专利名称：制造半导体器件的方法
技术领域：
本发明涉及一种制造半导体器件的方法，特别涉及一种特征在于清洗步骤的制造半导体器件的方法。
包括DRAM和MPU的LSI的集成度日益增大，随着集成度的增大，设计规则减小，布线趋于形成多层结构。由于多层互连结构的发展，平面化层绝缘膜的CMP(化学机械抛光)技术被引入0.35μm逻辑LSI的制造中，以便确保曝光系统的聚焦裕度。化学机械抛光(CMP)是利用磨料中所含的化学成分的化学蚀刻作用和磨料原本具有的机械抛光作用进行抛光的。用于LSI制造工艺的CMP技术包括平面化CMP和凹式CMP；平面化CMP技术通过抛光淀积于如晶体管、布线等器件台阶上的BPSG、SiO2等绝缘膜平面化器件；而凹式CMP技术，在形成于器件上的孔或沟槽中掩埋SiO2等绝缘膜或多晶硅、Al、Cu、W等金属膜，并通过抛光除去淀积于除孔或沟槽部分外的那些部分上的淀积膜，由此形成掩埋的元件隔离、沟槽电容、接触塞或镶嵌布线。与迄今为止已采用的SOG平面化技术和深腐蚀平面化技术相比，此两项技术的特征在于能够实现整体平面化。
在这种情况下，认为可以采用层间绝缘膜平面化CMP技术和常规布线形成技术来制造0.25μm和更大规则而不是0.18μm和更小规则的LSI，因为如布线材料的腐蚀技术和电迁移电阻的保障方面的局限等因素的缘故，对于形成多层布线来说，由利用金属CMP技术的双镶嵌形成的掩埋布线结构将变得很重要。
下面将参照图26至32介绍利用金属CMP的双镶嵌技术的掩埋布线形成方法。
图26中，参考数字1表示p型半导体衬底，2表示n型阱，3表示高浓度p+型源极，4表示高浓度p+型漏极，5表示栅极，增大晶体管耐压的低浓度p型电场衰减区为3’，4’，围绕源极3和漏极4形成。数字6表示用于元件隔离的选择氧化区。
然后，如图27所示，用CVD法或TEOS法淀积NSG(非掺杂玻璃)7，此后通过CMP抛光和平面化此NSG7。这里所用的CMP是利用砂布和如利用熏制(fumed)硅石的SC-1等硅石型抛光液的抛光，所用砂布是一种层叠制品，包括如常用于层间绝缘膜的CMP的IC-1000等泡沫布和无纺纤维布。然后，淀积p型SiN(利用等离子增强CVD工艺形成的氮化硅膜)8，此后淀积p型SiO(利用等离子增强CVD工艺形成的氧化硅膜)9。
接着，如图28所示，通过抗蚀剂构图和干法蚀刻在p型SiO9中形成布线图形10。在干法蚀刻时，p型SiN8用作蚀刻停止层，由此布线图形10可以形成于一稳定基底上。然后通过抗蚀剂构图和干法蚀刻形成接触图形11。
随后，如图29所示，淀积布线材料12。这里，淀积布线材料12的方法可以选用各种方法，其中，考虑到生产成本、可靠性和器件特性的加强等，有效的是Al-或Cu-基金属材料的溅射回流法。提高可靠性和回流特性的有效途径是在利用溅射回流的上述淀积之前，形成一层阻挡金属层，如Ti/TiN，作为底层。
接着，如图30所示，进行金属的CMP，抛光和平面化布线材料12，由此形成掩埋布线13。上面介绍了利用双镶嵌法形成掩埋布线的方法。如图31和32所示，利用类似的方法可以形成第二层布线13’和第三层布线13”，由此得到进一步的多层布线结构。
如上所述，CMP抛光对于平面化来说是有效的，但还有些问题待改进。其一是CMP后的清洗问题。由于CMP步骤自身是用称作抛光液的磨料机械处理晶片表面的抛光步骤，CMP后，抛光液中的磨料颗粒及抛光步骤中产生的碎片和副产物会附着于晶片表面上。必须进行清洗除去这些东西。由于布线材料是Al-或Cu-基金属，所以，利用酸或碱的化学清洗存在着发生侵蚀的问题，所以几乎不能用。而只用纯水清洗无法获得满意的清洁度。至于用纯水和PVA海绵或马海毛刷进行物理清洗的擦洗法，由于布线材料是软金属材料，附着在晶片表面上的灰尘颗粒会在布线材料表面上形成称作划伤的细伤痕，这会造成可靠性问题，例如电迁移。
