Pad刻蚀工艺方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及PAD(钝化层）刻蚀工艺。
【背景技术】
[0002] 在集成电路制造工艺中，最后一步工序都是形成钝化层，以增强器件对离子粘污 的阻挡能力，保护电路和内部互连线免受机械和化学损伤。为了达到上述要求，一般都需要 形成很厚的（一般大于20K)的一层钝化层（passivation layer，简称PAD)，现有PAD刻蚀 工艺中，由于刻蚀时间长（一般大于4min)，使用的光刻胶厚（一般大于4 ym)，PAD表面容 易发生聚合物残留，后续的湿法和干法去胶不能有效地把聚合物去除干净（干法去胶使用 微波，湿法去胶使用纯化学腐蚀，都是各向同性的反应，对于Al晶格间的聚合物去除能力 不如等离子刻蚀方法（各向异性反应）强），在PAD表面聚合物中的氟会作为Al腐蚀的催 化剂，加快Al的腐蚀，如图1中所示，Al腐蚀的反应原理如下：
[0003] A1+F---->A1F3
[0004] A1F3+H20---->A1 (OH) 3+F
[0005]
【发明内容】
[0006] 本发明要解决的技术问题是提供一种PAD刻蚀工艺方法，它可以避免PAD表面发 生错腐蚀。
[0007] 为解决上述技术问题，本发明的PAD刻蚀工艺方法，在刻蚀时仍采用光刻胶做掩 膜，但在刻蚀气体中加入O 2，用于去除刻蚀过程中残留在PAD表面的聚合物。
[0008] 所述刻蚀气体的组成包括：CF4、02、N2、Ar，所述刻蚀气体中各组成成分的流量分别 为：CF 42〇sccm，0210sccm、N22〇sccm、Ar 2OOsccm0
[0009] 较佳的，刻蚀条件为：温度20°C ±5°C，气压8Pa±2Pa，功率800W±100W。
[0010] 本发明通过在以CF4S主的刻蚀气体中增加适量的0 2，去除刻蚀过程中残留在PAD 表面的聚合物，增加了腐蚀窗口，有效避免了 PAD表面发生铝腐蚀。
【附图说明】
[0011] 图1是现有PAD刻蚀工艺中，PAD表面发生铝腐蚀。
[0012] 图2是采用本发明的PAD刻蚀工艺后，PAD表面没有发生铝腐蚀。
【具体实施方式】
[0013] 为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合附图，详述如下：
[0014] 本实施例的PAD刻蚀工艺方法，是在以CF4为主的刻蚀气体中，增加适量的新鲜0 2， 去除聚合物。
[0015] 具体的刻蚀工艺条件如下：
[0016] 温度为20°C ±5°C，气压为8Pa±2Pa，功率为800W±100W，刻蚀气体包括：20sccm CF4、IOsccm 02、20sccm N2、200sccm Ar。
【主权项】
1. PAD刻蚀工艺方法，刻蚀时采用光刻胶做掩膜，其特征在于：在刻蚀气体中加入O2，用 于去除刻蚀过程中残留在PAD表面的聚合物。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀气体的组成包括：CF4、02、N2、Ar。3. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀气体中各组成成分的流量分别 为：CF4 20sccm，02 10sccm、N2 20sccm、Ar 200sccm〇4. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于，刻蚀条件为：温度20°C ±5°C，气压 8Pa±2Pa，功率 800W± 100W。
【专利摘要】本发明公开了一种PAD刻蚀工艺方法，该方法在刻蚀时仍采用光刻胶做掩膜，但在刻蚀气体中加入O2，用于去除刻蚀过程中残留在PAD表面的聚合物。本发明通过在以CF4为主的刻蚀气体中增加适量的O2，去除刻蚀过程中残留在PAD表面的聚合物，增加了腐蚀窗口，有效避免了PAD表面发生铝腐蚀。
【IPC分类】H01L21/311, H01L21/60
【公开号】CN105161434
【申请号】CN201510369470
【发明人】沈海波
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年6月29日