倒装led芯片封装结构的利记博彩app
【技术领域】
[0001]本发明涉及倒装LED封装技术领域，特别是涉及一种倒装LED芯片封装结构。
【背景技术】
[0002]LED (Light Emitting D1de)，发光二极管，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件。LED最终能够应用在日常生活中，需要对LED进行封装。对于不同的LED芯片结构，有不同的封装方式，倒装LED封装有其特定的封装方案，
[0003]目前倒装LED的封装，包括LED芯片，基板，互连材料，硅胶等构件，同时还需要多种封装工序，例如丝网印刷等。在倒装LED封装的过程中，其中一方式是需要通过丝网印刷在基板的电路层涂覆焊料或导电胶，然后倒装LED芯片的电极通过互连材料电连接于电路层上。
[0004]然而在涂覆焊料或导电胶的过程中，有可能由于定位精度等原因涂覆在两铜片之间，导致电导通，焊接的时候出现短路，使LED芯片损坏。
【发明内容】
[0005]基于此，有提供一种广品良率尚的倒装LED芯片封装结构。
[0006]一种倒装LED芯片封装结构，包括:基板，设置在所述基板上的电路层，与所述电路层连接的倒装LED芯片以及设置在所述倒装LED芯片上的硅胶层，与所述倒装LED芯片的电极相连的所述电路层区域设有凸台。
[0007]在其中一个实施例中，所述倒装LED芯片的两电极之间的所述电路层侧面设有绝缘薄膜。
[0008]在其中一个实施例中，所述凸台的截面积大于所对应的所述倒装LED芯片的电极的截面积。
[0009]在其中一个实施例中，所述凸台上表面设置多个凸起。
[0010]在其中一个实施例中，所述倒装LED芯片的电极的端部设置多个凸块。
[0011]在其中一个实施例中，所述凸起与所述凸块相连接时，且相互交错设置。
[0012]在其中一个实施例中，所述凸台向内凹形成收容槽。
[0013]在其中一个实施例中，所述倒装LED芯片的电极侧面开设卡槽。
[0014]在其中一个实施例中，所述卡槽倾斜角度设置，开口朝下。
[0015]采用本方案的倒装LED芯片封装结构，通过在电路层设有凸台，在连接倒装LED芯片与电路层时，一般采用导电胶或焊料涂覆在凸台上，导电胶或焊料在凸台上融化时其中的气泡容易被排出。因此，倒装LED芯片放置在凸台上时，倒装LED芯片的电极把导电胶或焊料中的气泡挤出，减少互连空洞，降低互连的热阻，提高了基板散热性能，延长LED寿命，进而了提尚广品良率。
【附图说明】
[0016]图1为一实施方式的倒装LED芯片封装结构的示意图；
[0017]图2为一实施方式的倒装LED芯片封装结构的分解示意图；
[0018]图3为一实施方式的倒装LED芯片封装结构的设有绝缘薄膜示意图；
[0019]图4为另一实施方式的倒装LED芯片封装结构的设有绝缘薄膜示意图；
[0020]图5为一实施方式的倒装LED芯片封装结构的凸台的示意图；
[0021]图6为一实施方式的倒装LED芯片封装结构的凸起与凸块接合的示意图；
[0022]图7为一实施方式的倒装LED芯片封装结构的凸起与凸块契合的示意图；
[0023]图8为一实施方式的倒装LED芯片封装结构的电极的结构示意图；
[0024]图9为另一实施方式的倒装LED芯片封装结构的电极的结构示意图；
[0025]图10为再一实施方式的倒装LED芯片封装结构的电极的结构示意图；
[0026]图11为一实施方式的倒装LED芯片封装结构的沟槽示意图。
【具体实施方式】
[0027]下面结合实施方式及附图，对倒装LED芯片结构作进一步的详细说明。
[0028]结合附图1?3，一实施方式的倒装LED芯片3封装结构，包括:基板1、电路层2、倒装LED芯片3以及硅胶层4。
[0029]基板1，用于承载倒装LED芯片3，一般采用陶瓷基板或者是玻璃基板等。
[0030]电路层2，设置在基板I上，用于与倒装LED芯片3电连接。具体地，电路层2可以通过蒸镀等方式镀上电路层2。与倒装LED芯片3的两电极32相连的电路层2设有凸台5。当电路层2与外界进行金线焊接等电连接方式，即可实现与外界的电导通。
[0031]倒装LED芯片3，倒置并与电路层2连接。在本实施例中，由于电路层2被分割为两部分，倒装LED芯片3的N极对应面积较小的电路层2 —侧，P极对应面积较大的电路层2—侧。
[0032]硅胶层4，设置在倒装LED芯片3上，起到密封作用。
[0033]采用本方案的倒装LED芯片3封装结构，通过在电路层2设有凸台5，在连接倒装LED芯片3与电路层2时，一般采用导电胶或焊料涂覆在凸台5上，导电胶或焊料在凸台5上融化时其中的气泡容易被排出。因此，倒装LED芯片3放置在凸台5上时，倒装LED芯片3的电极32把导电胶或焊料中的气泡挤出，减少互连空洞，降低互连的热阻，提高了基板I散热性能，延长LED寿命，进而了提尚广品良率。
[0034]结合附图3?4，在一实施例中，在倒装LED芯片3的两电极32之间的电路层2侧面上设有绝缘薄膜6，该绝缘薄膜6可以通过传统的镀膜工艺实现。当然，也可以在倒装LED芯片3的两电极32之间的基板I上设置绝缘薄膜6，即电路层之间设置绝缘薄膜6，防止电路层2电导通。