除上述方法之外，还提出了例如利用低金属腐蚀性的场离子水(field-ionized-water)的清洗法(H.Aoki，等人，1994 VLSI TechnicalDig.，p79(1994))，但现在的情况是用此方法仍无法完全去掉附着于晶片表面上的磨料颗粒。
本发明的一个目的是提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括在形成导电材料膜后，能够高清洁度地稳定清洗导电材料膜表面且不发生侵蚀和划伤的步骤。
本发明的另一目的是提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤在衬底上形成导电材料膜；抛光导电材料膜；并清洗所述导电材料膜的抛光表面；其中所述清洗步骤在物理清洗之前利用超声波作用于其上的清洗液进行超声清洗。
根据本发明，在物理清洗之间，抛光的导电材料膜表面利用超声波作用于其上的清洗液进行清洗，由此可以有效地去除由于抛光产生的碎片和抛光液的磨料颗粒。由此方法，可以高清洁度地、不产生划伤或只有很少划伤地清洗用于形成布线、电极等的导电材料膜。根据所述本发明制造半导体器件的方法可以提供一种具有导电材料部件的半导体器件，该器件具有极平坦的表面，且没有划伤，可靠性极佳。
图1是本发明制造半导体器件的方法的第一实施例的示意图；图2是本发明制造半导体器件的方法的第一实施例的示意图；图3是本发明制造半导体器件的方法的第一实施例的示意图；图4是本发明制造半导体器件的方法的第一实施例的示意图；图5是本发明制造半导体器件的方法的第一实施例的示意图；图6是本发明制造半导体器件的方法的第一实施例的示意图；图7是本发明制造半导体器件的方法的第一实施例的示意图；图8是金属CMP后的Al表面的SEM照片；图9是图8的放大照片；图10是Al表面上的划伤的光学显微镜照片；图11是显示兆声(megasonic)清洗效果的晶片-rpm关系的实验结果曲线图12是兆声清洗后Al表面的SEM照片；图13显示的是兆声清洗后0.3μm和更大灰尘颗粒的测量结果；图14是第一实施例的清洗后Al表面的SEM照片；图15是频率与超声波作用于其上的清洗液的清洗能力的关系曲线图；图16是本发明制造反射式液晶显示器件的方法的示意图；图17是本发明制造反射式液晶显示器件的方法的示意图；图18是本发明制造反射式液晶显示器件的方法的示意图；图19是本发明制造反射式液晶显示器件的方法的示意图；图20是本发明制造反射式液晶显示器件的方法的示意图；图21是本发明制造反射式液晶显示器件的方法的示意图；图22是本发明制造反射式液晶显示器件的方法的示意图；图23是本发明制造反射式液晶显示器件的方法的示意图；图24是本发明制造反射式液晶显示器件的方法的示意图；图25是本发明制造反射式液晶显示器件的方法的示意图；图26是根据常规实例制造半导体器件的方法的示意图；图27是根据常规实例制造半导体器件的方法的示意图；图28是根据常规实例制造半导体器件的方法的示意图；图29是根据常规实例制造半导体器件的方法的示意图；图30是根据常规实例制造半导体器件的方法的示意图；图31是根据常规实例制造半导体器件的方法的示意图；图32是根据常规实例制造半导体器件的方法的示意图；图33是展示清洗设备的构造的示意图。
