有机发光二极管的制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种有机发光二极管的制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机发光二极管（organiclightemittingdiode,0LED)是一种发光层由有机复 合物构成的发光二极管，作为一种高效的发光源，其具有重量轻、厚度薄、多色彩、低制造成 本等诸多特点，使得有机发光二极管在大面积面光源的照明应用上逐渐显露出取代传统发 光二极管的趋势，已经被广泛的运用于各种领域。
[0003] 0LED-般包括一基底，一第一电极、一第一有机材料层、一突光粉层、一第二有机 材料层以及一第二电极层叠设置，所述荧光粉层包括间隔设置的红、绿、蓝荧光粉层，相邻 的红、绿、蓝荧光粉层形成一个像素点。现有技术提供了一种0LED的制备方法，所述第一 有机材料层具有不同的高度，包括提供一基底，所述基底包括多个第一电极；提供一第一掩 模，在所述基底上沉积有机材料层，形成一第一单元；提供一第二掩模，在所述基底上沉积 有机材料层，形成一第二单元；提供一第三掩模，在所述基底上沉积有机材料层，形成一第 三单元，所述第一单元、第二单元及第三单元间隔设置于基底上且具有不同的高度；在所述 第一单元、第二单元、第三单元上分别对应沉积红、绿、蓝荧光粉层，形成一像素点；在所述 荧光分层上沉积第二有机材料层；以及形成一第二电极与所述第二有机材料层电连接，得 到所述0LED。
[0004] 然而，现有技术中所述0LED的制备需要在真空系统中进行，且至少需要更换三次 掩模，工艺复杂，成本高；并且在更换掩模的工程中，容易对已沉积的有机材料层造成破坏， 从而影响了 0LED的发光效果及0LED的寿命。
【发明内容】
[0005] 有鉴于此，有必要提供一种工艺简单、能够提高有机发光二极管的发光效果及寿 命的有机发光二极管的方法。
[0006] -种有机发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，所述基板表面具有 多个第一电极；设置一第一有机材料层覆盖所述多个第一电极；在所述第一有机材料层的 表面形成一第一有机发光层；提供一具有纳米图形的模板，所述纳米图形包括多个深度不 同的凹部；将模板具有纳米图形的表面与所述第一有机发光层贴合，并挤压所述模板及所 述第一有机发光层；将所述模板与所述第一有机发光层进行脱模，使所述纳米图形转印到 第一有机发光层，在所述第一有机发光层远离基板的表面形成多个相互间隔且高度不同的 第一凸起、第二凸起及第三凸起；在所述第二凸起的表面形成一第二有机发光层，在所述第 三凸起的表面形成一第三有机发光层；形成一第二有机材料层覆盖所述第一凸起、第二有 机发光层及第三有机发光层；以及设置一第二电极与所述第二有机材料层电连接。
[0007] -种有机发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，所述基板表面具有 多个第一电极；在所述设置有多个第一电极的基板表面形成一第一有机材料层；在所述第 一有机材料层的表面形成一第一有机发光层；提供一模板，所述模板包括多个图形单兀，每 一图形单元包括N个不同深度的凹槽，N大于等于3 ;通过压印方法在第一有机发光层表面 形成具有与所述多个图形单元对应图形的多个像素单元，每一像素单元包括N个不同高度 的凸起结构；在每一像素单元中（N-1)个所述凸起结构顶面，分别沉积不同材料有机发光 层；沉积一第二有机材料层；以及形成一第二电极与所述第二有机材料层电连接。
[0008] -种有机发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，所述基板表面具有 多个第一电极；设置一第一有机发光层覆盖所述多个第一电极；提供一具有纳米图形的模 板，所述纳米图形包括多个按行列式排布的图形单元，每一图形单元包括相互间隔排列且 不同深度的第一凹槽、第二凹槽及第三凹槽；通过压印方法使所述纳米图形转印到第一有 机材料层，对应形成多个不同高度的第一凸起、第二凸起、第三凸起；在所述第二凸起的顶 面形成一第二有机发光层，在所述第三凸起远离的顶面沉积一第三有机发光层；形成一第 二有机材料层覆盖所述第一有机发光层、第二有机发光层及第三有机发光层；以及形成一 第二电极与所述第二有机材料层电连接。
[0009] 与现有技术相比，本发明提供的有机发光二极管的制备方法，利用模板通过采取 纳米压印的方式直接在所述第一有机发光层表面形成不同高度的凸起，从而无需更换或移 动掩模，避免了在更换掩模的过程中对第一有机材料层的破坏，从而提高了所述有机发光 二极管的发光效果及寿命。
【附图说明】
[0010] 图1为本发明实施例提供的有机发光二极管制备方法的流程图。
[0011] 图2为图1所述有机发光二极管制备方法中所述模板的结构示意图。
[0012] 图3为图1所述有机发光二极管制备方法中图案化的第一有机材料层的结构示意 图。
[0013] 主要元件符号说明
【主权项】