[0035]当倒装LED芯片3放置在凸台5上时，把涂覆在凸台5上的导电胶或焊料挤出，被挤出的导电胶或焊料流入到倒装LED芯片3之间的基板I表面，由于设有绝缘薄膜6，可以避免分设两部分的导电层导通，进而避免倒装LED芯片3的短路。
[0036]结合附图2，在一实施例中，凸台5的截面积略大于所对应的倒装LED芯片3的电极32的截面积，此设计可以使得倒装LED芯片3的电极32对位凸台5准确。另外，在凸台5上设置多个凸起51，可增加挤压导电胶或金属焊料的概率，进一步的把导电胶或金属焊料中的气泡挤走，减少空洞，降低热阻，提高基板I的散热性。
[0037]结合附图6，在其它实施例中，倒装LED芯片3的电极32的端部设置多个凸块31，凸起51与凸块31相连接时(即倒装LED芯片3放置在凸台5上时)，凸起51与凸块31相互交错设置，该设计可以增加挤压导电胶或金属焊料的面积，挤出气泡的效果更佳。可以理解，凸起51和凸块31可以是圆形、方形等不规则的结构。
[0038]结合附图7，进一步地，凸块31和凸起51可以设置为楔形，当倒装LED芯片3的电极32放置在凸台5上，互为楔形的凸块31和凸起51相契合，起到定位及卡合的作用。
[0039]结合附图5，在一实施例中，凸台5向内凹形成收容槽，该收容槽呈U型，倒装LED芯片3的电极32放置在该凸台5上定位更快速、便捷。另外，由于收容槽呈U型，即四周高中间低，未溢流出来的导电胶或焊料回流填充满收容槽，使得倒装LED芯片3与凸台5的连接更佳牢固。
[0040]结合附图8?10，在其它实施例中，倒装LED芯片3的电极32侧面开设卡槽33，该卡槽33可以通过激光进行切割，可以在做到微处理。进一步地，还可以把卡槽33倾斜一定的角度设置，开口朝下。可以理解，该卡槽33可以根据需要切割成多种形状，例如倒“7”型。当把开设有卡槽33的倒装LED芯片3插入收容槽内，熔融状态的导电胶或焊料把卡槽33填充满，当导电胶或焊料固化时，倒装LED芯片3被牢固的连接在凸台5上，即固接在基板I上。
[0041]在一实施例中，结合附图11，在倒装LED芯片3的两电极32之间的基板I上开设沟槽7，该沟槽7可以为水平沟槽或斜沟槽7，在本实施例中为斜沟槽7。该斜沟槽7带有一定角度的斜沟槽7，在倒装LED芯片3连接在凸台5上，无论是焊料或者是导电胶，在连接的过程中，都有可能出现焊料溢流或者溢胶的情况。若有溢出，焊料或者是导电胶就会流到沟槽7内，由于重力的作用，焊料或者是导电胶就会沿斜沟槽7流出，起到了自清理的作用；与此同时，斜沟槽7巧妙的设计避免溢流的焊料或者是导电胶较多，再多的溢出的焊料或者是导电胶也可以清理，斜沟槽7的设计实用性较高。
[0042]可以理解，根据基板I的厚度，以及设计的需要，斜沟槽7与基板I表面呈I?40°设置，以便溢流出的连接料更为便捷的流出和清理。
[0043]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种倒装LED芯片封装结构，其特征在于，包括:基板，设置在所述基板上的电路层，与所述电路层连接的倒装LED芯片以及设置在所述倒装LED芯片上的硅胶层，与倒装LED芯片的电极相连的电路层区域设有凸台。
2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片封装结构，其特征在于，所述倒装LED芯片的两电极之间的所述电路层侧面设有绝缘薄膜。
3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片封装结构，其特征在于，所述凸台的截面积大于所对应的所述倒装LED芯片的电极的截面积。
4.根据权利要求3所述的倒装LED芯片封装结构，其特征在于，所述凸台上表面设置多个凸起。
5.根据权利要求4所述的倒装LED芯片封装结构，其特征在于，所述倒装LED芯片的电极的端部设置多个凸块。
6.根据权利要求5所述的倒装LED芯片封装结构，其特征在于，所述凸起与所述凸块相连接时，且相互交错设置。
7.根据权利要求4或5所述的倒装LED芯片封装结构，其特征在于，所述凸台向内凹形成收容槽。
8.根据权利要求7所述的倒装LED芯片封装结构，其特征在于，所述倒装LED芯片的电极侧面开设卡槽。
9.根据权利要求8所述的倒装LED芯片封装结构，其特征在于，所述卡槽倾斜角度设置，开口朝下。
【专利摘要】本发明的倒装LED芯片封装结构，其特征在于，包括：基板，设置在所述基板上的电路层，与所述电路层连接的倒装LED芯片以及设置在所述倒装LED芯片上的硅胶层，与倒装LED芯片的电极相连的电路层区域设有凸台。采用本方案的倒装LED芯片封装结构，通过在电路层设有凸台，在连接倒装LED芯片与电路层时，一般采用导电胶或焊料涂覆在凸台上，导电胶或焊料在凸台上融化时其中的气泡容易被排出。因此，倒装LED芯片放置在凸台上时，倒装LED芯片的电极把导电胶或焊料中的气泡挤出，减少互连空洞，降低互连的热阻，提高了基板散热性能，延长LED寿命，进而了提高产品良率。
【IPC分类】H01L33-62
【公开号】CN104576907
【申请号】CN201410806022
【发明人】张建华, 殷录桥, 张金龙, 南婷婷
【申请人】上海大学
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年12月18日