外延生长工艺方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及EPI (外延)生长工艺。
【背景技术】
[0002]目前，EPI (外延)生长工艺是半导体制造过程中较常见的工艺，但是EPI后，特别是厚EPI工艺后，常常会带来一个问题:即形成了不良的光刻标记。如图1所示，在EPI工艺前，光刻标记清晰可见；而EPI工艺后，形成的不良的光刻标记，甚至几乎不可见，如图2所示。不良的光刻标记会直接造成后续光刻对准工艺的困难，甚至无法对准。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题是提供一种外延生长工艺方法，它可以改善光刻对准标记。
[0004]为解决上述技术问题，本发明的外延生长工艺方法，步骤包括:
[0005]I)在晶圆衬底上，形成光刻标记；
[0006]2)生长外延；
[0007]3)在步骤2)生长的外延上，利用前一次形成的光刻标记做对准，进行光刻工艺，形成新的光刻标记；
[0008]4)重复步骤2)?3)，直到外延的厚度达到所需要的厚度。
[0009]所述衬底的材质为适合进行外延生长工艺的材质，例如单晶硅。
[0010]较佳的，每次外延生长的厚度为5?15 μ m。
[0011]本发明通过将一次EPI工艺分成两次以上的EPI工艺，并在分次的EPI工艺中加入光刻工艺，即一次EPI后做一次光刻标记的工艺，使最后一次EPI后仍能得到较好的光刻标记，从而维持了后续光刻工艺的稳定性和准确性。
【附图说明】
[0012]图1是EPI工艺前的光刻标记。
[0013]图2是EPI工艺后的光刻标记。其中，图(b)是图(a)的光刻标记的局部放大图。
[0014]图3是本发明实施例在生长EPI前做的第一组光刻标记。
[0015]图4是本发明实施例第一次生长EPI后的第一组光刻标记。
[0016]图5是本发明实施例第一次生长EPI后做的第二组光刻标记。
[0017]图6是本发明两次EPI后的光刻标记。
【具体实施方式】
[0018]为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合附图，详述如下:
[0019]请参阅图3-6所示，本实施例的外延生长工艺方法，具体工艺步骤为:
[0020]步骤1，在一片晶圆衬底上，形成第一组光刻标记，如图3所示。所述衬底可以是适合EPI外延生长工艺的任何材质，例如单晶硅等。
[0021]步骤2，第一次生长EPI，厚度不超过15 μ m。因为EPI不是很厚，所以第一次生长EPI后，第一组光刻标记能较好的保持形状，如图2所示。
[0022]步骤3，在第一次EPI的材质上，利用第一组光刻标记做对准，进行光刻工艺，形成第二组光刻标记，如图3所示。
[0023]步骤4，第二次生长EPI。第二次生长EPI后，第一组光刻标记已经有不良现象了，而第二组光刻标记还能较好的保持形状，如图4所示。
[0024]以此类推，可以循序地做下去，根据最终外延生长需要的厚度，平均分配EPI和光刻工艺的次数，以多次EPI和光刻工艺的结合，得到较好的光刻标记，以维持后续光刻工艺的稳定性和准确性。外延生长需要的厚度越厚，次数可以越多，一般以厚度5?15μπι/次为佳。
【主权项】
1.外延生长工艺方法，其特征在于，步骤包括: 1)在晶圆衬底上，形成光刻标记； 2)生长外延； 3)在步骤2)生长的外延上，利用前一次形成的光刻标记做对准，进行光刻工艺，形成新的光刻标记； 4)重复步骤2)?3)，直到外延的厚度达到所需要的厚度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底的材质为适合进行外延生长工艺的材质。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬底的材质为单晶硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每次外延生长的厚度为5?15μ m。
【专利摘要】本发明公开了一种外延生长工艺方法，步骤包括：1)在晶圆衬底上，形成光刻标记；2)生长外延；3)在步骤2)生长的外延上，利用前一次形成的光刻标记做对准，进行光刻工艺，形成新的光刻标记；4)重复步骤2)～3)，直到外延的厚度达到所需要的厚度。本发明通过将一次EPI工艺分成两次以上的EPI工艺，并在分次的EPI工艺中加入光刻工艺，即一次EPI后做一次光刻标记的工艺，使最后一次EPI后仍能得到较好的光刻标记，从而维持了后续光刻工艺的稳定性和准确性。
【IPC分类】H01L21-20
【公开号】CN104766789
【申请号】CN201510148323
【发明人】李伟峰
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2015年3月31日