非导电材料的一些示例可以尤其包括可模制塑料材料、环氧树脂、层压材料或者预先浸渍的或者“预浸渍(Pr印reg)”的材料。在所示出的示例中，非导电层还覆盖IC管芯的侧面，并且非导电材料可以由多个层压的或者压制的层组成。
[0015]在图2C中，通孔被形成在分装件中。在所示出的示例中，通孔包括IC管芯的TSV。通过在非导电层中形成对于TSV的开口 270或者穿孔并且用导电材料(例如，金属)填充开口，来将通孔形成到非导电层的顶表面。非导电层中的开口 270可以通过机械钻孔或者激光钻孔来形成。在连接焊盘中使用铜可以促进激光钻孔。铜焊盘典型地比其他材料(例如，铝)的焊盘更厚，并且更厚的连接焊盘可以使得激光钻孔更容易控制。还可以形成对于其他连接焊盘的穿孔。在图2C的示例中，穿孔被形成为经过图2A的薄金属箔和粘合剂或胶水到IC的底表面上的连接焊盘中的至少一部分。在某些变型中，对于连接焊盘的穿孔被同时形成在IC管芯的顶表面和底表面上。
[0016]在图2D中，向顶表面和底表面上的连接焊盘构成电连接。在第一和第二 IC管芯的底表面上的连接焊盘中的至少一部分之间形成第一导电互连245 (例如，金属迹线)。导电互连245A的至少一部分被用于管芯到管芯连接，并且导电互连245A的至少一部分被用来形成与至少一个TSV的电连接。在一些示例中，通过图案化薄金属箔来形成导电互连245A。
[0017]第二导电互连245B被形成在非导电材料层的顶表面上，以提供第一 IC管芯和第二 IC管芯的顶表面上的连接焊盘的至少一部分之间的电互连。导电互连的至少一部分被用于管芯到管芯连接，并且导电互连的至少一部分被用来形成与至少一个TSV的电连接。箭头250A、250B指示由导电互连带来的电连接，其可以是存在的，但在图2D中的横截面图示中是不可见的。可以包括附加层来为导电互连提供交叉，或者为焊球提供着落盘(landing pad)。附加的顶表面布线从如果仅将布线限于底表面的情况下本来的密度降低了布线密度。
[0018]图2E示出了可以向设备添加焊接凸点或者焊球。为了容纳焊接凸点，可以向底表面添加焊接停止层255。焊接停止层255包括绝缘材料层，并且还包括用于安装焊接凸点260的开口。焊接凸点260然后被安装到焊接停止层。通过使用导电互连和通孔，可以在至少一个着落盘与第一和第二 IC管芯中的至少一个的顶侧上的至少一个连接焊盘之间提供电连续性。焊接停止层255可以被布置在(例如，与电连接245A和250A —起应用的)重新分布层之上，该重新分布层在连接焊盘和着落盘和焊接凸点之间对导电互连进行布线。在一些示例中，可能存在同时形成并且共享相同平台(例如，共享基板)的若干个系统级封装。各个系统级封装可以是例如通过锯切来分离的。
[0019]图3图示出包括系统级封装的电子设备的另一个示例的部分。图1和2A-2E示出通孔包括TSV的示例。然而，TSV可能不可用于给定的IC过程中或者其中(例如，出于成本的原因)没有选择TSV能力的过程中。在图3中所示出的示例中，在IC管芯的底表面和顶表面之间的电连续性是通过使用在非导电材料层320中形成的通孔而实现的。如果非导电材料被模制成层压件，则通孔可以被称为模具通孔(through-mold_via)365或者TMV。TMV可以通过用于形成开口的钻孔(例如，激光钻孔或者机械钻孔)而形成，然后用导电材料来填充所述开口。其还可以是包括垂直连接的嵌入式预形成的硅片、PCB、层压件或者陶瓷。在某些变型中，系统级封装包括TSV和TMV两者。在底侧上的导电互连345A和在顶表面345B上的导电互连可以被用来形成与通孔的电连续性。例如，导电互连可以在IC管芯的顶表面的连接焊盘、通孔和相同或者不同的IC管芯的底表面上的连接焊盘之间形成电连续性。因为到通孔的布线是短的，使用非TSV通孔仍可以减小系统级封装的布线密度。
[0020]图4A-4H图示出形成用于电子设备的系统级封装的方法示例的部分。在该示例中，应用图2A-2E的方法示例来改进扇出型(fan-out)晶片级封装。第一 IC管芯405和第二IC管芯410被形成为包括连接焊盘。连接焊盘(例如，415A、415C)被形成在第一 IC管芯的顶表面和底表面两者上，以及被形成在第二 IC管芯的顶表面和底表面上(例如，415B、415D)0在图4A的示例中，IC管芯均包括TSV 425A、425B。IC管芯可以被放置在模具载体上。
[0021]在图4B中，在第一和第二 IC管芯上形成模制层420，以形成分装件。模制层420典型地是非导电的。在一些变型中，通过压缩模制来形成模制层420，并且在某些变型中，模制层420包括环氧树脂。在图4C中，在模制层420中形成开口 470，以接触TSV。非导电层中的开口可以通过激光钻孔或者蚀刻来形成。
[0022]在图4D中，开口被示为用导电材料来填充。重新分布层475被形成在模制层420之上，所述模制层420包括导电互连445B、450B。导电互连的至少一部分包括管芯到管芯连接。可以使用薄膜技术(例如，溅射和电镀)、PCB技术、其他技术或者技术的组合来形成该连接。重新分布层475可以包括保护导电互连的钝化层或者钝化涂层。
[0023]在图4E中，在IC管芯的底表面上形成可选的介电层480。可以在介电层中形成开口，以访问IC管芯的底表面上的连接焊盘。连接焊盘之间的一些导电互连可以在形成介电层480之前被形成，并且然后被介电层480所覆盖。
[0024]在4F中，向可选的介电层480上应用另一重新分布层482。重新分布层482可以被用于管芯到管芯连接以及与用于焊接凸点的着落盘的连接。在图4G中，焊接停止层455被添加到底表面。焊接停止层455包括针对用于安装焊球460的盘的开口。在一些示例中，图4D-4G中所示出的过程示例可以在上侧和下侧同时被执行。
[0025]图5图示出包括系统级封装的电子设备的另一个示例的部分。当在IC过程中TSV不可用时，这个方法可以是有用的。如在图3的示例中，可以在模制层520中形成通孔565。在一些变型中，通过经由激光钻孔形成开口来制造通孔565，并且然后用导电材料填充开口。在一些变型中，使用印刷电路板或者硅材料来预先制造通孔565。
[0026]图6图示出包括系统级封装中的倒装技术的电子设备的又一个示例的部分。在所示出的示例中，两个IC管芯605、610 (例如，并排地)被布置在基板685 (例如，倒装基板)上。当安装IC管芯时，可以使它们之间的距离d尽可能小。
[0027]设备600包括多个接合层。在第一和第二 IC管芯的底表面和基板685的第一侧(在图6的示例中为顶侧)之间存在第一接合层。第一 IC管芯的底表面和第二 IC管芯的底表面均包括一个或者多个接合焊盘，以提供焊接凸点或者铜柱到底表面的附接。IC管芯可以尤其通过质量回流(mass reflow)过程或者通过热压接合而附接到基板685。热压接合方法可以向基板685提供更精确的接合。