喷嘴位置的检测方法及检测晶圆的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种喷嘴位置的检测方法及检测晶圆。
【背景技术】
[0002]光刻是将掩模板(mask)上图形形式的结构通过曝光、显影等步骤转印到涂有光刻胶(Photo resister，简称PR)的娃片表面的工艺过程，光刻工艺会在娃片表面形成一层光刻胶掩蔽图形。其中，显影步骤是通过显影液与曝光后的光刻胶发生化学反应，从而在光刻胶中产生三维的物理图像。化学反应会产生光刻胶等显影残留物，所述显影残留物会造成缺陷，因此在显影之后通常采用去离子水(DI water)对硅片进行清洗以去除显影残留物。
[0003]请参考图1，其为现有技术的清洗设备对显影后的硅片进行清洗的结构示意图。如图1所示，进行清洗时硅片10置于清洗设备的真空吸盘11上并以一定的速度进行旋转，在旋转过程中去离子水12通过清洗设备的喷嘴13喷射到所述硅片10的表面，并从所述硅片10的中心向边缘方向流动，从而去除所述硅片10表面的显影残留物。为了保证清洗效果，所述喷嘴13需要对准硅片10的中心位置，即圆心。
[0004]然而，在实际制造过程中发现，所述喷嘴13的位置会经常偏离所述硅片10的中心位置，使得显影残留物无法清除干净而造成缺陷。为此，目前采用基底(control wafer)定期检测清洗设备的喷嘴13与所述硅片10的对位情况。这种检测方式需要使清洗设备暂停工作，工作人员打开清洗设备并确认喷嘴13的位置是否对准所述基底的中心位置，确认完毕之后才能使清洗设备重新开始工作。通常，在上述过程中，为了确认喷嘴13的位置是否对准所述基底的中心位置，需要使清洗设备暂停工作半个小时以上，在浪费清洗设备工作时间的同时，也会影响光刻工艺的效率，提高制造成本。而且，这种检测方式完全是采用人工检测，受工作人员自身生理因素的限制、主观性强、易受外界干扰，因此并不准确。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种喷嘴位置的检测晶圆及检测方法，以解决现有技术中喷嘴位置的检测方法不精确，而且会影响正常生产的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本发明提供一种喷嘴位置的检测方法，所述喷嘴位置的检测方法包括:
[0007]提供一基底；
[0008]对所述基底进行涂胶、曝光和显影以形成检测图形，所述检测图形包括多个周期型排列的正方形的子图形；
[0009]通过一清洗设备对所述基底进行清洗；
[0010]对清洗后的基底进行缺陷检测以确认所述清洗设备的喷嘴是否位于中心位置提。
[0011]优选的，在所述的喷嘴位置的检测方法中，所述检测图形为中心对称图形，所述检测图形的中心点与所述基底的圆心重合。
[0012]优选的，在所述的喷嘴位置的检测方法中，所述检测图形的中心点位于平面坐标轴的原点，所述检测图形的对角线经过所述中心点并与平面坐标轴形成45°夹角。
[0013]优选的，在所述的喷嘴位置的检测方法中，所述子图形包括至少一个块状图形组和至少一个直线图形组，所述块状图形组与所述直线图形组相互平行。
[0014]优选的，在所述的喷嘴位置的检测方法中，所述块状图形的宽度大于50微米，所述直线图形的宽度小于I微米。
[0015]优选的，在所述的喷嘴位置的检测方法中，所述块状图形组中块状图形的宽度与块状图形的间距的比例范围在10:1到100:1之间，所述直线图形组中直线图形的宽度与直线图形的比例范围在1:2到2:1之间
[0016]优选的，在所述的喷嘴位置的检测方法中，所述块状图形组中块状图形的宽度和间距比为50:1，所述直线图形组中直线图形的宽度和间距比为1:1。
[0017]优选的，在所述的喷嘴位置的检测方法中，所述清洗设备在进行清洗时采用临界条件，在所述临界条件下只保留部分显影残留物。
[0018]优选的，在所述的喷嘴位置的检测方法中，所述清洗设备的喷嘴位于中心位置时，所述基底在缺陷检测时发现有4条线形缺陷，所述4条线形缺陷位于所述检测图形的对角线上。
[0019]本发明还提供一种喷嘴位置的检测晶圆，所述喷嘴位置的检测晶圆包括:基底以及通过涂胶、曝光和显影工艺形成于所述基底上的检测图形，所述检测图形包括多个周期型排列的正方形的子图形。
[0020]优选的，在所述的喷嘴位置的检测晶圆中，所述检测图形为中心对称图形，所述检测图形的中心点与所述基底的圆心重合。
[0021]优选的，在所述的喷嘴位置的检测晶圆中，所述检测图形的中心点位于平面坐标轴的原点，所述检测图形的对角线经过所述中心点并与平面坐标轴形成45°夹角。
[0022]优选的，在所述的喷嘴位置的检测晶圆中，所述子图形包括至少一个块状图形组和至少一个直线图形组，所述块状图形组与所述直线图形组相互平行。
[0023]优选的，在所述的喷嘴位置的检测晶圆中，所述块状图形组中的块状图形的宽度大于50微米，所述直线图形组中直线图形的宽度小于I微米。
