导电结构和制造该导电结构的方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种导电结构体及其制造方法。本申请要求享有2012年8月31日在 韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2012-0096493号的优先权，其所公开内容通过 引用全部并入本发明中。
【背景技术】
[0002] 一般来说，触屏面板可以根据信号检测方式分为以下类型。即，有以下类型：电阻 型，在通过电流或电压值的改变施加 DC电压的状态下，检测按压位置；电容型，在施加 AC电 压的状态下利用电容耦合实现检测；电磁型，在如电压的改变施加磁场的状态下检测选定 位置;等等°
[0003] 随着近来大号触屏面板需求的增长，目前需要开发降低电极电阻且实现具有优异 的可视性的扩大的触屏面板的技术。
【发明内容】
[0004] 技术目的
[0005] 本发明已致力开发一种改善本领域中的各种触屏面板的性能的技术。
[0006] 技术方案
[0007] 本申请的一个示例性的实施方式提供一种导电结构体，包括：基板；导电层；以及 暗化层，所述暗化层对具有550nm至650nm波长的光中的至少一种波长的光满足以下等式 1和2 :
[0008] [等式 1]
[0009]
【主权项】
1. 一种导电结构体，包括： 基板； 导电层；以及 暗化层，其对具有550nm至650nm波长的光中的至少一种波长的光满足以下等式1和 2 ： [等式1]
其中， R|为降低导电结构体可视性的参数，n为折射率，k为消光系数，为所述导电层的反射率， d为所述暗化层的厚度，以及X为光波长。
2. 根据权利要求1所述的导电结构体，进一步包括： 暗化层，其对具有600nm波长的光满足等式1和2。
3. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述暗化层的以下等式3的值为51. 8以下： [等式3]
其中， A*为显示对预先确定波长的亮度的参数，以及n、k和定义与等式1相同。
4. 根据权利要求3所述的导电结构体，其中， 所述暗化层的等式3的值为40以下。
5. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述暗化层的以下等式15的值为40以下： [等式15]
其中， L*是显示对全部可见光波长区域的亮度的参数， Y是对应于CIEXYZ坐标系的三刺激值的绿色的刺激值，以及 Yn是对应于CIEXYZ坐标系的三刺激值的白色的刺激值的归一化值。
6. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述暗化层的消光系数k为0. 2以上且2. 5以下。
7. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述暗化层的消光系数k为0. 2以上且1. 2以下。
8. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述暗化层的消光系数k为0. 4以上且1. 0以下。
9. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述导电层设置在所述基板与所述暗化层之间，并且所述降低导电结构体可视性的参 数在所述暗化层的与所述导电层接触的表面的相反表面的方向上测量。
10. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述暗化层设置在所述导电层与所述基板间，并且所述降低导电结构体可视性的参数 在基板侧测量。
11. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述暗化层的折射率n为大于0且小于等于3。
12. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述降低导电结构体可视性的参数|R|为〇. 15以下。
13. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述降低导电结构体可视性的参数|R|为〇. 1以下。
14. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述降低导电结构体可视性的参数|R|为0.07以下。
15. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述降低导电结构体可视性的参数|R|为0.03以下。
16. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述暗化层的厚度d为20nm至150nm〇
17. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述暗化层或导电层的表面电阻为大于〇D/ □且小于等于2D/ 口。
18. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述暗化层包含选自金属、金属氧化物、金属氮化物、金属氧氮化物以及金属碳化物中 的一种或两种或更多种。
