专利名称：一种硅的光探测器件的利记博彩app
技术领域：
本实用新型涉及一种硅光生伏特探测器的结构，特别涉及一种用多孔硅荧光层实现紫外增强的p－n结硅光生伏特探测器的结构。
现有实现紫外增强的硅光生伏特探测器，如日本专利“特开平3－91967”和美国专利“US5，059，787”，它们分别采用浅p－n结和兰宝石上硅薄膜内耗尽层扩展等结构。这类结构的共同缺陷在于，制造工艺难以控制，生产成本较高，并且与现有硅集成电路工艺难以相容。
本实用新型的目的是为克服现有技术的上述缺陷，设计一种结构简单，工艺过程较易控制，生产成本低廉，并与现有硅集成电路工艺相容的紫外增强p－n结硅光生伏特探测器。
为实现本实用新型目的所采取的主要技术措施为，在硅p－n结光生伏特探测器探光面的金属电极之间或(和)其四周的硅表面上布设有一层多孔硅的荧光膜。
由于多孔硅膜具有较好的紫外－可见光的转换特性，把它布设在硅p－n结光探测器的探光表面上可以起到紫外增强的光探测效果。同时由于多孔硅膜可采用常温化学方法等简单工艺在硅表面上形成，因而又具有工艺简单易控、成本低廉，并能与现有集成电路工艺相容等积极效果。
以下结合附图
与实施例对本实用新型作进一步描述。
附图为本实用新型用多孔硅荧光层实现紫外增强的p－n结光生伏特探测器一项实施例的结构示意图。其中(a)为剖示图，(b)为俯视图，1为N型硅衬底，2为二氧化硅膜，3为P型掺杂层，4为金属上电极，5为多孔硅荧光层，6为二氧化硅抗反射膜，7为N型重掺杂层，8为下电极。
本实用新型一项实施例用电阻率在10欧姆厘米以上，＜111＞晶面的N型硅晶片作衬底(1)，在硅衬底(1)的正面由二氧化硅窗口(2)、P型掺杂层(3)以及金属上电极(4)形成平面结构的p－n结硅光生伏特探测器的探光面，在探光面的金属上电极(4)之间的P型掺杂层(3)表面形成一层厚度不超过1微米的多孔硅荧光层(5)，在此荧光层的上面复盖一层二氧化硅抗反射膜(6)，在硅衬底(1)的背面则由N型重掺杂层(7)和金属层形成下电极(8)。
权利要求1.一种紫外增强的硅p-n结光生伏特探测器件，其特征为，在硅p-n结光生伏特探测器的探光面金属上电极之间或(和)其四周的硅表面上布设有一层多孔硅的荧光膜。
2.按照权利要求1所述硅p－n结光生伏特探测器件 ，其特征为，所述多孔硅的荧光层是在所述p－n结探光硅表面上形成的一层厚度不超过1微米的多孔硅荧光层。
3.按照权利要求1所述硅p－n结光生伏特探测器件，其特征为，在所述多孔硅的荧光膜上复盖有一层二氧化硅抗反射膜。
专利摘要本实用新型公开了一种紫外增强的p-n结硅光生伏特探测器的结构。它在探测器探光面的金属电极之间或(和)其四周的硅表面上布设一层多孔硅的荧光膜。该结构具有工艺过程简单易控、成本低廉、并能与现有集成电路工艺相容等诸多优点。
文档编号H01L31/10GK2162712SQ93217410
公开日1994年4月20日 申请日期1993年7月2日 优先权日1993年7月2日
发明者夏永伟, 李国花, 滕学公, 樊志军 申请人:中国科学院半导体研究所