，属于电子连接器技术领域。
【背景技术】
[0002]电子连接器在许多工业领域已得到广泛应用，它起着器件与器件、组件与组件、系统与系统之间进行电气连接和信号传递的重要作用，是保证整个系统可靠工作的重要基础元件。随着工业技术的不断发展，特殊的工作环境对电子连接器提出了更高的要求，尤其是要求电子连接器能在高压、高应力和高温度场合下具有高可靠性能。
[0003]目前，传统的塑料封接电子连接器虽然生产工艺较简单，生产成本低，使用数量大，但很难适应在一些高温、低温、湿热等特殊工作环境下的使用要求。传统的塑料封接电子连接器不仅不耐高温，而且塑料在高温环境下易挥发出有害成分，同时，塑料封接电子连接器由于塑料粘附金属的结合力有限，故不具备足够的抗拉和抗扭能力。此外，现有的电子连接器中的金属零件由于在电镀工艺方面存在的诸多缺陷，造成镀层质量低下，导致电子连接器的耐热性降低、电绝缘性能下降、抗腐蚀性不足等。
【发明内容】
[0004]针对上述需求，本发明提供了一种耐高温电子连接器，该电子连接器通过采用合理的封接工艺和电镀工艺，不仅具备优良的耐高温性能，而且具有机械强度高、电绝缘性好、可靠性高的优异性能，可以满足不同环境的使用要求。
[0005]本发明是一种耐高温电子连接器，所述的电子连接器由外壳、接触体和封接体组成，所述的外壳采用可伐合金材料，所述的接触体包括插针和插孔，该接触体采用铍铜材料，所述的封接体采用玻璃材料，所述的接触体和封接体通过真空正压玻璃封接工艺与外壳封接在一起。
[0006]在本发明一较佳实施例中，所述的外壳表面先通过化学镀镍工艺镀化学镍20um左右，再电镀镉60um左右。
[0007]在本发明一较佳实施例中，所述的接触体表面先通过化学镀镍工艺镀化学镍20um左右，再电镀金40um左右。
[0008]在本发明一较佳实施例中，所述的封接体由平均粒径为160um的硼硅酸盐玻璃粉料制备而成。
[0009]在本发明一较佳实施例中，所述的硼硅酸盐玻璃粉料由平均粒径为2um的硼硅酸盐玻璃原粉经喷雾造粒工艺制备而成。
[0010]在本发明一较佳实施例中，所述的真空正压玻璃封接工艺是将组装好的电子连接器封装件放入真空炉中，抽真空并充入高纯氮气，在封接温度710?750°C下封接处理25?30min，再经退火、降温后出炉成型。
[0011]本发明揭示了一种耐高温电子连接器，该电子连接器通过采用合理的封接工艺和电镀工艺，不仅具备优良的耐高温性能，而且具有机械强度高、电绝缘性好、可靠性高的优异性能，可以满足不同环境的使用要求。
【附图说明】
[0012]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明:
图1是本发明实施例耐高温电子连接器的结构示意图；
附图中各部件的标记如下:1、外壳，2、接触体，3、封接体。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0014]图1是本发明实施例耐高温电子连接器的结构示意图；该电子连接器由外壳1、接触体2和封接体3组成，所述的外壳1采用可伐合金材料，所述的接触体2包括插针和插孔，该接触体2采用铍铜材料，所述的封接体3采用玻璃材料，所述的接触体2和封接体3通过真空正压玻璃封接工艺与外壳1封接在一起。
[0015]本发明提及的耐高温电子连接器采用可伐合金和铍铜作为基体材料来分别制作外壳1和接触体2，以真空正压玻璃封接工艺来达到接触体2与外壳1的绝缘和封接，同时采用化学镀镍和选择性电镀工艺对外壳1和接触体2进行镀层。其中，可伐合金熔点可达1450°C，具有较高的耐热性能，同时，具有良好的组织稳定性、导电、焊接、熔接以及耐磨性能；铍铜经过了淬火时效处理，具有较高的强度、弹性、耐磨性、耐腐蚀性以及较好的导电性与导热性。该电子连接器的外壳1和接触体2在加工成形后，先进行镀层，再进行封接。其中，外壳1和接触体2的镀层首先采用化学镀镍工艺，分别将外壳1和接触体2放在化学镀镍设备上镀化学镍20um左右，该化学镍镀层致密度和耐蚀性明显强于电镀镍，且工序简单，成本低；之后在外壳1表面电镀镉进行钝化处理，以进一步提高外壳的耐热性和耐腐蚀性，镉层厚度为60um左右；然后对接触体2进行电镀金处理，以进一步提高接触体2的耐热性、导电性、耐磨性和耐腐蚀性，镀金层厚度为40um左右。