19. 根据权利要求18所述的导电结构体，其中， 所述金属为选自Ni、V、W、Ta、Mo、Nb、Ti、Fe、Cr、Co、A1和Cu中的一种或两种或更多 种。
20. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述暗化层包含介电材料和金属中的至少一种。
21. 根据权利要求20所述的导电结构体，其中， 所述介电材料选自Ti02_x、Si02_x、MgF2_x和SiN^(-1彡x彡1)。
22. 根据权利要求20所述的导电结构体，其中， 所述金属为选自Fe、Co、Ti、V、Al、Cu、Mo、Au和Ag中的一种、两种或更多种金属的合 金。
23. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述导电层的厚度为〇. 01um至10ym。
24. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述导电层包含选自金属、金属合金、金属氧化物和金属氮化物中的一种或多种材料， 并且所述材料具有1X10_6D?cm至30X10_6D?cm的比电阻。
25. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述导电层包含选自Cu、Al、Ag、Nd、Mo、Ni、其氧化物和其氮化物中的一种或两种或更 多种。
26. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述暗化层设置在所述导电层的至少一个表面上。
27. 根据权利要求1所述的导电结构体，其中， 所述导电层或所述暗化层被图案化。
28. 根据权利要求27所述的导电结构体，其中， 所述导电结构体的表面电阻为1 〇 / □至300D/ 口。
29. 根据权利要求27所述的导电结构体，其中， 所述导电层和所述暗化层被图案化，并且经图案化的导电层的线宽为10um以下。
30. 根据权利要求27所述的导电结构体，其中， 所述导电层和所述暗化层被图案化，并且经图案化的暗化层的线宽等于或大于经图案 化的导电层的线宽。
31. 根据权利要求27所述的导电结构体，其中， 所述导电层和所述暗化层被图案化，并且经图案化的暗化层的面积为经图案化的导电 层的面积的80 %至120%。
32. -种触屏面板，包括： 根据权利要求1至31中任一项所述的导电结构体。
33. 一种显不装置，包括： 根据权利要求1至31中任一项所述的导电结构体。
34. -种太阳能电池，包括： 根据权利要求1至31中任一项所述的导电结构体。
35. -种导电结构体的制造方法，包括： 在基板上形成导电层；以及 在形成导电层之前形成暗化层，在形成导电层之后形成暗化层，或者在形成导电层之 前和之后均形成暗化层，所述暗化层对具有550nm至650nm波长的光中的至少一种波长的 光柄足以下等式1和2 : [等式1]
[等式2]
其中， RI为降低导电结构体可视性的参数，n为折射率，k为消光系数，为所述导电层的反射率， d为所述暗化层的厚度，以及X为光波长。
36. 根据权利要求35所述的导电结构体的制造方法，其中， 所述导电层或暗化层的表面电阻为大于〇D/ □且小于等于2D/ 口。
37. 根据权利要求35所述的导电结构体的制造方法，其进一步包括： 分别或同时将所述导电层和所述暗化层图案化。
38. -种导电结构体的制造方法，包括： 在基板上形成经图案化的导电层；以及 在形成经图案化的导电层之前形成经图案化的暗化层，在形成经图案化的导电层之后 形成经图案化的暗化层，或者在形成经图案化的导电层之前和之后均形成经图案化的暗化 层，所述经图案化的暗化层对具有550nm至650nm波长的光中的至少一种波长的光满足以 下等式1和2 : [等式1]
其中， R|为降低导电结构体可视性的参数，n为折射率，k为消光系数，为所述导电层的反射率， d为所述暗化层的厚度，以及X为光波长。
39. 根据权利要求35至38中任一项所述的导电结构体的制造方法，其中， 所述经图案化的暗化层或所述暗化层对具有600nm波长的光满足等式1和2。
40. 根据权利要求35至38中任一项所述的导电结构体的制造方法，其中， 所述经图案化的暗化层或所述暗化层的以下等式3的值为51. 8以下： [等式3]
其中， A*为显示对预先确定波长的亮度的参数，以及n、k和定义与等式1相同。
41.根据权利要求35至38中任一项所述的导电结构体的制造方法，其中， 所述经图案化的暗化层或所述暗化层是利用溅镀法而形成的。
【专利摘要】本发明涉及一种包括基板、导电层和暗化层的导电结构体，以及制造该导电结构体的方法。所述导电结构体可以在不影响导电层的导电率的情况下，防止导电层造成的反射，通过提高吸光率而改善导电层的隐藏性。因此，所述导电结构体可以用于开发具有更高可见性的显示面板。
【IPC分类】H01B5-14, H01B13-00, G06F3-041
【公开号】CN104584143
【申请号】CN201380044015
【发明人】林振炯, 金秀珍, 金起焕
【申请人】Lg化学株式会社
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2013年8月30日
【公告号】EP2892056A1, US20150223326, WO2014035197A1