2]这里,图案转印工艺具体可以包括但不限于热转印、激光转印、压力转印以及胶体转印中的任一种。
[0043]示例的,上述图案转印工艺具体可以采用以下子步骤完成:
[0044]S21、在基底层20上形成缓冲层11 ;其中,根据缓冲层11的具体材料不同可以选择蒸镀法、CVD (Chemical Vapor Deposit1n,化学气相沉积法)等多种成膜工艺;
[0045]S22、采用覆膜工艺,将基底层20与缓冲层11经加热、加压处理后黏合在一起;其中,覆膜工艺是指通过覆膜机等设备在缓冲层11的表面覆盖一定厚度的释放胶层,以实现后续的图案转移;
[0046]S23、通过释放胶层将包括有缓冲层11与基底层20的层叠结构02转印至衬底层10上,释放胶层与衬底层10直接接触;
[0047]S24、根据释放胶层的化学性质,去除释放胶层,以使缓冲层11与衬底层10直接接触,以完成后续的器件制备工艺。
[0048]这里,根据释放胶层具有的不同化学性质,相应地去除释放胶层的方式也不同。例如,当释放胶层由热释放胶构成,通过加热的方式使热释放胶释放而去除;当释放胶层由光敏释放胶构成,则通过UV (ultrav1let,紫外光)照射的方式使光敏释放胶释放而去除;当释放胶层由反应释放胶构成,则通过相应的化学反应使反应释放胶释放而去除;当释放胶层由压敏释放胶构成,则通过施加压力的方式使压敏释放胶释放而去除。
[0049]第三、在上述步骤S03中,去除基底层20可以采用干法刻蚀、湿法刻蚀等多种膜层去除方式,具体不作限定。
[0050]基于此,本发明实施例提供的上述制备方法,通过采用图案转印的方式将已经生长好的缓冲层11转移至衬底层10上,因此不会产生由于缓冲层11与衬底层10晶格常数匹配较差而导致的缓冲层11中出现结构缺陷,保证了器件的良好发光性能,从而可实现大面积发光源的量产化制备。
[0051]在上述基础上优选的,缓冲层11由石墨烯构成。这里,石墨烯材料是指由一层或多层以苯环结构(即六角形蜂巢结构)周期性紧密堆积的碳原子构成的一种二维碳材料。由于其具有的特殊结构,因此石墨烯具有一系列优异的性能,如石墨烯的全光线透过率彡97.7%,远高于ITO(Indium Tin Oxide,氧化铟锡)材料的86%的全光线透过率;常温下的电子迀移率超过1.5X104,高于纳米碳管或低温多晶硅材料;电阻率约为1.0Χ10_6Ω.cm,远低于铜或银材料。
[0052]这里,相比于现有技术中缓冲层11采用氮化物半导体材料构成的结构,如图2所示,由于缓冲层11上需要生长N型半导体层或P型半导体层,不能直接形成电极结构,因此无法制作垂直结构的器件,通常只能分别在N型半导体层、P型半导体层的表面制作N型电极和P型电极,由于N型半导体层和P型半导体层为发光面,因此上述的结构造成了有效发光面的减小,光损失严重。
[0053]而本发明实施例以石墨烯构成缓冲层11,其不但能起到现有技术中的电致发光器件中的缓冲层的作用,并且由于缓冲层11具有的高透过率和低电阻率,还可作为电致发光器件01中的阳极或阴极结构。当由石墨烯构成的缓冲层11作为上述电致发光器件01中的阳极或阴极时,可实现整面发光,从而避免产生现有技术中在发光面制作η型电极和P型电极,造成了有效发光面减小,光损失严重的问题。
[0054]并且,由于石墨烯的导热系数高达5300W/m.K,高于碳纳米管和金刚石,更有利于电致发光器件01的散热。因此还可进一步解决当电致发光器件01面积较大时的散热困难冋题。
[0055]在此基础上,上述制备方法还包括:
[0056]S04、如图3所示,在形成的缓冲层11上依次形成第一半导体层12、第二半导体层
13;其中,第一半导体层12与第二半导体层13互为N型半导体与P型半导体。
[0057]需要说明的是,第一半导体层12与第二半导体层13互为N型半导体与P型半导体,是指当第一半导体层12为N型半导体时,第二半导体层13为P型半导体;反之,当第一半导体层12为P型半导体时,第二半导体层13为N型半导体。