1. 一种有机发光二极管的制备方法，包括w下步骤： 提供一基板，所述基板表面具有多个第一电极； 设置一第一有机材料层覆盖所述多个第一电极； 在所述第一有机材料层的表面形成一第一有机发光层； 提供一具有纳米图形的模板，所述纳米图形包括多个深度不同的凹部； 将模板具有纳米图形的表面与所述第一有机发光层贴合，并挤压所述模板及所述第一 有机发光层； 将所述模板与所述第一有机发光层进行脱模，使所述纳米图形转印到第一有机发光 层，在所述第一有机发光层远离基板的表面形成多个相互间隔且高度不同的第一凸起、第 二凸起及第H凸起； 在所述第二凸起的表面形成一第二有机发光层，在所述第H凸起的表面形成一第H有 机发光层； 形成一第二有机材料层覆盖所述第一凸起、第二有机发光层及第H有机发光层；W及 设置一第二电极与所述第二有机材料层电连接。
2. 如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述模板包括至少 一第一图形单元，所述第一图形单元包括深度不同的一第一凹槽、一第二凹槽W及一第H 凹槽相互间隔排列。
3. 如权利要求2所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述模板包括多个 第一图形单元呈一维阵列或二维阵列排布。
4. 如权利要求3所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一凹槽、第二 凹槽及第H凹槽沿同一方向按照固定顺序依次相互间隔且交替排列。
5. 如权利要求2所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一凹槽的深 度di、第二凹槽的深度d2及第H凹槽的深度ds满足di〉d2〉d3。
6. 如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述纳米图形转印 到第一有机发光层后在所述第一有机发光层远离基板的表面形成一纳米图案，所述纳米图 案包括多个第二图形单元，所述每一第二图形单元包括一第一凸起、一第二凸起、一第H凸 起，分别对应所述第一凹槽、第二凹槽、第H凹槽设置。
7. 如权利要求6所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一凸起的高 度hi、第二凸起的高度h2及第H凸起的高度满足；hi〉h2〉h3。
8. 如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一有机发光 层、第二有机发光层W及第H有机发光层的材料不完全相同。
9. 如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一有机发光 层为蓝色发光层。
10. 如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一电极通过 将碳纳米管线或碳纳米管膜直接铺设在所述基板表面形成。
11. 一种有机发光二极管的制备方法，包括W下步骤： 提供一基板，所述基板表面具有多个第一电极； 在所述设置有多个第一电极的基板表面形成一第一有机材料层； 在所述第一有机材料层的表面形成一第一有机发光层； 提供一模板，所述模板包括多个图形单元，每一图形单元包括N个不同深度的凹槽，N 大于等于3; 通过压印方法在第一有机发光层表面形成具有与所述多个图形单元对应图形的多个 像素单元，每一像素单元包括N个不同高度的凸起结构； 在每一像素单元中（N-1)个所述凸起结构顶面，分别沉积不同材料有机发光层； 沉积一第二有机材料层；W及 形成一第二电极与所述第二有机材料层电连接。
12. -种有机发光二极管的制备方法，包括W下步骤： 提供一基板，所述基板表面具有多个第一电极； 设置一第一有机发光层覆盖所述多个第一电极； 提供一具有纳米图形的模板，所述纳米图形包括多个按行列式排布的图形单元，每一 图形单元包括相互间隔排列且不同深度的第一凹槽、第二凹槽及第H凹槽； 通过压印方法使所述纳米图形转印到第一有机材料层，对应形成多个不同高度的第一 凸起、第二凸起、第H凸起； 在所述第二凸起的顶面形成一第二有机发光层，在所述第H凸起远离的顶面沉积一第 H有机发光层； 形成一第二有机材料层覆盖所述第一有机发光层、第二有机发光层及第H有机发光 层；W及 形成一第二电极与所述第二有机材料层电连接。
【专利摘要】本发明涉及一种有机发光二极管的制备方法，包括：提供一基板，所述基板表面具有多个第一电极；在所述基板表面形成一第一有机材料层；在所述第一有机材料层的表面形成一第一有机发光层；提供一具有纳米图形的模板，所述纳米图形包括多个深度不同的凹部；将模板具有纳米图形的表面与所述第一有机发光层贴合，并挤压、脱模，在所述第一有机发光层远离基板的表面形成多个相互间隔的第一凸起、第二凸起及第三凸起；在所述第二凸起的表面形成一第二有机发光层，在所述第三凸起的表面形成一第三有机发光层；形成一第二有机材料层覆盖所述第一凸起、第二有机发光层及第三有机发光层；以及设置一第二电极与所述第二有机材料层电连接。
【IPC分类】H01L51-56
【公开号】CN104681743
【申请号】CN201310619394
【发明人】郑荣安, 简良能, 安东, 朱振东, 林昌廷, 吴逸蔚, 李群庆, 范守善
【申请人】清华大学, 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2013年11月29日
【公告号】US20150155339