一种子阵模块的气密性结构的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及微波电路垂直互联领域，特别涉及一种子阵模块的气密性结构。
【背景技术】
[0002]相控阵天线集成的阵列结构有两种:基于砖块式线子阵的纵向集成；基于瓦片式面子阵的横向集成纵向组装。砖块式子阵是最流行的阵列结构，元器件放置方向垂直于相控阵天线孔径平面，辐射阵元通常采用偶极子或者锥形槽天线，其电路与结构设计遵循传统的分系统概念，信号互联、测试与封装技术继承性好，缺点是纵向尺寸大。
[0003]瓦片式集成的子阵模块，采用分层结构，将多个通道相同功能的芯片和电路集成在数个平行放置的瓦片上，然后进行垂直互联，瓦片式结构集成度较高，器件之间的排布紧密，其层间互联包括射频互联、低频互联等多种连接，多种连接错综复杂，在设计上需要处理好EMI及互耦效应，而且还需考虑中间层热设计、测试性与维修性设计。
[0004]同时，传统的砖块式子阵模块中盖板的安装方向与子阵的集成方向平行，这样可以比较方便地在盖板端面方向的平面内进行盖板与腔体的激光封焊或平行封焊。对于瓦片式集成的子阵模块，盖板的安装方向与子阵的集成方向垂直，需要在盖板的径向一周进行焊接，并且要保证气密性，保证一周焊接“全覆盖”有较大的难度。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于克服现有技术中所存在的上述不足，提供一种新型的便于气密封装的用于瓦片面子阵的气密性射频连接结构。
[0006]为了实现上述发明目的，本发明提供了以下技术方案:
一种子阵模块的气密性结构，包括设置有N个连接通道的腔体及设置有一通孔的盖板；所述腔体与所述盖板扣合；所述N个连接通道内均设置有SSMP射频连接器；所述盖板的通孔内设置有SMP射频连接器；所述N个SSMP射频连接器通过粘连在所述腔体底面上的射频传输微带与所述SMP射频连接器连接；N为大于1的自然数。所述腔体与所述盖板扣合处分别设置有卡槽和凸台，所述卡槽与凸台形状契合。
[0007]进一步的，所述腔体的侧壁及所述盖板的侧壁在扣合处均向内凹进形成凹槽结构。
[0008]进一步的，所述腔体与所述盖板在凹槽结构内采用激光封焊方式连接，焊接完成后焊接材料均位于凹槽结构以内。
[0009]进一步的，所述腔体及所述盖板截面均为矩形，在所述腔体及所述盖板连接处的四个转角均为圆角，所述圆角使得对所述腔体及盖板沿不同边进行焊接时，可以允许在转角处重复焊接，而重复焊接不会导致焊接材料凸出凹槽结构以外。
[0010]进一步的，所述凹槽结构沿所述腔体及所述盖板的侧壁向内凹进0.5mm。
[0011]进一步的，所述盖板上还设置有两组低频排针连接器，所述两组低频排针连接器同时伸出所述盖板上下底面；其中伸出下底面的排针与腔体内部的射频供电板对插连接；伸出上底面低频排针与波控子板对插连接。进一步的，所述低频排针连接器采用玻璃烧结方式制成的玻璃烧结连接器。
[0012]优选的，所述低频排针连接器为采用金锡焊的方式与所述盖板连接。
[0013]优选的，所述腔体及所述盖板的壳体为可伐材料或钛合金TC4材料制成。
[0014]优选的，所述N个连接通道内均设置有SSMP射频连接器；所述SSMP射频连接器通过金锡焊的方式设置在所述连接通道内。
[0015]优选的，所述盖板的通孔内设置有SMP射频连接器；所述SMP射频连接器通过金锡焊的方式设置在所述盖板的通孔内。
[0016]优选的，所述N个SSMP射频连接器通过粘连在所述腔体底面上的射频传输微带与所述SMP射频连接器连接；所述射频传输微带为采用银浆粘接的方式和所述腔体粘接。
[0017]进一步的，所述射频传输微带设置在所述腔体底面的定位槽内，所述定位槽形状与所述射频传输微带形状契合。
[0018]进一步的，所述射频传输微带包括微带基片、连接地孔及传输线；所述连接地孔与所述盖板连接；所述微带基片与所述腔体底面粘连；所述传输线与所述SMP射频连接器连接。
[0019]与现有技术相比，本发明的有益效果:本发明提供的子阵模块的气密性结构提供一种新型的连接结构，通过在盖板和腔体的扣合处采用卡槽和凸台结合的方式增强扣合气密性外，本发明还通过在盖板和腔体的焊接部位设计一种凹槽结构内，此凹槽结构能够保证激光封焊后焊接材料均位于凹槽结构以内，不会因为焊接而改变子阵模块的纵向尺寸，影响纵向集成。
[0020]由于腔体和盖板截面均为矩形，又需要在径向一周实现焊接的全覆盖，在所述腔体及所述盖板的四个转角处设计圆角，所述圆角使得对所述腔体及盖板沿不同边进行焊接时，可以允许在转角处重复焊接，从而实现径向一周的全覆盖。
【附图说明】
:
图1为本发明组装示意图。
[0022]图2a、图2b为本发明盖板及腔体扣合处的凹槽结构及卡槽与凸台结构。
[0023]图中标记:1-盖板，2-腔体，3-凹槽结构，41-卡槽，42-凸台。
【具体实施方式】
[0024]下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步的详细描述。但不应将此理解为本发明上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本