根据本发明的制造半导体器件的方法包括以下步骤在衬底上形成导电材料膜；抛光导电材料膜；并清洗所述导电材料膜的抛光表面，其中，所述清洗步骤在物理清洗之前进行利用超声波作用于其上的清洗液的清洗。
本发明的“导电材料”是指半导体工业领域中一般用作布线材料或电极材料的任何材料。
导电材料的具体实例有用作布线金属、阻挡层金属、紧密配合的金属、接触金属、缓冲金属等的Al、Au、Cr、Mo、Pt、Ti、Pt和多晶硅，或它们的合金，用作透明电极的ITO(氧化铟锡)等等。
形成这些导电材料膜的方法选自溅射、真空汽相淀积、CVD(化学汽相淀积)等，但并不限于此。
导电材料膜的抛光方法可以根据膜的特性和其应用适当地选取，但可用方法中优选化学机械抛光(CMP)。
这里可用的化学机械抛光(CMP)的实例可以通过利用磨料和砂布的机械抛光除去磨料中所含化学成分与抛光的样品表面间的化学反应产生的反应产物。此CMP工艺包括以下步骤将待抛光的样品安装于可旋转的抛光头上；然后，在待抛光的样品表面压到旋转着的压磨板(磨板)上后进行抛光。抛光盘(砂布)附着于压磨板的表面上，抛光借助于附在此抛光盘上的抛光液(磨料)进行。
可用的砂布实例最好是可以从Rodel Inc买到的Supreme RN，和连续的泡沫绒面型布(continuous foam suede type cloth)，例如可从FujimiCorporation买到的Surfin IV-1。可用的抛光液实例最好是高分散性的胶态硅石基抛光液，其磨料颗粒的主颗粒尺寸和二次颗粒尺寸不大于100nm，例如可从Fujimi Corporation买到的PLANERLITE-5102，或氧化铝基抛光液，例如可从Rodel Inc.买到的XJFW-8099等等。
可用于本发明的超声清洗方法最好是以1000-2500rpm旋转要清洗的物体(清洗物)，并从摆动喷嘴向清洗物体释放其上作用了超声波的纯水，以清洗要清洗物体。所加超声波的频率较好是不小于800kHz，考虑到清洗物体的损伤，频率最好选为大于等于1Mkz，小于等于3Mkz。
在本发明中，“物理清洗”是指不同于化学清洗的普通物理清洗。物理清洗的具体实例包括毛刷擦洗，高压喷射清洗等等。毛刷擦洗一般按以下方式进行。清洗物体旋转，清洗液(纯水、表面活性剂等)提供到清洗物体上，同时，旋转的毛刷在清洗物体上移动，由此物理地除去沉积于清洗物体上的颗粒。制刷材料的典型实例有马海毛、海绵、尼龙、山羊毛等等。其中，可用的较好是马海毛刷和海绵刷(例如PVA(聚乙烯醇)海绵刷)。高压喷射清洗法通过一个喷嘴尖将由泵加压至约50-100kgf/cm2的纯水喷射到清洗物体的表面上。这种清洗方法也是在旋转清洗物体并摆动喷嘴的同时进行的。
下面说明作为本发明典型实施例的半导体器件的多层互连工艺和制造反射式液晶显示器件的工艺。尽管以下对工艺的说明是利用半导体衬底进行的，但衬底并不限于半导体衬底。例如，衬底可以是SOI(绝缘体上的硅)衬底或透明衬底。
该多层互连工艺可以应用于制造例如DRAM的存储元件和例如MPU或ASIC等逻辑元件的工艺。
在以下的说明中，所有形成液晶显示器件的有源矩阵衬底的开关元件皆为MOSFET型，但也可以是二极管型、双极晶体管型或TFT型。
反射型液晶显示器件可以有效地用作如家用电视机、投影仪、头戴式显示器、视频会议系统或飞机的显示屏等显示器件。
第一实施例图1至7是本发明半导体器件的多层互连结构制造方法的示意图。图1中，参考数字1表示p型半导体衬底，2是n阱，3是高浓度p+源极，4是高浓度p+漏极，5是栅极。围绕着源极3和漏极4形成有增大晶体管耐压的低浓度p-型电场衰减区3’，4’。顺便提及，电场衰减区3’，4’的位移量较好为0.5-2.0μm。数字6表示用于元件隔离的选择氧化区。
