具有不同bvcbo的npn器件的集成制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种具有不同BVCBO的NPN器件的集成制造方法。
【背景技术】
[0002]在0.35B⑶的工艺中，NPN型BJT的集电极是由n_外延层Gpi)和N型埋层(NBL)组成。如图1所示，是现有NPN器件的结构示意图，在硅衬底101上形成有N型埋层102以及P型埋层103，在形成有埋层102和103的硅衬底101上形成有N-外延层104。在一个NPN器件区域中，采用N-外延层104作为集电区，集电区底部和N型埋层102相连，在N型埋层102的顶部形成有和其接触的N型下沉层(NSINK) 109 ;在集电区的顶部形成有P型基区105，在所述P型基区105顶部表面形成有N+区107a组成的发射区107a，在发射区107a顶部引出发射极；基区105顶部表面形成有P+区108a，通过P+区108a引出基极；在N型下沉层109的顶部表面形成有N+区107b，通过N+区107b引出集电极。在N-外延层104的表面形成有场氧隔离层106，场氧隔离层106能为局部场氧隔离层(LOCOS)或浅沟槽隔离(STI)，场氧隔离层106用于在N-外延层104的表面隔离出有源区。在整个NPN器件的周侧形成有隔离结构，用于实现NPN器件之间的隔离，隔离结构包括围绕在N型埋层102周侧的P型埋层103，在P型埋层103顶部的形成有和其接触的P阱110，在P阱110的顶部表面P+区108b，由P+区108b引出隔离电极。
[0003]由于现有NPN器件的集电极通过N-外延层104、N型埋层102、N型下沉层(NSINK) 109和N+区107b引出，所以器件的BVCBO等击穿电压和N型埋层102的浓度有较高的相关性，也即通过调节N型埋层102的掺杂浓度可以调节NPN器件的BVCBO，BVCBO为发射极开路时集电极与基极间的击穿电压。通常在现有工艺平台上，N型埋层102的浓度由一次离子注入和后续的高温推进所决定。所以如果要在同一硅衬底101上集成具有不同BVCBO的NPN器件的话，每增加一种BVCBO的NPN器件，就必须加一道光刻步骤来调整N型埋层102的浓度以满足不同的BVCB0，由于光刻次数越多成本越高，所以现有集成具有不同BVCBO的NPN器件的方法会大大增加了工艺成本。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是提供一种具有不同BVCBO的NPN器件的集成制造方法，不需要增加光刻层次就能集成具有不同BVCBO的NPN器件，能降低工艺成本。
[0005]为解决上述技术问题，本发明提供的具有不同BVCBO的NPN器件的集成制造方法，包括如下步骤:
[0006]步骤一、在硅衬底上定义出具有不同BVCBO的NPN器件的形成区域；采用光刻工艺定义出各所述NPN器件的N型埋层的离子注入光刻胶图形，各所述NPN器件的形成区域的所述离子注入光刻胶图形包括全部打开结构、栅型结构或者网格结构。
[0007]所述全部打开结构为对应的所述NPN器件的形成区域的光刻胶全部被去除。
[0008]所述栅型结构为对应的所述NPN器件的形成区域的光刻胶包括多个第一去除部分和多个第一保留部分、且所述第一去除部分和所述第一保留部分分别呈条状结构且交替排列。
[0009]所述网状结构为对应的所述NPN器件的形成区域的光刻胶包括多个第二去除部分和多个第二保留部分、且所述第二去除部分和所述第二保留部分分别呈块状结构，且所述第二去除部分和所述第二保留部分在二维面的两个垂直的轴上分别呈交替排列。
[0010]步骤二、以所述离子注入光刻胶图形为掩膜，采用同一次N型离子注入形成各所述NPN器件的N型埋层；各所述N型埋层的图形结构和对应的所述离子注入光刻胶图形相同，所述光刻胶被去除的地方被注入N型离子、所述光刻胶保留的地方N型离子未注入到所述硅衬底中。
[0011]步骤三、去除所述离子注入光刻胶图形，对各所述NPN器件的N型埋层进行退火推进；退火推进后，所述栅型结构或者所述网格结构所定义的所述N型埋层的注入N型离子区域的N型离子扩散到未被注入N型离子区域中从而使对应的所述N型埋层连接成一全部区域N型掺杂的整体结构，所述全部打开结构所定义的所述N型埋层退火前后都呈一全部区域N型掺杂的整体结构。
[0012]通过调节所述N型埋层的掺杂浓度调节所述NPN器件的BVCB0，所述N型埋层的掺杂浓度越大、所述NPN器件的BVCBO越小，所述N型埋层的掺杂浓度越小、所述NPN器件的BVCBO越大；步骤二中各所述N型埋层中注入的N型离子越多、退火推进后所对应的所述N型埋层的掺杂浓度越大。
[0013]进一步的改进是，所述栅型结构的各所述第一去除部分的尺寸相同、各所述第一保留部分的尺寸相同，所述栅型结构所定义的所述N型埋层的掺杂浓度由所述栅型结构的各所述第一去除部分和各所述第一保留部分的尺寸和数量定义，由一个所述第一去除部分和一个所述第一保留部分组成的一周期中，所述第一去除部分的宽度越大、所述第一保留部分的宽度越小所述N型埋层的掺杂浓度越大，所述第一去除部分的宽度越小、所述第一保留部分的宽度越大所述N型埋层的掺杂浓度越小。
