一种太阳能电池镀膜工艺的利记博彩app

文档序号:9236862阅读:1308来源:国知局
一种太阳能电池镀膜工艺的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本发明涉及太阳能电池制造领域,具体涉及一种太阳能电池镀膜工艺。
【背景技术】
[0002] 随着光伏产业的快速发展,太阳能电池应用越来越广泛,新技术与新的工艺方法 不断应运而生,为了提升电池转换效率,需要在硅片上镀上SiN膜,以此来达到减反增透的 效果,刻蚀后的硅片一般采用PECVD进行镀膜,PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成 原子的气体(NH3、SiH4)电离,在局部形成等离子体,等离子体反应后在基片上沉积出所期 望的薄膜。德国rothfcau公司的镀膜生产线是硅片镀膜的常用设备,硅片经过石英管内经 过一定的温度和进气量完成镀膜操作,现有工艺的温度、进气量缺乏变化,沉积的薄膜不均 匀,导致电池转换效率低下。

【发明内容】

[0003] 本发明克服现有缺陷提供一种太阳能电池镀膜工艺,能有效提升电池的转换效 率,操作简洁方便,同时能保证镀膜工艺的稳定。
[0004] 本发明通过以下技术方案实现: 一种太阳能电池镀膜工艺,包括以下步骤:将刻蚀后的硅片放置于镀膜流水线的石墨 载板中,控制流水线带速为19〇-22〇Cm/min,使硅片依次通过相邻排列的第一、第二、第三、 第四、第五石英管,然后出料; 其中:第一石英管内温度为400°C、微波功率为3100~3300W、通入的硅烷和氨气流量比 为 1:1. 3~1:1. 7; 第二石英管内温度为400°C、微波功率为3100~3300W、通入的硅烷和氨气流量比为 1:1. 7-1:2. 1 ; 第三石英管内温度为400 °C、微波功率为4000-4300W、通入的硅烷和氨气流量比为 1:2. 5~1:3. 5 ; 第四石英管内温度为400 °C、微波功率为4000-4300W、通入的硅烷和氨气流量比为 1:4~1:5, 5 ; 第五石英管内温度为400 °C、微波功率为4000-4300W、通入的硅烷和氨气流量比为 1:5~1:6〇
[0005] 本发明进一步的改进方案是,所述第一石英管通入的硅烷流量值为380 -42〇SCCm,所述第二石英管通入的硅烷流量值为320 -36〇SCCm,所述第三石英管通入的硅 烷流量值为180 -220sccm,所述第四石英管通入的硅烷流量值为130 -180sccm,所述第五 石英管通入的硅烷流量值为60 -lOOsccm。
[0006] 本发明的原理:通入硅烷和氨气后发生的反应式为: 3SiH4+4NH3 -Si3N4+12H2; 此时会在电池片表面沉积一层SiNx膜,这层SiNx膜的作用是:减少电池表面光的 反射;进行表明及体的钝化,减少电池的反向漏电流;具有良好的抗氧化和绝缘性能,同 时具有良好的阻挡钠离子,阻挡金属和水蒸气。
[0007] 本发明与现有技术相比具有以下优点: 本发明随着工件的输送,石英管内硅烷与氨气比值逐渐降低,沉积后形成五层氮化硅 膜,由于反应的微波功率和通入的气体比不同导致沉积速率不同,在本发明的条件下镀膜 后的硅片折射率从上至下线性上升,五层膜颜色均一,反射率低于现有镀膜工艺,从而起到 较好的减反增透效果,进而提升整个入射光率,有效的提升晶体硅太阳能电池片转换效率。
【具体实施方式】
[0008] 现有技术对比例1 选取刻蚀后的硅片500片,将其按照以下步骤操作: 将娃片放置于镀膜流水线的石墨载板中,控制流水线带速为190-220cm/min,使娃片依 次通过相邻排列的第一、第二、第三、第四、第五石英管,然后出料; 其中:每个石英管内温度为400°C、微波功率为2800W、通入硅烷流量值22〇SCCm、氨气 流量值67〇Sccm;取样测试镀膜的总折射率为2. 06,总反射率为6. 3%。