然后，如图2所示，用CVD或TEOS法淀积NSG(非掺杂玻璃)7，然后通过CMP抛光和平面化此NSG7。这里，NSG7的CMP较好利用砂布和如SC-1(可以从Cabot INC.买到)等硅石基抛光液，所述砂布是例如一般用于层间绝缘膜的CMP的IC-1000(可从Rodel Inc.买到)等泡沫布和无纺纤维布的层叠制品。然后，淀积p型SiN(等离子CVD法形成的氮化硅膜)8和p型SiO(等离子CVD法形成的氧化硅)9。由于p型SiN8用作构图p型SiO9的腐蚀停止层，所以p型SiN8的厚度定为不小于500埃。由于p型SiO9的厚度定为Al布线的厚度，所以p型SiO9的厚度必须等于或大于器件的Al布线的必要厚度。
然后，如图3所示，通过抗蚀剂构图和干法蚀刻，按布线图形10构图p型SiO9。这里所用干法蚀刻的条件如下蚀刻气体流速CF4/CHF3＝50ccm/10ccm；总压力1000mTorr；功率750W。此时p型SiN8的蚀刻选择率为p型SiO蚀刻速率/p-SiN蚀刻速率＝2.2。随后，通过抗蚀剂构图和干法蚀刻形成接触图形11。这里，接触的蚀刻过程中要蚀刻的层间膜是不同的膜p型SiN8和NSG7的层叠膜，所以干法蚀刻为两步蚀刻。蚀刻p型SiN8的第一步蚀刻的条件为蚀刻气体流速CF4/CHF3＝100ccm/20ccm，总压力1700mTorr，功率750W；蚀刻NSG 7和栅氧化膜的第二步蚀刻的条件为蚀刻气体流速CF4/CHF3＝50ccm/10ccm，总压力1000mTorr，功率750W。
然后，淀积布线材料12，如图4示。一般情况下，布线材料12是如AlSi、AlCu或AlSiCu等金属材料中的一种。在利用溅射回流技术作为这些材料的淀积方法进行接触孔11的掩埋时，可以有效提高器件的可靠性。如果在溅射回流之前，提供阻挡金属Ti/TiN作为基层，则接触电阻会减小，AlSi等布线材料的回流特性将会改善，所以有利于接触孔11的掩埋。掩埋接触孔11的另一有效方法是利用选择性CVD钨。然后通过金属CMP抛光和平面化布线材料12，并只留下布线图形10和接触孔11中的布线材料，由此形成掩埋布线13(图5)。在这种情况下，利用可以从FujimiCorporation买到的Surfin IV-1砂布，用可以从Fujimi Corporation买到的PLANERLITE-5102抛光液，和用可以从Ebara Corp.买到的CMP设备EPO-114进行抛光。具体的抛光条件如下上部垫圈的负载300gf(克-力)/cm2；载体的转数49rpm；抛光板的转数50rpm；背侧压力100gf/cm2；在尼龙刷的转数为51rpm，其负载为42gf/cm2的条件下进行现场清洗(在进行抛光的同时进行清洗)；抛光液流速100ml/min。在上述条件下抛光Si含量为1wt％的AlSi时，抛光速度可以达到3000埃/min，平面均匀性σ/抛光速度≤5％，并且抛光时不形成划伤。
图8是金属CMP后即刻拍到的Al表面SEM照片。图9是图8的放大SEM照片。显然，在Al表面20上残留有许多磨料颗粒21。Al表面20上无法去掉的颗粒21的平均密度约为200粒/μm2。除无法去掉的颗粒21外，6英寸的晶片上还残留有几千0.3μm和更大的灰尘颗粒。所以，在金属CMP后，必须在清洗步骤中无划伤地去掉这种磨料颗粒和灰尘颗粒。
在利用常用的PVA刷擦洗金属CMP后的Al表面时，在图10的光学显微镜照片中可以看到许多划伤22。一般认为清洗前便存在于Al表面上的较大颗粒或聚集的颗粒是引起划伤的因素。所以，在物理擦洗表面的毛刷清洗之前，必须利用物理的非接触式技术清洗掉会导致划伤的灰尘颗粒或磨料颗粒。