[0014]进一步的改进是，所述网格结构的各所述第二去除部分的尺寸相同、各所述第二保留部分的尺寸相同，所述网格结构所定义的所述N型埋层的掺杂浓度由所述网格结构的各所述第二去除部分和各所述第二保留部分的尺寸和数量定义；在二维面的两个垂直的轴的每个轴上的由一个所述第二去除部分和一个所述第二保留部分组成的一周期中，所述第二去除部分的宽度越大、所述第二保留部分的宽度越小所述N型埋层的掺杂浓度越大，所述第二去除部分的宽度越小、所述第二保留部分的宽度越大所述N型埋层的掺杂浓度越小。
[0015]进一步的改进是，在步骤三之后，还包括如下步骤:
[0016]步骤四、进行N-外延层生长，对所述N-外延层进行退火推进，在各所述NPN器件形成区域的所述N-外延层作为各所述NPN器件的集电区。
[0017]步骤五、通过光刻和注入在各所述NPN器件的集电区中形成P型掺杂的基区。
[0018]步骤六、通过光刻和注入在各所述NPN器件的所述基区中形成由N+区组成的发射区。
[0019]进一步的改进是，步骤二中所述N型埋层的N型离子注入的注入杂质为Sb或As，注入能量为40kev?200kev,注入剂量为lel4cm 2?lel6cm 2。
[0020]进一步的改进是，步骤三所述N型埋层的退火推进的温度为1100°C?1250°C，时间为30分钟?300分钟。
[0021]进一步的改进是，步骤四中所述N-外延层的厚度为4微米?6微米，电阻率为0.5欧姆.厘米?1.5欧姆.厘米。
[0022]进一步的改进是，步骤四所述N-外延层的退火推进的温度为1000°C?1200°C，时间为30分钟?150分钟。
[0023]本发明通过埋层是通过离子注入加推进扩散两步工艺形成的特性，在离子注入工艺中对离子注入区域进行定义，在形成埋层的区域中通过定义全部打开结构、栅型结构或者网格结构的离子注入光刻胶图形，使得离子注入后注入到埋层区域中的离子总量分别不同，而注入离子总量不同的埋层通过推进扩散后形成一个全部区域N型掺杂的整体结构，根据注入离子总量的不同扩散后的埋层的掺杂浓度也就不同；所以本发明仅需对埋层离子注入的光刻版进行设置，采用一次光刻和一次离子注入就能同时制造具有不同掺杂浓度的埋层，而埋层的掺杂浓度不同使得对应的NPN器件的BVCBO也不同，所以本发明不需要增加光刻层次就能集成具有不同BVCBO的NPN器件，能大大降低工艺成本。
【附图说明】
[0024]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明:
[0025]图1是现有NPN器件的结构示意图；
[0026]图2是本发明实施例方法流程图；
[0027]图3A-图3D是本发明实施例方法各步骤中器件结构图；
[0028]图4是本发明实施例方法所采用的网格结构的N型埋层的离子注入光刻胶图形。
【具体实施方式】
[0029]如图2所示，是本发明实施例方法流程图；如图3A至图3D所示，是本发明实施例方法各步骤中器件结构图；本发明实施例具有不同BVCBO的NPN器件的集成制造方法包括如下步骤:
[0030]步骤一、如图3A所示，在硅衬底I上定义出具有不同BVCBO的NPN器件的形成区域；采用光刻工艺定义出各所述NPN器件的N型埋层的离子注入光刻胶图形2，各所述NPN器件的形成区域的所述离子注入光刻胶图形2包括全部打开结构、栅型结构或者网格结构。
[0031]所述全部打开结构为对应的所述NPN器件的形成区域的光刻胶全部被去除。所述全部打开结构位于如虚线框3a所示区域中。
[0032]所述栅型结构为对应的所述NPN器件的形成区域的光刻胶包括多个第一去除部分和多个第一保留部分、且所述第一去除部分和所述第一保留部分分别呈条状结构且交替排列。
[0033]所述网状结构为对应的所述NPN器件的形成区域的光刻胶包括多个第二去除部分和多个第二保留部分、且所述第二去除部分和所述第二保留部分分别呈块状结构，且所述第二去除部分和所述第二保留部分在二维面的两个垂直的轴上分别呈交替排列。
[0034]所述栅型结构或者所述网格结构在沿一个轴上的剖面图相同，都能参考如虚线框3b所示区域中，标记2a对应于所述第一去除部分或所述第二去除部分，标记2b对应于所述第一保留部分或所述第二保留部分。
[0035]如图4所示，是本发明实施例方法所采用的网格结构的N型埋层的离子注入光刻胶图形，可见所述第二去除部分2a和所述第二保留部分2b都呈块状结构且在二维面上交替排列。
[0036]步骤二、如图3A所示，以所述离子注入光刻胶图形2为掩膜，采用同一次N型离子注入形成各所述NPN器件的N型埋层4a和4b ;较佳为，所述N型埋层的N型离子注入的注入杂质为Sb或As,注入能量为40kev?200kev,注入剂量为IeHcnT2?lel6cnT2。
[0037]各所述N型埋层的图形结构和对应的所述离子注入光刻胶图形2相同，N型埋层4a的图形和所述全部打开结构的所述离子注入光刻胶图形2相同，N型埋层4b的图形顶部对应的所述栅型结构或者所述网格结构的所述离子注入光刻胶图形2相同。所述光刻胶被去除的地方被注入N型离子、所述光刻胶保留的地方N型离子未注入到所述硅衬底I中，也即N型埋层4a的全部区域中都注入了 N型离子，而N型埋层4b中区域4c中注入了 N型离子、区域4d中没有注入N型离子。
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