【发明内容】
所实现的技术均属于本发明的范围。
[0025]实施例1:如图1、图2a、图2b所示，本实施例中同样提供一种子阵模块的气密性结构，包括设置有N个连接通道的腔体2及设置有一通孔的盖板1 ;所述腔体2与所述盖板1扣合，所述腔体2及所述盖板1的壳体为钛合金TC4制成；所述N个连接通道内均设置有SSMP射频连接器；所述SSMP射频连接器通过金锡焊的方式设置在所述连接通道内；所述盖板1的通孔21内设置有SMP射频连接器1 ;所述SMP射频连接器1通过金锡焊的方式设置在所述盖板1的通孔内；本实施例中，所述腔体2与所述盖板1扣合处分别设置有卡槽41和凸台42，所述卡槽41与凸台42形状契合。
[0026]所述N个SSMP射频连接器通过粘连在所述腔体底面上的射频传输微带与所述SMP射频连接器1连接；N为大于1的自然数，本实施例中，N = 64。
[0027]进一步的，所述射频传输微带设置在所述腔体2底面设置的定位槽内，所述定位槽形状与所述射频传输微带34形状契合。
[0028]进一步的，如图2a、2b所示，所述腔体2的侧壁及所述盖板1的侧壁在扣合处均向内凹进形成凹槽结构3 ;所述凹槽结构3沿所述腔体及所述盖板的侧壁向内凹进0.5mm。。
[0029]进一步的，所述腔体2与所述盖板1在凹槽结构3内采用激光封焊方式连接，焊接完成后焊接材料均位于凹槽结构3以内，这就解决了在没有设置凹槽结构3时，焊缝凸出腔体2及盖板1的侧壁之外导致的T/R模块在纵向扩展和布阵受到影响的问题，采用凹槽结构3则使得焊料均保持在凹槽结构3以内，便于整个T/R模块的纵向集成安装。
[0030]本实施例中，所述腔体及所述盖板截面均为矩形，在所述腔体及所述盖板连接处的四个转角设置为圆角R，所述圆角R使得对所述腔体及盖板沿不同边进行焊接时，可以允许在转角R处重复焊接，而圆角的R设置使得重复焊接不会导致焊接材料凸出凹槽结构3以外。
[0031]进一步的，所述盖板上通过金锡焊的方式焊接有两组低频排针连接器，所述两组低频排针连接器同时伸出所述盖板上下底面；其中伸出下底面的排针与腔体内部的射频供电板对插连接；伸出上底面低频排针与波控子板对插连接。
[0032]进一步的，所述低频排针连接器采用玻璃烧结方式制成。
【主权项】
1.一种子阵模块的气密性结构，包括设置有N个连接通道的腔体及设置有一通孔的盖板；所述腔体与所述盖板扣合；N为大于1的自然数；其特征在于，所述腔体与所述盖板扣合处分别设置有卡槽和凸台，所述卡槽与凸台形状契合。2.如权利要求1所述的子阵模块的气密性结构，其特征在于，所述腔体的侧壁及所述盖板的侧壁在扣合处均向内凹进形成凹槽结构。3.如权利要求2所述的子阵模块的气密性结构，其特征在于，所述腔体与所述盖板在凹槽结构内采用激光封焊方式连接，焊接完成后焊接材料均位于凹槽结构以内。4.如权利要求3所述的子阵模块的气密性结构，其特征在于，所述腔体及所述盖板截面均为矩形，在所述腔体及所述盖板连接处的四个转角均为圆角，所述圆角使得对所述腔体及盖板沿不同边进行焊接时，可以允许在转角处重复焊接，而重复焊接不会导致焊接材料凸出凹槽结构以外。5.如权利要求2所述的子阵模块的气密性结构，其特征在于，所述凹槽结构沿所述腔体及所述盖板的侧壁向内凹进0.5mm。6.如权利要求1所述的子阵模块的气密性结构，其特征在于，所述盖板上还设置有两组低频排针连接器，其中伸出下底面的排针与腔体内部的射频供电板对插连接；伸出上底面低频排针与波控子板对插连接。7.如权利要求6所述的子阵模块的气密性结构，其特征在于，所述低频排针连接器为玻璃烧结连接器。8.如权利要求1所述的子阵模块的气密性结构，其特征在于，所述腔体及所述盖板的壳体为钛合金TC4材料制成。9.如权利要求1所述的子阵模块的气密性结构，其特征在于，所述N个连接通道内均设置有SSMP射频连接器；所述SSMP射频连接器通过金锡焊的方式设置在所述连接通道内。10.如权利要求1所述的子阵模块的气密性结构，其特征在于，所述盖板的通孔内设置有SMP射频连接器；所述SMP射频连接器通过金锡焊的方式设置在所述盖板的通孔内。
【专利摘要】本发明涉及微波电路垂直互联领域，特别涉及一种子阵模块的气密性结构。包括设置有N个连接通道的腔体及设置有一通孔的盖板；所述腔体与所述盖板扣合；N为大于1的自然数。所述腔体与所述盖板扣合处分别设置有卡槽和凸台，所述卡槽与凸台形状契合。除采用卡槽和凸台结合增强气密性外，本发明中还通过在盖板和腔体的焊接部位设计一种凹槽结构内，此凹槽结构能够保证激光封焊后焊接材料均位于凹槽结构以内，不会因为焊接而改变子阵模块的纵向尺寸，影响纵向集成。
【IPC分类】H01P5/08
【公开号】CN105390789
【申请号】CN201510800236
【发明人】赵伟, 管玉静, 吴凤鼎, 李超, 李 灿
【申请人】成都雷电微力科技有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年11月18日