本发明者利用加有高频振荡的纯水流对要清洗晶片的表面进行兆声清洗。兆声纯水清洗条件如下所述，由设置于喷嘴中的振荡器对速度为1l/min流过直径为6mmΦ的喷嘴尖的纯水施加振荡频率为1.5MHz、功率为48W的振荡。已证实，利用兆声清洗的Al表面上的磨料颗粒的清洗效果取决于清洗时晶片的转数，如图11所示。图11中所示的0mm、30mm、和60mm表示从晶片中心到测量点的距离，兆声清洗的条件为扫掠速度10mm/秒，扫掠数20。从图11可知，兆声清洗时晶片的转数较好不小于1500rpm，最好不小于2000rpm。图33是显示清洗装置构形的示意图。如图33所示，释放清洗液的喷嘴51可以在晶片52上部移动。箭头53表示喷嘴的移动方向。
下面检测的是清洗水振荡频率与Al表面上磨料颗粒的清洗效果的关系曲线图。结果示于图15中。在此检测中，在以下条件下进行测量，清洗时晶片的转数为2000rpm，清洗水喷嘴的扫掠速度为10mm/秒，喷嘴的扫掠数为20，并且频率是变化的。从此图中可知，在清洗水上所加的振荡频率变到800kHz时开始显示出去掉附着于Al表面上的颗粒的效果，并在频率达到MHz数量级时，表现出极好的清洗效果。
一般情况下，利用从几十kHz到约400kHz的低频率范围的清洗技术，通过液体共振产生的液体涡凹对衬底表面施加很强的冲击波，由此去掉衬底表面上的几微米到几十微米尺寸的灰尘颗粒。这种清洗方法的问题在于这种液体涡凹产生的冲击会损伤微细图形。因此，不能用于4M-DRAM以后的半导体工艺。本发明者的检测中，已构图的Al在80kHz和400kHz发生剥离。另一方面，在不小于800kHz的高频率没有发现图形损伤。
考虑到上述清洗效果和图形损伤，有效的是采用不小于800kHz的频率清洗附着于Al表面上的磨料颗粒。应该理解，此频率较好确定为大于等于1MHz，且小于等于3Mhz。
接着，在以下条件下清洗Al表面，频率为1.5MHz，晶片转数为2000rpm，喷嘴扫掠速度为10mm/秒，且喷嘴扫掠数为20。结果，可将Al表面上的颗粒清除到使其密度低达30粒/μm2。图12示出了上述条件下清洗后的Al表面的SEM照片。图12中从晶片中心到测量点的距离为30mm。在此照片中数字20’表示Al表面，21’表示磨料颗粒。对于6英寸晶片来说，可以清除到其上只残留有约几十个0.3μm和更大的灰尘颗粒。图13显示的是利用可以从Hitachi Ltd.买到的颗粒检测设备IS-3270对0.3μm和更大的颗粒的检测结果。在上述兆声清洗中，晶片背面一直保持处于纯水冲淋的湿状态下。
然后，在兆声清洗后，同时用笔型PVA海绵对Al表面和用滚型PVA海绵对晶片背面进行毛刷擦洗。清洗条件如下。对于Al表面，笔型PVA海绵的压量(pressing mount)为1mm，海绵的转数为60rpm，晶片的转数为100rpm，笔型PVA海绵的扫掠速度为10mm/秒，扫掠数为3。对于晶片背面，滚式海绵的压量(pressing mount)为1mm，转数为100rpm，清洗时间为60秒。另外，在毛刷擦洗后再进行一次兆声清洗。清洗条件与上述的兆声清洗条件很相象，只是喷嘴的扫掠数为3。此后，在晶片的转数为2300rpm的条件下对晶片进行30秒的甩干。图14示出了上述清洗操作后所得的Al表面的SEM照片。照片中，数字20”表示Al表面。可以看出，很干净地去掉了磨料和灰尘颗粒。
