气体放电管的气体配方的利记博彩app
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种气体放电管，具体涉及一种快速反应、低残压气体放电管的气体 配方。
【背景技术】
[0002]目前，气体放电管作为过压过流防护器件，广泛应用于通信，CATV，铁路，路由器， 家用电视机顶盒等等设备中，以免这些设备受到雷击或者其它过压，过流冲击时出现故障。 气体放电管相对于其它防护器件（例如压敏电阻，TVS等）的优点就是同体积产品通流量 大，电容小，（特别是在高频网络传输中，电容越小网络延时越少），但其缺点也很明显，反 应速度慢，导致残压过高，现有解决方案是气体放电管与压敏电阻串联，但这个方案不仅增 加成本，也同时增加电路板体积，不利于设备小型化。此外，当氢气在气体一定比例后，工艺 上就会存在一个缺陷，就是在生产气体放电管过程中，气压极低，无法批量生产。本发明在 原有气体放电管使用单一氩气的前提下，经过引入氖气，氢气，氮气，充分利用不同气体的 特性，达到让气体放电管快速放电，残压低的目的。
【发明内容】
[0003] 针对现有气体放电管使用的气体单一情况，本发明提供一种新的气体配方来提高 气体放电管的放电速度和降低残压。
[0004] 本发明采取的技术方案是：一种气体放电管的气体配方，其组分包括氖气，氩气， 氢气和氮气，其中各组分的体积占比为：氖气32?37%，氩气25?30%，氢气28?33%， 氮气5?10%。
[0005]优选的，所述各组分的体积占比为：氖气35%，氩气30%，氢气30%，氮气5%。
[0006]优选的，所述各组分的体积占比为：氖气33%，氩气28%，氢气32%，氮气7%。
[0007] 优选的，氖气37%，氩气25%，氢气28%，氮气10%。
[0008] 优选的，所述氖气，氩气，氢气和氮气需要同时充入气体放电管的炉腔。
[0009] 本发明的有益效果是：使用了一种混合气体，有效提高了气体放电速度，降低了残 压。并组合出最优的氖气，氩气，氢气，氮气组合，不仅满足快速反应残压低的要求，同时也 完全适合量产。
【附图说明】
[0010] 图1是本发明和常规产品的残压对比表。
[0011] 其中：纵坐标为残压，横坐标为气体放电管不同产品规格电压值。
【具体实施方式】
[0012] 下面结合附图对本发明作进一步说明。
[0013] -种气体放电管的气体配方，其组分包括氖气，氩气，氢气和氮气，其中各组分的 体积占比为：氖气32?37%，氩气25?30%，氢气28?33%，氮气5?10%。
[0014] 如图1所示，在气体放电生产环节中使用氖气32?37%，氩气25?30%，氢气 28?33%，氮气5?10% (体积比）的混合气体取代100 %的纯氩气，同时这4种气体需 要同时充入生产气体放电管的炉腔，这样气体才会相对均匀，而后进行封接，降温等正常气 体放电管生产工艺，这样做的气体放电管产品不仅满足快速反应残压低的要求，同时也完 全适合量产。满足行业GB9043和IEC61643的要求，也能满足现有各类保护设备低残压要 求。
[0015] 实施例一
[0016] 在气体放电管生产环节中，向气体放电管炉腔内同时充入各组分体积占比为：氖 气35%，氩气30%，氢气30%，氮气5%的混合气体。经测试获得：使用这上述比例的气体 放电管，其放电速度比常规产品快，残压比常规产品低。本发明与常规产品残压比较如下：
[0017]
【主权项】
1. 一种气体放电管的气体配方，其特征在于：其组分包括氛气，氣气，氨气和氮气，其 中各组分的体积占比为；氛气32?37%，氣气25?30%，氨气28?33%，氮气5?10%。
2. 根据权利要求1所述的气体放电管的气体配方，其特征在于；所述各组分的体积占 比为；氛气35%，氣气30%，氨气30%，氮气5%。
3. 根据权利要求1所述的气体放电管的气体配方，其特征在于；所述各组分的体积占 比为；氛气33%，氣气28%，氨气32%，氮气7%。
4. 根据权利要求1所述的气体放电管的气体配方，其特征在于：氛气37%，氣气25%，氨 气28%，氮气10%。
5. 根据权利要求1所述的气体放电管的气体配方，其特征在于：所述氛气，氣气，氨气 和氮气需要同时充入气体放电管的炉腔。
【专利摘要】本发明公开了一种气体放电管的气体配方，其组分包括氖气，氩气，氢气和氮气，其中各组分的体积占比为：氖气32~37%，氩气25~30%，氢气28~33%，氮气5~10%。本发明组合出最优一个氖气，氩气，氢气，氮气的组合，同时这4种气体需要同时冲入生产气体放电管炉腔，这样气体才会相对均匀，而后进行封接，降温等正常气体放电管的生产工艺，这样做的气体放电管产品不仅满足快速反应残压低的要求，同时也完全适合量产。
【IPC分类】H01J7-06
【公开号】CN104576260
【申请号】CN201510002642
【发明人】何才云
【申请人】江苏东光电子有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2015年1月5日