专利名称：内调制间接耦合光电探测器的利记博彩app
技术领域：
本发明提供的新型光电探测器是又一种类型的间接耦合光电探测器。
为了探测极微弱的光，通常在光源与探测器的通路上置一斩波器，把一束恒定光斩波成具有固定频率的调制光，然后进行光电探测和选频放大，借以大幅度提高探测系统的信噪比。
上述系统虽能探测到微弱的光，但设备复杂、价格昂贵，使用也不方便。例如这种方法就不适用于野外、家庭及其他简单应用。
本发明是利用调制间接耦合光电探测器中耦合结构的方法，制造一种内调制的光电探测器。当它接收一束恒定的微弱光时，即有调制的光电信号输出。
本发明的原理以
图1A和图1B为例说明如下。在金属(15)和衬底(10)间加上如图1B所示的电压，使通道(14)处于弱反型状态而不强反型，反向偏压下的输出NP结(12)只有很小的反向饱和电流流过。光照下，受光PN结(16)在开路电压的作用下，N区的电子将借助热发射或扩散而进入通道(14)，然后沿通道(14)向右传输至输出NP结(12)而被输出，这就是输出的光电信号。若在栅(15)上再叠加一小幅值的正弦电压，通道(14)中的电势将被调制，于是流进通道(16)的电子流密度将正弦变化，输出的也将是正弦变化的光电信号。
内调制间接耦合光电探测器可以有多种多样。例如衬底(10)可以是P型，亦可以为N型;受光结(16)可以是NP结、PN结、异质结或肖特基结。受光结(16)，通道(14)和输出器(12)之间连接，可以是单片集成，也可以混合组装。通道(14)和输出器(12)之间连接，可以是单片集成电路。通道(14)可以用MIS、PN结或肖特基结等的场效应方法形成。
这里发明的内调制光电探测器在无斩波器的情况下能提供微弱光的调制光电信号。既提高了信噪比，又明显地简化了测试设备和方便了应用，把探测微弱光的技术向前推进了一大步。
图1A是说明内调制间接耦合光电探测器原理例举的俯视图，图1B是图1A沿1-1线的剖面图。10是P型硅衬底，12是输出NP结，13是输出铝引线，14是通道，15是栅电极，16是受光NP结。
图2A是内调制间接耦合硅光电三极管管芯的俯视图。图2B是图2A沿2-2线的剖面图。20是N型硅衬底，21是输出三极管发射区，22是输出三极管的集电结，23是输出三极管发射区铝电极，24是通道，25是金属铝栅，26是受光PN结。
发明实施例。
制造内调制间接耦合光电三极管的技术方案参照图2说明如下
1、用电阻率为2-100Ω·cm的N型硅作衬底(20)材料;
2、常规平面工艺氧化硅片，氧化层厚6000°A以上;
3、光刻彼此以通道(24)连接的受光PN结(26)区和输出三极管基区，通道(24)长度为1-40μm;
4、硼扩散形成受光PN结(26)和输出三极管集电结(22)，结深3-4μm，掺杂浓度为5×1017～5×1018cm-3;
5、光刻三极管发射区(21)，然后进行磷扩散，使三极管的放大系数大于100;
6、以下工艺与制作普通光电三极管相同。
权利要求
1.一个内调制间接耦合光电探测器，它由开路受光结(16)、通道(14)和输出器件(12)组成。其特征在于所说的受光结(16)可以是PN结、NP结、异质结或肖特基结，所说的通道(14)可以用MIS、PN结和肖特基结形成，它仅处于弱反型状态，还能用外加电压调制。
2.按权利要求1所规定的光电探测器，其特征在于所说的通道(16)长度为1-40μm
3.按权利要求1和2所规定的光电探测器，其特征在于所说的输出器件(12)可以是二极管、三极管或集成电路。
全文摘要
本发明公开了一种内调制的间接耦合光电探测器，不外加斩波器的情况下，能够把恒定的微弱光转换为调制的光电信号，达到提高信噪比的目的。本发明提供的探测器具有设备简单、价格低廉和使用方便等优点。
文档编号H01L31/10GK1044531SQ8910056
公开日1990年8月8日 申请日期1989年1月28日 优先权日1989年1月28日
发明者何民才 申请人:武汉大学