接着，如图6所示，连续淀积叠置的第二层p型SiN8’和第二层p型SiO9’，然后，用与参照图3至图5说明的双镶嵌法相同的方法形成第二层掩埋布线13’。然后利用相同的技术形成第三层掩埋布线13”，如图7所示，此图中，8”表示第三层p型SiN，9’表示第三层p型SiO。无需说，此后可以利用类似的双镶嵌技术形成第四掩埋布线等。每层掩埋布线的材料也可以选自如Ag、Au、Pt、Cr、或Cu等高导电材料。
在本实施例中，在双镶嵌工艺的金属CMP后，对形成掩埋布线后带有暴露金属的晶片表面进行以下清洗。在完成抛光后，首先对表面进行超声清洗，然后利用PVA海绵或马海毛刷进行擦洗，并进一步进行兆声(超声)清洗。此后，旋转甩干晶片。然而，应该注意的是，本发明的要点是在物理清洗之前进行超声清洗，但是本发明并不限于这里说明的实施例。
上述擦洗的清洗效果还可以通过在多次不同的清洗单元中进行多次清洗工艺得以加强。通过采用上述清洗程序，可以实现极高的清洁度，且布线材料和整个晶片表面上没有划伤，所以可以高成品率地提供高可靠性的半导体器件。
第二实施例下面参照图16至25说明将本发明应用于制造反射型液晶显示器件的有源矩阵衬底的应用的实例。
图16中，数字1表示p型半导体衬底，2为n阱，3为高浓度p+源极，4为高浓度p+漏极，5为栅极。用于增大晶体管耐压的低浓度p-型电场衰减区3’，4’围绕着源极3和漏极4形成。顺便提及，电场衰减区3’，4’的位移量较好为0.5-2.0μm。数字6表示用于元件隔离的选择氧化区。
然后，如图17所示，CVD或TEOS法淀积NSG(非掺杂玻璃)7，并通过CMP抛光和平面化此NSG7。这里，NSG7的CMP较好利用砂布和如利用熏制硅石或胶质硅石等的SC-1等硅石基抛光液，所述砂布例如是一般用于层间绝缘膜的CMP的IC-1000等泡沫布和无纺纤维布的层叠制品。然后，淀积p型SiN(等离子CVD法形成的氮化硅膜)8和p型SiO(等离子CVD法形成的氧化硅)9。由于p型SiN8用作构图p型SiO9的腐蚀停止层，所以p型SiN8的厚度定为不小于500埃。由于p型SiO9的厚度确定Al布线的厚度，所以p型SiO9的厚度必须等于或大于器件必须的Al布线的必要厚度。
然后，如图18所示，通过抗蚀剂构图和干法蚀刻，按布线图形10构图p型SiO9。这里所用干法蚀刻的条件如下蚀刻气体流速CF4/CHF3＝50ccm/10ccm；总压力1000mTorr；功率750W。此时p型SiN8的蚀刻选择率为p-SiO蚀刻速率/p-SiN蚀刻速率＝2.2。随后，通过抗蚀剂构图和干法蚀刻形成接触图形11。这里，接触的蚀刻过程中要蚀刻的层间膜是不同膜p型SiN8和NSG7的层叠膜，所以干法蚀刻为两步蚀刻。蚀刻p型SiN8的第一步蚀刻的条件为蚀刻气体流速CF4/CHF3＝100ccm/20ccm，总压力1700mTorr，功率750W；蚀刻NSG7和栅氧化膜的第二步蚀刻的条件为蚀刻气体流速CF4/CHF3＝50ccm/10ccm，总压力1000mTorr，功率750W。
然后淀积布线材料12，如图19所示。
然后通过金属CMP抛光和平面化布线材料12，并只留下布线图形10和接触孔11中的布线材料，由此形成掩埋布线13(图20)。上述形成掩埋布线层13的方法与第一实施例相同。
完成CMP抛光后，淀积p型SiO30，然后淀积掩蔽层31，如图21所示。可有效用于掩蔽层31的材料较好选自如Ti、Mo、Al、W、Ag、Pt或Cr等金属材料，在该实施例中，淀积2000埃厚的Ti。然后构图掩蔽层31。
然后，如图22所示，淀积1000埃厚或更厚的p型SiO33，并用掩蔽层31作腐蚀停止层构图p型SiO33。随后，淀积电容膜34。可有效用于电容膜34的材料是如p型SiN或Ta2O5等高介电材料，在该实施例中，淀积4000埃厚的p型SiN。
