专利名称：闪速存储器件的制造方法
技术领域：
本发明涉及闪速存储器件的制造方法，特别涉及在形成高压晶体管和低压晶体管的工艺中使介质膜损伤最小的闪速存储器件的制造方法，而该高压晶体管和低压晶体管的栅电极包括多晶硅层和硅化物层。
通常，在存储器件中，栅电极必须具有多晶硅层和硅化物层的两层结构，用于实现快速编程和擦除操作，在闪速EEPROM单元内还形成栅氧化膜厚度为30至150的低压晶体管和栅氧化膜厚度为150至300的高压晶体管。
下面将结合附图分别对包括高压晶体管和低压晶体管的常规闪速存储器件的制造方法进行详细介绍，而该高压晶体管和低压晶体管的栅电极包括多晶硅层/硅化物层。
图1A-1L为按步序介绍常规闪速存储器件的制造方法的剖面图。
在硅衬底1上形成氧化膜3，而该硅衬底由场氧化膜2分为存储单元区A、高压晶体管区B和低压晶体管区C(图1A)。
去除存储单元区A内的氧化膜3以便露出存储单元区A内的硅衬底1(图1B)。在存储单元区A内形成隧道氧化膜4，之后在包括场氧化膜2的整个结构上形成第一多晶硅层5(图1C)。然后去除在高压和低压晶体管区B和C上形成的第一多晶硅层5，因此，隧道氧化膜4上的第一多晶硅层5被保留下来(图1D)。
在包括场氧化膜2的整个结构上形成具有下氧化膜6A、氮化膜6B和上氧化膜6C的ONO结构的介质膜6(图1E)。之后，有选择性的除去在高压和低压晶体管区B和C内形成的介质膜6，并进行第一次清洗工艺(图1F)。然后，在高压和低压晶体管区B和C内注入离子，并进行第二次清洗工艺。使用HF除去在高压和低压晶体管区B和C内形成的氧化膜3(图1G)。此时，从图1G中可看出，在存储单元区A内形成的介质膜6的上氧化膜6C在使用HF的去除氧化膜3过程中也被除去。
之后，在除场氧化膜2的整个结构上形成中间氧化膜6D(图1H)，将存储单元区A和低压晶体管区C内形成的中间氧化膜6D除去并进行第三次清洗工艺(图1I)。在第三次清洗工艺中，在存储单元区A内形成的介质膜6的氮化膜6B受到损伤。
然后，在低压晶体管区C内形成栅氧化膜7。此时，在氮化膜6B上再次形成上氧化膜6C，因此，在存储单元区A内形成了具有ONO结构的介质膜6。
依次在除场氧化膜2的整个结构上形成第二多晶硅层8和硅化物层9(图1K)，将第二多晶硅层8和硅化物层9形成图形，所以在高压和低压晶体管区B和C内形成栅电极10B和10C(图1L)。通过图形形成工艺在存储单元区A的有源区内形成栅电极10A。
如上所述，在存储单元区A、高压晶体管区B和低压晶体管区C内分别形成栅电极10A、10B和10C的工艺中，在存储单元区A内形成的介质膜6被用于清洗工艺的清洗溶液损伤。因此，使器件的特性降低。
因此，本发明的目的在于提供一种在形成栅电极工艺中得到没有损伤的均匀介质膜的闪速存储器件的制造方法。
为了达到以上目的，本发明包括以下步骤在由场氧化膜分为存储单元区、高压晶体管区和低压晶体管区的硅衬底上形成氧化膜；除去在存储单元区内形成的氧化膜并在露出的硅衬底上形成隧道氧化膜；在包括场氧化膜的整个结构上形成第一多晶硅层并除去部分第一多晶硅层从而在存储单元区和高压晶体管区的有源区内留有第一多晶硅层；在包括场氧化膜的整个结构上形成有ONO结构的介质膜；除去低压晶体管区内所形成的介质膜并进行清洗工艺；在低压晶体管区内形成栅氧化膜并在整个结构上形成第二多晶硅层；除去高压晶体管区内所形成的第二多晶硅层和介质膜并进行清洗工艺；依次在整个结构上形成第三多晶硅层和硅化物层；通过图形形成工艺分别在存储单元区、高压晶体管区和低压晶体管区内形成栅电极。如果第一和第二多晶硅层的厚度已足够，则不必形成第三多晶硅层。
通过以下结合附图对实施例的详细介绍可更好地理解本发明的其它目的和优点，其中图1A-1L为制造闪速存储器件的常规方法的剖面图。
图2A-2K为依照本发明制造闪速存储器件的方法的剖面图。
下面将结合附图详细介绍本发明。
图2A-2K为依照本发明制造闪速存储器件的方法的剖面图。
