半导体装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其不依赖于解理刀的位置控制的精度，能够相对于解理目标位置实现高位置精度的解理。
【背景技术】
[0002]为了将半导体衬底进行解理，在半导体衬底的一个面上形成划线槽后，使解理刀按压并抵接至相反侧的面，实施以划线槽为起点的解理(例如，参照专利文献I的图1(b))。
[0003]提出了用于提高该解理的位置精度的制造方法。例如提出了下述制造方法，在该方法中，在解理目标位置的附近，在半导体生长层侧形成解理的辅助槽(例如，参照专利文献2)。另外，还提出了下述制造方法，在该方法中，在形成划线槽的区域设置不存在特定的半导体层、绝缘膜的开口部，以朝向与形成有划线槽的面相反侧的面，形成从划线槽直线且垂直地伸展的裂纹(例如，参照专利文献3)。另外，提出了下述制造方法，在该方法中，在与形成有划线槽的面相反侧的面上，对半导体衬底进行蚀刻而设置凹部(例如，参照专利文献4) ο
[0004]专利文献1:日本特开2012 - 9517号公报
[0005]专利文献2:日本专利第5151400号公报
[0006]专利文献3:日本专利第4862965号公报
[0007]专利文献4:日本特开2001 - 284293号公报
[0008]现有技术中的前提是，在使解理刀按压并抵接于与形成有划线槽的面相反侧的面时，划线槽和解理刀的位置要处于正对。但是，由于解理刀的磨损或者位置控制的精度的不同，有时划线槽和解理刀的位置偏移。由此，存在实际的解理相对于解理目标位置偏移的问题。
[0009]另外，在对半导体衬底进行蚀刻而设置凹部的方法中，在半导体芯片的电极附近形成凹部。在为了将半导体和电极进行欧姆接合而在晶圆制造的最终工序中实施高温下的热处理工序时，在凹部处露出的半导体衬底被暴露于高温环境中。例如在半导体衬底为InP的情况下，InP在高温环境下分解，分解出的In迁移或者向气氛中扩散等，从而附着在电极表面。并且，附着在电极表面的In在大气中成为In氧化物，存在使电极和与其接合的金配线之间的密接性恶化的问题。另外，还存在下述问题，即，额外需要对半导体进行蚀刻而形成凹部的工序。
【发明内容】
[0010]本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于，得到一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法不依赖于解理刀的位置控制的精度，能够相对于解理目标位置实现高位置精度的解理。
[0011]本发明所涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具有下述工序:在具有彼此相对的第I及第2主面的半导体衬底的所述第I主面形成多个电极的工序；在所述半导体衬底的所述第I主面形成解理引导图案的工序，其中，该解理引导图案覆盖位于所述多个电极之间的解理目标位置，在所述解理目标位置处具有凹部，该解理引导图案由与所述半导体衬底不同的材质构成；在所述半导体衬底的所述第2主面，在与所述解理目标位置相对的位置处形成划线槽的工序；以及使解理刀按压抵接于形成有所述划线槽和所述解理引导图案的所述半导体衬底的所述第I主面，将所述半导体衬底解理的工序。
[0012]发明的效果
[0013]通过本发明，不依赖于解理刀的位置控制的精度，能够相对于解理目标位置实现高位置精度的解理。
【附图说明】
[0014]图1是表示本发明的实施方式I所涉及的半导体装置的制造方法的俯视图。
[0015]图2是表示本发明的实施方式I所涉及的半导体装置的制造方法的斜视图。
[0016]图3是表示本发明的实施方式I所涉及的半导体装置的制造方法的斜视图。
[0017]图4是表示本发明的实施方式I所涉及的半导体装置的制造方法的斜视图。
[0018]图5是表示本发明的实施方式I所涉及的半导体装置的制造方法的剖面图。
[0019]图6是表示本发明的实施方式I所涉及的半导体装置的制造方法的斜视图。
[0020]图7是表示本发明的实施方式I所涉及的半导体装置的制造方法的剖面图。
[0021]图8是表示本发明的实施方式I所涉及的半导体装置的制造方法的俯视图。
[0022]图9是表示对比例所涉及的半导体装置的制造方法的剖面图。
[0023]图10是表示对比例所涉及的半导体装置的制造方法的俯视图。
[0024]图11是表示本发明的实施方式2所涉及的半导体装置的制造方法的剖面图。
[0025]图12是表示本发明的实施方式2所涉及的半导体装置的制造方法的剖面图。
[0026]图13是表示本发明的实施方式3所涉及的半导体装置的制造方法的剖面图。
[0027]标号的说明
[0028]2半导体衬底，4解理刀，5电极，6解理目标位置，7划线槽，8解理弓丨导图案，9凹部
【具体实施方式】
[0029]参照附图，对本发明的实施方式所涉及的半导体装置的制造方法进行说明。对于相同或者对应的结构要素，标注相同的标号，有时省略重复说明。
[0030]实施方式I
[0031]图1、8是表示本发明的实施方式I所涉及的半导体装置的制造方法的俯视图，图
2- 4、6是表示其制造方法的斜视图，图5、7是表示其制造方法的剖面图。
[0032]在如图1所示将晶圆I形成为块状的半导体衬底2后，如图2所示，使用底座刃
3(狭缝)和解理刀4，将块状态的半导体衬底2解理为条状态。在从该块状态向条状态的解理时应用本实施方式。但是，即使应用于从条状态向芯片状态的解理时，也能够得到相同的效果。
[0033]首先，在晶圆I的状态下，在具有彼此相对的第I及第2主面的半导体衬底2的第I主面，形成多个电极5。半导体衬底2的材质是InP或者GaAs等。然后，在半导体衬底2的第I主面形成解理引导图案8。然后，在由解理引导图案8覆盖解理目标位置6的状态下进行热处理，使半导体衬底2和多个电极5进行欧姆接合。然后，将晶圆I形成为块状的半导体衬底2。
[0034]在这里，解理引导图案8在解理目标位置6处具有凹部9，并覆盖解理目标位置6。凹部9的剖面形状是矩形。解理引导图案8由与半导体衬底2不同的材质构成，具体地说，是二氧化硅或者氮化硅等绝缘体、单体或合金的金属、金属氧化物中的某一种。
[0035]随后，如图3所示，在半导体衬底2的与第I主面相反侧的第2主面，在与位于多个电极5之间的解理目标位置6相对的位置处，形成划线槽7。然后，如图4、5所示，在底座刃3上配置半导体衬底2，在半导体衬底2上配置解理刀4。
[0036]然后，如图6?8所示，