接着，如图23所示，构图电容膜34和p型SiO30，并淀积比p型SiO33厚的反射电极材料35。适用于反射电极的材料为可见光区中反射率较高的导电材料，例如Al、Ag、Pt或Cr。本实施例中用Al。
然后，如图24所示，通过CMP抛光并平面化反射电极材料35。抛光量确定为使表面抛光到在晶片表面暴露p型SiO33。在该实施例中，反射电极36通过Al的金属CMP形成。上述形成掩埋布线13的条件也相应应用于Al的金属CMP和抛光后清洗的条件。
然后，淀积反射加强膜37，如图25所示。反射加强膜37的材料选自高折射率的介电材料，例如ZnS或TiO2，且反射加强膜37淀积的厚度等于用于显示器件的光波长的四分之一。更有效的结构是从底部起折射率逐渐提高的各层的叠层，每层的厚度等于上述光波长的四分之一，例如p型SiO/p型SiN/TiO2。
本实施例的特征在于在利用双镶嵌技术形成的反射电极36的金属CMP后的清洗步骤，在抛光完成后，首先对晶征片表面进行兆声清洗，然后进行物理清洗。按此清洗程序，可以没有任何划伤地清洁反射电极36表面，并可以提供高亮度和高清晰度反射型液晶显示器件。
权利要求
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤在衬底上形成导电材料膜；抛光导电材料膜；及清洗所述导电材料的抛光表面，其中所述清洗步骤为在物理清洗之前利用超声波加于其上的清洗液进行超声清洗。
2.如权利要求1的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述抛光步骤利用CMP(化学机械抛光)进行。
3.如权利要求1的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述超声清洗在不小于800kHz的频带下进行。
4.如权利要求3的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述频带为大于等于1MHz，小于等于3MHz。
5.如权利要求1的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述清洗溶液从喷嘴中释放进行所述超声清洗。
6.如权利要求1的制造半导体器件的方法，其特征在于，在其上带有所述抛光表面的所述衬底以1000-2500rpm旋转时进行所述超声清洗。
7.如权利要求1的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述物理清洗选自毛刷擦洗和高压喷洗。
8.如权利要求7的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述毛刷擦洗或者利用马海毛刷或者利用海绵刷进行。
9.如权利要求8的制造半导体器件的方法，其特征在于，PVA(聚乙烯醇)用于所述海绵。
10.如权利要求1的制造半导体器件的方法，其特征在于，在所述物理清洗后又进行超声清洗。
全文摘要
一种制造半导体器件的方法包括以下步骤:在衬底上形成导电材料膜;抛光导电材料膜;及清洗所述导电材料的抛光表面,其中所述清洗步骤在物理清洗之前利用超声波加工其上的清洗溶液进行超声清洗。
文档编号H01L21/321GK1184327SQ9711410
公开日1998年6月10日 申请日期1997年11月28日 优先权日1996年11月29日
发明者福元嘉彦 申请人:佳能株式会社