[0058]例如,第一半导体层12可以为N型GaN(氮化镓)、第二半导体层13为P型GaN,具体可以为对N型GaN进行Mg (镁)离子掺杂形成的P型GaN ;或者,第一半导体层12可以为N型GaAs (砷化镓)、第二半导体层13为P型GaAs,具体可以为对N型GaAs进行Be (铍)离子掺杂形成的P型GaAs ;再或者,第一半导体层12可以为N型GaP (磷化镓)、第二半导体层13为P型GaP,具体可以为对N型GaP进行Zn (锌)和/或Mg离子掺杂形成的P型GaP0
[0059]即,第一半导体层12与第二半导体层13构成了电致发光器件01中的PN结,其发光原理如图4所示,即P型半导体作为PN结的P区、N型半导体作为PN结的N区,在外加电场的作用下,P区、N区中分别激发出空穴、电子,并在P区与N区交界处复合发光。
[0060]这里,由于第一半导体层12的下方为由石墨烯构成的缓冲层11,石墨烯与GaN等发光材料的晶格常数匹配性较好,可以起到使第一半导体层12在其上外延生长的作用,有利于减小第一半导体层12中出现结构缺陷。因此,优选的,采用MOCVD (Metal-OrganicChemical Vapor Deposit1n,金属有机化合物化学气相淀积)工艺形成第一半导体层12 ;其中,MOCVD是在气相外延生长(vapour phase epitaxy,简称VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。
[0061]同样的,由于第二半导体层13的下方为第一半导体层12,可以起到使第二半导体层13在其上外延生长的作用,因此,优选的,采用MOCVD工艺形成第二半导体层13。
[0062]在此基础上,上述制备方法还包括:
[0063]S05、如图5所示,在形成的第二半导体层13上形成由透明导电材料构成的电极层
14;其中,电极层14与由石墨烯构成的缓冲层11互为阴极与阳极。
[0064]这里,电极层14 可以采用 ITO(Indium Tin Oxide,氧化铟锡)、IZO(Indium ZincOxide,氧化铟锌)、FT0(Fluorine-Doped Tin Oxide,氟掺杂二氧化锡)等透明导电材料构成,并鹅考采用蒸镀法等多种工艺制备,以实现双面发光,提高上述电致发光器件01的应用领域。
[0065]其中,电极层14与由石墨烯构成的缓冲层11互为阴极与阳极是指,当电极层14为阴极时,缓冲层11为阳极;反之,当电极层14为阳极时,缓冲层11为阴极。
[0066]在上述基础上优选的,衬底层10至少由二氧化娃(S12)构成。这里,由于S12M料广泛存在于自然界的各种矿石材料中,易于获取且价格低廉,替代传统的应用于电致发光器件中的Al2O3 (蓝宝石)、SiC (碳化硅)可显著减少电致发光器件01的成本,从而实现大面积发光源的量产。
[0067]其中,作为显示产品的常见衬底材料之一的玻璃,其化学组成为Na2O -CaO WS12,即主要成分为S12,相对于纯S12不需要经过复杂的提纯工艺,更易于获取;并且,玻璃的源材料成本仅相当于Al2O3衬底材料成本的十分之一甚至更低。此外,玻璃作为衬底材料已广泛应用于显示技术领域中的各种显示产品中,生产技术更为成熟,适宜于量产。因此,本发明实施例进一步优选的,衬底层10采用玻璃材料构成。
[0068]基于此,通过本发明实施例提供的上述制备方法,由于选用价格低廉、易于获取的S12作为衬底层10的材料,取代了以往价格昂贵、制备工艺复杂的Al 203、SiC衬底材料,因此降低了电致发光器件01的制备成本;在此基础上,由于衬底层10采用S12材料构成,因此采用图案转印的方式将已经生长好的缓冲层11转移至衬底层10上,不会产生由于缓冲层11与S1^aB格匹配较差而导致的缓冲层11中出现结构缺陷,保证了器件的良好发光性能,从而可实现大面积发光源的量