[0024]优选的，在所述的喷嘴位置的检测晶圆中，所述块状图形组中块状图形的宽度与块状图形的间距的比例范围在10:1到100:1之间，所述直线图形组中直线图形的宽度与直线图形的比例范围在1:2到2:1之间。
[0025]优选的，在所述的喷嘴位置的检测晶圆中，所述块状图形组中块状图形的宽度与块状图形的间距比为50:1，所述直线图形组中直线图形的宽度与直线图形的间距比为1:1。
[0026]在本发明提供的喷嘴位置的检测晶圆及检测方法中，通过在所述基底上形成特定的检测图形，并采用特定的清洗条件对所述基底进行清洗，使得清洗设备的喷嘴位置对准所述基底的中心位置时所述基底上能够形成特定形状的缺陷，从而根据所述基底上是否出现该缺陷就能够判断喷嘴是否对准所述基底的中心位置，检测精确率高，并且不会影响正
常生产。【附图说明】
[0027]图1是现有技术的清洗设备对显影后的硅片进行清洗的结构示意图；
[0028]图2是本发明实施例的喷嘴位置的检测方法的流程图；
[0029]图3是本发明实施例的基底在形成检测图形后的结构示意图；
[0030]图4是本发明实施例的一种子图形的结构示意图；
[0031]图5是本发明实施例的另一种子图形的结构示意图；
[0032]图6是本发明实施例的块状图形与去离子水的冲洗方向成45°夹角时的结构示意图；
[0033]图7是本发明实施例的基底在缺陷检测时发现有4条线形缺陷的结构示意图；
[0034]图8和9是本发明实施例的基底在缺陷检测时未发现有4条线形缺陷的结构示意图。
【具体实施方式】
[0035]以下结合附图和具体实施例对本发明提出的喷嘴位置的检测方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0036]请参考图2，其为本发明实施例的喷嘴位置的检测方法的流程图。如图2所示，所述喷嘴位置的检测方法包括:
[0037]步骤SlO:提供一基底；
[0038]步骤Sll:对所述基底进行涂胶、曝光和显影以形成检测图形，所述检测图形包括多个周期型排列的正方形的子图形；
[0039]步骤S12:通过一清洗设备对所述基底进行清洗；
[0040]步骤S13:对清洗后的基底进行缺陷检测以确认所述清洗设备的喷嘴位置。
[0041]具体的，首先，提供一基底20，所述基底20可以采用裸片，即只有硅衬底，表面没有半导体结构。当然，也可以利用报废的产品片作为基底，所述基底中可以包含其他半导体材料，如锗(germanium)等，其中还可以形成有掺杂区，并不影响本发明的监测过程。
[0042]接着，对所述基底20依次进行涂胶、曝光和显影以形成检测图形。如图3所示，进行涂胶、曝光和显影之后，在所述基底20上形成了检测图形，所述检测图形包括多个正方形的子图形22，所述多个子图形22沿着平面坐标轴(X轴和Y轴)依次排列，所述检测图形呈中心对称，其中，所述检测图形的中心点与所述基底20的圆心重合，所述检测图形的两条对角线(图3中的虚线表示对角线)经过所述检测图形的中心点且与平面坐标轴(X轴和Y轴)均形成45°夹角。可见，这两条对角线的交点就是所述检测图形的中心点。
[0043]请参考图4和图5，其为本发明实施例的子图形的结构示意图。如图4和图5所示，所述子图形22包括至少一个块状图形组24和至少一个直线图形组26，其中，所述块状图形组24中的块状图形的特征尺寸(宽度，或称线宽)相对较大，所述直线图形组26中的直线图形的特征尺寸(宽度，或称线宽)相对较小。
[0044]所述块状图形组24包括若干个块状图形，所述若干个块状图形等距离排列，形成阻挡图形区域，所述阻挡图形区域在显影后清洗时会阻挡去离子水并影响清洗效果。所述直线图形组26包括若干个直线图形，所述若干个直线图形等距离排列，形成参考图形区域，所述参考图形区域不会影响显影残留物的清洗效果。所述直线图形的排列方向与所述块状图形的排列方向相互平行，所述直线图形和块状图形的具体数量可视需求而设计。
[0045]其中，所述块状图形的宽度dl —般大于50微米，而且要远远大于块状图形的间距(相邻的块状图形的间隙)d2，所述块状图形组24中块状图形的宽度dl与块状图形的间距d2的比例范围在10:1到100:1之间。优选的，所述块状图形的宽度dl为80微米、100微米、150微米、200微米、250微米、300微米或500微米，相邻的块状图形的间隙d2为I微米、2微米、3微米、4微米、5微米、6微米、7微米、8微米、9微米或10微米。更优选的，所述块状图形的宽度dl与块状图形的间距d2的比例为50: 1，所述块状图形的宽度dl与相邻的块状图形的间隙d2之和为100微米。
[0046]而所述直线图形的宽度d3是根据曝光设备的分辨率进行设置的，所述直线图形的宽度d3可以大于或等于曝光设备的分辨率，以确保曝光工艺顺利进行。优选的，所述直线图形的宽度d3在I微米以下，例如所述直线