晶圆缺陷密度获得方法、测试方法及半导体装置形成方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及晶圆缺陷密度获得方法、测试方法 及半导体装置形成方法。
【背景技术】
[0002] 在半导体制造领域，研究芯片产量最大化的系统和方法对半导体制造公司的成功 是至关重要的。公司降低制造成本同时生产更大数量的产品，从而降低了销售价格，增加利 润，获取较高的收益率。
[0003]目前，半导体制造工序是先在一片晶圆上同时生长几百上千个相同芯片，全部制 程完成后的晶圆又称为裸片。通过对裸片的测试挑选出合格芯片，并切割封装成产品。
[0004] 缺陷密度（DO)评估对半导体制造（FAB)而言是必不可少，其作用是评估半导体制 造过程中不同的技术能力，特别是不同的复杂工艺，但现有的随机缺陷密度评估，通常只是 在基于光刻复杂系数（lithocomplexitycoefficient)的基础上作出，而对于不同种类芯 片制造工艺进行评估时，还存在较多不准确的地方。
【发明内容】
[0005] 鉴于W上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶圆缺陷密度获得方 法、测试方法及半导体装置形成方法，解决现有缺陷密度评估方法不准确的问题。
[0006] 为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种晶圆缺陷密度获得方法，包括： 获得所述晶圆上各芯片的各导电层的致命缺陷率；根据每个芯片的各导电层的致命缺陷率 获得致命缺陷率系数；结合所述致命缺陷率系数及理论缺陷密度计算模型获得修正缺陷密 度计算公式；根据所述修正缺陷密度计算公式获得所述晶圆的缺陷密度。
[0007] 优选的，所述理论缺陷密度计算模型包括玻尔-爱因斯坦方程式。
[0008] 进一步优选的，所述玻尔-爱因斯坦方程式为；Wafe巧161(1=1八1+0164'63蝴。)'N, 其中，Wafe巧ield为晶圆随机良率：晶圆上的合格芯片数量与有效芯片总数的比值； DieArea为单个芯片的面积；D。为缺陷密度，单位为缺陷个数/平方英寸；N为工艺复杂度。
[0009] 优选的，所述缺陷率系数为所述各导电层的致命缺陷率之和。
[0010] 优选的，所述致命缺陷率系数记为C，所述修正缺陷密度计算公式：
【主权项】
1. 一种晶圆缺陷密度获得方法，其特征在于，包括： 获得所述晶圆上各芯片的各导电层的致命缺陷率； 根据每个芯片的各导电层的致命缺陷率获得致命缺陷率系数； 结合所述致命缺陷率系数及理论缺陷密度计算模型获得修正缺陷密度计算公式； 根据所述修正缺陷密度计算公式获得所述晶圆的缺陷密度。
2. 根据权利要求1所述的晶圆缺陷密度获得方法，其特征在于，所述理论缺陷密度计 算模型包括玻尔-爱因斯坦方程式。
3. 根据权利要求2所述的晶圆缺陷密度获得方法，其特征在于，所述玻尔-爱因斯坦方 程式为： WaferYield=lAl+DieArea*DQrN，其中，WaferYield为晶圆随机良率：晶圆上的合格 芯片数量与有效芯片总数的比值；DieArea为单个芯片的面积；Dtl为缺陷密度，单位为缺陷 个数/平方英寸；N为工艺复杂度。
4. 根据权利要求2所述的晶圆缺陷密度获得方法，其特征在于，所述致命缺陷率系数 为所述各导电层的致命缺陷率之和。
5. 根据权利要求4所述的晶圆缺陷密度获得方法，其特征在于，所述致命缺陷率系数 记为C，所述修正缺陷密度计算公式：
其中，WaferYield 为晶圆随机良率：晶圆上的合格芯片数量与有效芯片总数的比值；DieArea为单个芯片的 面积；^〇。是修正后缺陷密度，计算公式为&。=°〇+(^ ()()()1><(^^1-(^08，其中，1)(|为缺陷密 度，单位是缺陷个数/每平方英寸，GDPW是所述有效芯片总数缺陷密度；N为工艺复杂度。
6. 根据权利要求4所述的晶圆缺陷密度获得方法，其特征在于，所述致命缺陷率系数 记为C，所述修正缺陷密度计算公式
其中，WaferYield 为晶圆随机良率：晶圆上的合格芯片数量与有效芯片总数的比值；DieArea为单个芯片的 面积；Dtl为缺陷密度，单位是缺陷个数/每平方英寸；N为工艺复杂度。
7. 根据权利要求1所述的晶圆缺陷密度获得方法，其特征在于，所述晶圆为多晶硅晶 圆。
8. 根据权利要求1所述的晶圆缺陷密度获得方法，其特征在于，所述致命缺陷包括短 路或断路。
9. 一种晶圆测试方法，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的晶圆缺陷密 度获得方法。
10. -种半导体装置形成方法，所述半导体装置在晶圆上形成，其特征在于，包括如权 利要求9所述的晶圆测试方法。
【专利摘要】本发明提供的晶圆缺陷密度获得方法、测试方法及半导体装置形成方法，通过获得所述晶圆上各芯片的各导电层的致命缺陷率，并根据每个芯片的各导电层的致命缺陷率获得致命缺陷率系数，进而结合所述致命缺陷率系数及理论缺陷密度计算模型获得修正缺陷密度计算公式，再根据所述修正缺陷密度计算公式获得所述晶圆的缺陷密度，如此通过结合不同种类芯片信息对缺陷密度评估方式进行修正以提升评估准确性，从而增加合格品产量，提升利润。
【IPC分类】H01L21-66
【公开号】CN104766808
【申请号】CN201410007099
【发明人】陈亚威
【申请人】无锡华润上华半导体有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2014年1月7日