在硅衬底11上形成氧化膜13，而该硅衬底由场氧化膜12分为存储单元区A、高压晶体管区B和低压晶体管区C(图2A)。将存储单元区A内所形成的氧化膜13除去，以便露出硅衬底11，在露出的硅衬底11上形成隧道氧化膜14(图2B)。在包括场氧化膜12的整个结构上形成第一多晶硅层15(图2C)，除去部分第一多晶硅层15从而在存储单元区A和高压晶体管区B的有源区内留有第一多晶硅层15(图2D)。
在包括场氧化膜12的整个结构上形成具有下氧化膜16A、氮化物膜16B和上氧化膜16C的ONO结构的介质膜16(图2E)。此后，除去在低压晶体管区C内形成的介质膜16，之后进行清洗工艺(图2F)。此时，在存储单元区A内形成的介质膜16的上氧化膜16C被清洗溶液损伤。
在低压晶体管区C内形成栅氧化膜17，并在整个结构上形成第二多晶硅层18(图2G)。然后依次除去高压晶体管区B内的第二多晶硅层18和介质膜16并进行清洗工艺(图2H)。
在整个结构上依次形成第三多晶硅层21和硅化物层19(图2I)。在高压晶体管区B内形成由氧化膜13、第一多晶硅层15、第三多晶硅层21和硅化物层19构成的栅电极20B，通过图形形成工艺分别在低压晶体管区C内形成由栅氧化膜17、第二多晶硅层18、第三多晶硅层21和硅化物层19构成的栅电极20C。同样，通过图形形成工艺在存储单元区A内形成由隧道氧化膜14、第一多晶硅层15、介质膜16、第二和第三多晶硅层18和21及硅化物层19堆叠构成的栅电极20A(图2K)。
如上所述，在根据本发明形成栅电极20A、20B和20C的工艺中，由于在存储单元区A内形成的介质膜16，特别是上氧化层16C，仅暴露给清洗溶剂，而该清洗溶剂是在除去低压晶体管区C内形成介质膜后所实施的清洗工艺中使用的，介质膜16受到损伤的数量可减小到最小，因此，可以得到良好的介质膜。
在以上的说明中，虽然第三多晶硅层21被形成在第二多晶硅层18(栅电极20 A和20C处)或第一多晶硅层15(栅电极20B处)上，如果第一和第二多晶硅层15和18的厚度已足够，则不必形成第三多晶硅层21。
前面的说明，虽然在对优选实施例的说明中带有某种程度的特殊性，但这仅是对本发明的原理的说明。应该理解本发明并不局限在这里公开和图示的优选实施例。在本发明的范围和精神内做出的适当变形都将包括在本发明的另外的实施例中。
权利要求
1.一种制造闪速存储器件的方法，其特征在于，包括以下步骤在由场氧化膜分为存储单元区、高压晶体管区和低压晶体管区的硅衬底上形成氧化膜；除去在存储单元区内形成的氧化膜并在露出的硅衬底上形成隧道氧化膜；在包括场氧化膜的整个结构上形成第一多晶硅层并除去部分第一多晶硅层从而在存储单元区和高压晶体管区的有源区内留有第一多晶硅层；在包括场氧化膜的整个结构上形成有ONO结构的介质膜；除去低压晶体管区内所形成的介质膜并进行清洗工艺；在低压晶体管区内形成栅氧化膜并在整个结构上形成第二多晶硅层；除去高压晶体管区内所形成的第二多晶硅层和介质膜并进行清洗工艺；依次在整个结构上形成第三多晶硅层和硅化物层；通过图形形成工艺分别在存储单元区、高压晶体管区和低压晶体管区内形成栅电极。
2.一种制造闪速存储器件的方法，包括以下步骤在由场氧化膜分为存储单元区、高压晶体管区和低压晶体管区的硅衬底上形成氧化膜；除去在存储单元区内形成的氧化膜并在露出的硅衬底上形成隧道氧化膜；在包括场氧化膜的整个结构上形成第一多晶硅层并除去部分第一多晶硅层从而在存储单元区和高压晶体管区的有源区内留有第一多晶硅层；在包括场氧化膜的整个结构上形成有ONO结构的介质膜；除去低压晶体管区内所形成的介质膜并进行清洗工艺；在低压晶体管区内形成栅氧化膜并在整个结构上形成第二多晶硅层；除去高压晶体管区内的第二多晶硅层和介质膜并进行清洗工艺；在整个结构上形成第三多晶硅层；通过图形形成工艺分别在存储单元区、高压晶体管区和低压晶体管区内形成栅电极。
全文摘要
本发明公开了一种制造闪速存储器件的方法。在本发明中,由于在存储单元区内形成的介质膜仅暴露给清洗溶剂,而该清洗溶剂是用于在除去低压晶体管区内形成介质膜后所实施的清洗工艺中,介质膜受到损伤的数量可减小到最小,因此,可以得到良好的介质膜。
文档编号H01L21/8247GK1177212SQ97111869
公开日1998年3月25日 申请日期1997年6月27日 优先权日1996年6月27日
发明者赵敏局, 金种五 申请人:现代电子产业株式会社