一种用于多晶硅片扩散前去除金属杂质清洗方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及晶娃太阳能电池片制造领域，具体地涉及一种用于多晶娃片扩散前去 除金属杂质清洗方法。
【背景技术】
[0002] 在晶娃太阳能电池片的制备工艺流程中，首先是通过在娃片表面制备绒面来降低 表面反射率、增加光的吸收。在实际生产过程中，经常会出现制绒后的娃片裸露在空气中没 有及时进入扩散工艺，导致娃片表面氧化和沾污现象。另外，裸娃片自身携带的惰性金属离 子在清洗制绒工艺中没有完全清洗干净现象。上述现象均会影响多晶娃太阳能电池片的电 性能参数。
【发明内容】
[0003] 本发明的目的是提供一种用于多晶娃片扩散前去除金属杂质清洗方法，达到能够 稳定可持续量产、提高短路电流和光电转换效率的目的。
[0004] 为了解决上述问题，本发明采用的技术解决方案是提供一种用于多晶娃片扩散前 去除金属杂质清洗方法，在清洗制绒至扩散两道工艺间增加一道槽式清洗工艺，具体工艺 流程如下： (1) 将制绒后未能及时进入扩散工序的娃片置于纯水中进行初步清洗； (2) 将初步清洗后的娃片置于体积分数为1-5%的肥1溶液中清洗； (3) 然后连续两次经过纯水清洗； (4) 将经过纯水清洗的娃片置于体积分数为1-3%的HF溶液中清洗； (5) 最后连续两次经过纯水清洗，进入扩散工序。
[0005] 本发明的有益效果是通过采用上述技术方案，多晶娃太阳能电池片的电性能参数 中短路电流有20-40毫安的增益，光电转换效率有0. 05-0. 1%的增益。
【附图说明】
[0006] 图1本发明提供的用于多晶娃片扩散前去除金属杂质清洗方法的具体工艺流程。
【具体实施方式】
[0007] 下面根据本发明提供的用于多晶娃片扩散前去除金属杂质清洗方法的技术解决 方案，采用下面的具体实施方案作进一步说明。本实施方案是在制绒、扩散、刻蚀、PECVD、丝 网印刷各道工序的工艺与原工艺相同的条件下进行的，其中A代表原工艺方案，B代表本发 明提供的技术方案。【具体实施方式】如下： (1) 将制绒后未能及时进入扩散工序的娃片置于纯水中进行初步清洗； (2) 将初步清洗后的娃片置于体积分数为2%的肥1溶液中清洗，反应温度为常温； (3) 然后连续两次经过纯水清洗； (4) 将经过纯水清洗的娃片置于体积分数为2. 5%的HF溶液中清洗，反应温度为常温； (5) 最后连续两次经过纯水清洗，依次进入扩散、刻蚀、PECVD、丝网印刷工序。
[000引采用本实施方式制备的多晶娃太阳能电池片的电性能参数如下表所示：
【主权项】
1. 一种用于多晶娃片扩散前去除金属杂质清洗方法，在清洗制绒至扩散两道工艺间增 加一道槽式清洗工艺，具体工艺流程如下： (1) 将制绒后未能及时进入扩散工序的娃片置于纯水中进行初步清洗； (2) 将初步清洗后的娃片置于体积分数为1-5%的肥1溶液中清洗； (3) 然后连续两次经过纯水清洗； (4) 将经过纯水清洗的娃片置于体积分数为1-3%的HF溶液中清洗； (5) 最后连续两次经过纯水清洗，进入扩散工序。
【专利摘要】本发明公开了一种用于多晶硅片扩散前去除金属杂质清洗方法，在清洗制绒至扩散两道工艺间增加一道槽式清洗工艺，具体工艺流程：首先将制绒后未能及时进入扩散工序的硅片置于纯水中进行初步清洗；将初步清洗后的硅片置于体积分数为1-5%的HCl溶液中清洗；然后连续两次经过纯水清洗；将经过纯水清洗的硅片置于体积分数为1-3%的HF溶液中清洗；最后连续两次经过纯水清洗，进入扩散工序。本发明的有益效果是通过采用上述技术方案，多晶硅太阳能电池片的电性能参数中短路电流有20-40毫安的增益，光电转换效率有0.05-0.1%的增益。
【IPC分类】H01L31-18
【公开号】CN104638056
【申请号】CN201310569505
【发明人】王建树, 王庆钱, 时利
【申请人】浙江鸿禧能源股份有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2013年11月13日