[0016]本发明提出的耐高温电子连接器采用了耐高温性能优异的硼硅酸盐玻璃素坯作为封接体3，且通过真空正压玻璃封接工艺来完成接触体2和外壳1的封接。其中，玻璃素坯由平均粒径为160um的玻璃粉料经干压成形、排烧后制备而成，玻璃粉料由平均粒径为2um的玻璃原粉经喷雾造粒工艺制备而成，其中的喷雾造粒工艺条件为:空气压力0.8MPa，空气进口温度300°C、出口温度110°C。该玻璃素坯外形规整、尺寸准确、强度高，易于同外壳1及接触体2进行封接。为了保证封接后的电子连接器质量可靠，具有较好的耐热性、电绝缘性和机械性能，以及节省生产成本，采用真空正压玻璃封接工艺将组装好的电子连接器封装件进行封接。封接过程为:先将玻璃素坯、镀层后的外壳1及接触体2、石墨模具进行组装，再将组装好的封装件放入真空炉中，加热真空炉至300°C，抽真空至2X10 3Pa，并充入4X 105Pa高纯氮气；然后在750°C封装温度下封装处理25min ;之后在450°C温度下退火处理80min ;最后自然降温至110°C，出炉冷却至室温，即制成耐高温性能优异的电子连接器。
[0017]本发明揭示了一种耐高温电子连接器，该电子连接器通过采用合理的封接工艺和电镀工艺，不仅具备优良的耐高温性能，而且具有机械强度高、电绝缘性好、可靠性高的优异性能，可以满足不同环境的使用要求。
[0018]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本领域的技术人员在本发明所揭露的技术范围内，可不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
【主权项】
1.一种耐高温电子连接器，其特征在于，所述的电子连接器由外壳、接触体和封接体组成，所述的外壳采用可伐合金材料，所述的接触体包括插针和插孔，该接触体采用铍铜材料，所述的封接体采用玻璃材料，所述的接触体和封接体通过真空正压玻璃封接工艺与外壳封接在一起。2.根据权利要求1所述的耐高温电子连接器，其特征在于，所述的外壳表面先通过化学镀镍工艺镀化学镍20um左右，再电镀镉60um左右。3.根据权利要求1所述的耐高温电子连接器，其特征在于，所述的接触体表面先通过化学镀镍工艺镀化学镍20um左右，再电镀金40um左右。4.根据权利要求1所述的耐高温电子连接器，其特征在于，所述的封接体由平均粒径为160um的硼硅酸盐玻璃粉料制备而成。5.根据权利要求4所述的耐高温电子连接器，其特征在于，所述的硼硅酸盐玻璃粉料由平均粒径为2um的硼硅酸盐玻璃原粉经喷雾造粒工艺制备而成。6.根据权利要求1所述的耐高温电子连接器，其特征在于，所述的真空正压玻璃封接工艺是将组装好的电子连接器封装件放入真空炉中，抽真空并充入高纯氮气，在封接温度710?750°C下封接处理25?30min，再经退火、降温后出炉成型。
【专利摘要】本发明公开了一种耐高温电子连接器，所述的电子连接器由外壳、接触体和封接体组成，所述的外壳采用可伐合金材料，所述的接触体包括插针和插孔，该接触体采用铍铜材料，所述的封接体采用玻璃材料，所述的接触体和封接体通过真空正压玻璃封接工艺与外壳封接在一起。本发明揭示了一种耐高温电子连接器，该电子连接器通过采用合理的封接工艺和电镀工艺，不仅具备优良的耐高温性能，而且具有机械强度高、电绝缘性好、可靠性高的优异性能，可以满足不同环境的使用要求。
【IPC分类】H01R43/00
【公开号】CN105390900
【申请号】CN201510983054
【发明人】林蔡月琴
【申请人】永新电子常熟有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年12月24日