[0009] 实施例1 选取刻蚀后的硅片500片,将其按照以下步骤操作: 将刻蚀后的娃片放置于镀膜流水线的石墨载板中,控制流水线带速为190cm/min,使娃 片依次通过相邻排列的第一、第二、第三、第四、第五石英管,然后出料;其中:第一石英管 内温度为400°C、微波功率为3100W、通入的硅烷和氨气流量比为1:1.3 ;第二石英管内温 度为400°C、微波功率为3100W、通入的硅烷和氨气流量比为1:1.7 ;第三石英管内温度为 400°C、微波功率为4000W、通入的硅烷和氨气流量比为1:2. 5 ;第四石英管内温度为400°C、 微波功率为4000、通入的硅烷和氨气流量比为1:4 ;第五石英管内温度为400°C、微波功率 为4000、通入的硅烷和氨气流量比为1:5。
[0010] 本实施例中,第一石英管通入的硅烷流量值为380sccm,氨气的流量值为494 seem;第二石英管通入的硅烷流量值为320sccm,氨气的流量值为544seem;第三石英管 通入的硅烷流量值为180seem,氨气的流量值为450seem;第四石英管通入的硅烷流量值 为130sccm,氨气的流量值为520seem;第五石英管通入的硅烷流量值为60sccm,氨气的流 量值为300seem。
[0011] 五层膜按照镀膜的先后顺序记为n,
、n。、n,、n,、ru,对应的折射率情况见下表: 测试后总的折射率为2. 08,总反射率5. 8%。
[0012] 将现有技术对比例1和实施例1镀膜后的硅片经印刷烧结制作成电池片后,测试 数据如下表:
可知本发明的电池转换效率Eff(%)提升了 0. 05%。
【主权项】
1. 一种太阳能电池镀膜工艺,其特征包括以下步骤:将刻蚀后的硅片放置于镀膜流水 线的石墨载板中,控制流水线带速为190-220cm/min,使硅片依次通过先后排列的第一、第 二、第三、第四、第五石英管,然后出料; 其中:第一石英管内温度为400°C、微波功率为3100~3300W、通入的硅烷和氨气流量比 为 1:1. 3~1:1. 7 ; 第二石英管内温度为400°C、微波功率为3100~3300W、通入的硅烷和氨气流量比为 1:1. 7-1:2. 1 ; 第三石英管内温度为400 °C、微波功率为4000-4300W、通入的硅烷和氨气流量比为 1:2. 5~1:3. 5 ; 第四石英管内温度为400 °C、微波功率为4000-4300W、通入的硅烷和氨气流量比为 1:4-1:5. 5 ; 第五石英管内温度为400 °C、微波功率为4000-4300W、通入的硅烷和氨气流量比为 1:5~1:6〇2. 如权利要求1所述的一种太阳能电池镀膜工艺,其特征在于:所述第一石英管通入 的硅烷流量值为380 -420sccm,所述第二石英管通入的硅烷流量值为320 -360sccm,所述 第三石英管通入的硅烷流量值为180 -22〇SCCm,所述第四石英管通入的硅烷流量值为130 -180sccm,所述第五石英管通入的硅烷流量值为60 -lOOsccm。
【专利摘要】本发明公开了一种太阳能电池镀膜工艺,将刻蚀后的硅片放置于镀膜流水线的石墨载板中,控制流水线带速为190-220cm/min,使硅片依次通过相邻排列的第一、第二、第三、第四、第五石英管,然后出料;随着工件的输送,石英管内硅烷与氨气比值逐渐降低,沉积后形成五层氮化硅膜,由于反应的微波功率和通入的气体比不同导致沉积速率不同,在本发明的条件下镀膜后的硅片折射率从上至下线性上升,五层膜颜色均一,反射率低于现有镀膜工艺,从而起到较好的减反增透效果,进而提升整个入射光率,有效的提升晶体硅太阳能电池片转换效率。
【IPC分类】H01L31/18, H01L31/0216
【公开号】CN104952978
【申请号】CN201510273749
【发明人】唐磊, 刘惊雷, 徐爱春, 陈健, 何晨旭, 朱姚培
【申请人】江苏荣马新能源有限公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年5月26日
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