一种金属刻蚀工艺检测方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制作工艺领域，尤其涉及一种金属刻蚀工艺检测方法。
【背景技术】
[0002]随着集成电路的制造工艺的不断发展，半导体特征尺寸不断缩小。而由于半导体的金属线条在设计排布时过于密集，使得一些金属线条不能直接连接，此时，就需要跳线电阻来连接这些金属线条。如图1所示，金属线条101与金属线条102之间，排布了若干金属线条使得金属线条101与金属线条102不便于直接连接，此时在金属线条101与金属线条102之间连接了一跳线电阻103，金属线条101与金属线条102通过跳线电阻103方便地连接起来。
[0003]然而，在半导体中的跳线电阻上形成金属层之后，在对该金属层刻蚀的过程中，如果金属刻蚀工艺不稳定，使得跳线电阻的介质层不能完全阻挡刻蚀损伤，会影响跳线电阻的阻值大小。因此，需要一种方法能够对金属刻蚀工艺进行检测，以防对跳线电阻的金属层的刻蚀造成跳线电阻的损伤。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题是，提供一种金属刻蚀工艺检测方法，能够检测跳线电阻上的金属层的刻蚀工艺是否符合预设要求，避免了在对跳线电阻上的金属层进行刻蚀时，跳线电阻的介质层没有完全阻挡住刻蚀损伤的问题。
[0005]为了实现上述目的，本发明提供了一种金属刻蚀工艺检测方法，包括:生成待检测的跳线电阻；输入测试电信号，获取所述待检测的跳线电阻的一电性能的第一值；在所述待检测的跳线电阻上形成金属层；根据所述跳线电阻上的布线结构对所述待检测的跳线电阻上的金属层进行刻蚀；输入所述测试电信号，获取刻蚀后的所述待检测的跳线电阻的所述一电性能的第二值；根据所述一电性能的第一值和第二值，判断所述跳线电阻上的金属层的刻蚀工艺是否符合预设要求。
[0006]进一步地，所述跳线电阻为P型电阻；所述生成待检测的跳线电阻，具体为:在半导体衬底的预定形成P型电阻的区域注入P型离子；在所述预定形成P型电阻的区域形成介质层；在所述介质层上形成引线孔。
[0007]进一步地，所述金属层为铝层。
[0008]进一步地，输入所述测试电信号，获取所述待检测的跳线电阻的电性能，具体为:在所述待检测跳线电阻的两个引线孔处分别引出与测试探针连接的导电部；在所述两个测试探针间加一电压，获取所述待检测的跳线电阻的电性能。
[0009]本发明的上述技术方案的有益效果如下:
[0010]本发明通过检测跳线电阻的电性能及刻蚀后的跳线电阻的电性能是否发生变化，检测对跳线电阻上的金属层的刻蚀工艺是否符合预设要求。
【附图说明】
[0011]图1为跳线电阻示意图。
[0012]图2为本发明实施例1提供的金属刻蚀工艺检测方法流程图。
[0013]图3为本发明实施例1提供的获取待检测跳线电阻的电性能的结构示意图。
[0014]图4为本发明实施例1提供的获取经过金属刻蚀后的待检测跳线电阻的电性能的结构示意图。
[0015]图5为本发明实施例2提供的金属刻蚀工艺检测方法流程图。
【具体实施方式】
[0016]为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
[0017]本发明的实施例针对现有技术中在对跳线电阻上的金属层进行刻蚀的过程中，刻蚀工艺的不稳定会导致跳线电阻的介质层无法完全阻挡住刻蚀损伤的问题，提供了一种金属刻蚀工艺检测方法，能够检测对跳线电阻上的金属层的刻蚀工艺是否符合预设要求。
[0018]图2为本发明实施例1提供的金属刻蚀工艺检测方法流程图。如图所示，包括:
[0019]步骤S200，生成待检测的跳线电阻；
[0020]步骤S202，输入测试电信号，获取所述待检测的跳线电阻的一电性能的第一值；
[0021]步骤S204，在所述待检测的跳线电阻上形成金属层；
[0022]步骤S206，根据所述跳线电阻上的布线结构对所述待检测的跳线电阻上的金属层进行刻蚀；
[0023]步骤S208，输入所述测试电信号，获取刻蚀后的所述待检测的跳线电阻的所述一电性能的第二值；
[0024]步骤S210，根据所述一电性能的第一值和第二值，判断所述跳线电阻上的金属层的刻蚀工艺是否符合预设要求。
[0025]在上述技术方案中，通过检测跳线电阻的一电性能的第一值及经过刻蚀后的跳线电阻的该电性能的第二值，根据所述一电性能的第一值和第二值，就可以判断所述跳线电阻上的金属层的刻蚀工艺是否符合预设要求。当在跳线电阻上有金属线条排布时，首先需要在跳线电阻上形成金属层，金属层可以通过沉积的方式形成，也可以通过其他的方式形成，然后根据跳线电阻上金属线条的排布来对金属层进行刻蚀，如果刻蚀工艺不稳定，会造成跳线电阻的损伤，影响到跳线电阻的电性能。因此，通过比较跳线电阻在金属刻蚀工艺前后的同一电性能的值，就可以判断跳线电阻上的金属层的刻蚀工艺是否符合预设要求。
[0026]进一步地，所述跳线电阻为P型电阻；所述生成待检测的跳线电阻，可以具体为:在半导体衬底的预定形成P型电阻的区域注入P型离子；在所述预定形成P型电阻的区域形成介质层；在所述介质层上形成引线孔。
[0027]在上述技术方案中，所述跳线电阻为P型电阻，P型电阻的生成通过在半导体衬底的预定形成P型电阻的区域注入P型离子，然后在所述预定形成P型电阻的区域形成介质层，再在所述介质层上形成引线孔就形成了 P型电阻。P型电阻上的介质层比较薄，是在生长栅氧时同时形成，大约为500埃左右；而在制作P型电阻上的金属线条时，当金属刻蚀工艺异常时，很容易将金属层下P型电阻的介质层刻蚀掉一部分，如果P型电阻的介质层完全被刻蚀完，就会损伤到P型电阻，导致P型电阻的电性能发生变化。因此，通过检测P型电阻的电性能在刻蚀前后的变化即可判断金属刻蚀工艺是否符合预设要求。
[0028]进一步地，所述金属层可以为铝层。
[0029]进一步地，输入所述测试电信号，获取所述待检测的跳线电阻的电性能，可以具体为:在所述待检测跳线电阻的两个引线孔处分别引出与测试探针连接