RGBIR图像传感器的利记博彩app

本发明涉及图像处理领域，尤其涉及一种rgbir图像传感器。

背景技术：

现有的rgbir图像传感器通常包括p型衬底，位于p型衬底上的外延层，所述外延层中包含若干n型区域，做为图像传感器的光电二极管区域。由于采用rgbir彩色滤光膜阵列代替了bayer模式的rgb彩色滤光膜阵列，该rgbir彩色滤光膜阵列包括r、g、b、ir四种通道，其中，r通道允许红光和红外光通过，g通道允许绿光和红外光通过，b通道允许蓝光和红外光通过，ir通道仅允许红外光通过，因此r、g、b通道各自接收到的信号分别减去ir通道接收到的信号，即可得到红光、绿光、蓝光单独产生的信号，从而有效去除红外光影响而产生的噪声。然而由于红外光的波长较长，能够进入p型衬底并产生大量冗余电子，这些冗余电子容易转移至周围像素单元，造成光电二极管之间的串扰，并且导致光线亮度过高，成像色彩偏白。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种rgbir图像传感器，减小光电二极管之间的串扰，提高成像色彩鲜艳度，改善图像质量。

基于以上考虑，本发明提供一种rgbir图像传感器，其包括：n型衬底；位于n型衬底上的外延层；所述外延层中包含若干第一n型区域，做为图像传感器的光电二极管区域；rgbir彩色滤光膜阵列；光通过rgbir阵列于n型衬底中形成冗余电子，于n型衬底加正压，抽取冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小光电二极管之间的串扰。

优选地，所述外延层为p型外延层。

优选地，所述外延层为n型外延层，n型衬底与n型外延层之间还设置有p型隔离层。

优选地，所述rgbir图像传感器还包括：位于像素阵列周围区域的第二n型区域，所述第二n型区域与n型衬底连通，于第二n型区域加正压，适于抽取像素单元中的冗余电子。

优选地，所述第二n型区域包括：靠近表面的浅n型区域及位于其下部的深n型区域。

本发明的rgbir图像传感器，采用n型衬底代替现有技术中的p型衬底，并于n型衬底加正压，抽取n型衬底中的冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小光电二极管之间的串扰，提高成像色彩鲜艳度，改善图像质量。

附图说明

通过参照附图阅读以下所作的对非限制性实施例的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显。

图1为本发明的rgbir图像传感器的一个实施例的结构示意图；

图2为本发明的rgbir图像传感器的另一实施例的结构示意图。

在图中，贯穿不同的示图，相同或类似的附图标记表示相同或相似的装置（模块）或步骤。

具体实施方式

为解决上述现有技术中的问题，本发明提供一种rgbir图像传感器，采用n型衬底代替现有技术中的p型衬底，并于n型衬底加正压，抽取n型衬底中的冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小光电二极管之间的串扰，提高成像色彩鲜艳度，改善图像质量。

在以下优选的实施例的具体描述中，将参考构成本发明一部分的所附的附图。所附的附图通过示例的方式示出了能够实现本发明的特定的实施例。示例的实施例并不旨在穷尽根据本发明的所有实施例。可以理解，在不偏离本发明的范围的前提下，可以利用其他实施例，也可以进行结构性或者逻辑性的修改。因此，以下的具体描述并非限制性的，且本发明的范围由所附的权利要求所限定。

图1示出本发明的rgbir图像传感器的一个实施例。该rgbir图像传感器包括：n型衬底101；位于n型衬底101上的p型外延层102；所述p型外延层102中包含若干第一n型区域103，做为图像传感器的光电二极管区域；rgbir彩色滤光膜阵列104。由于采用了n型衬底101代替现有技术中的p型衬底，并于n型衬底101加正压，抽取n型衬底101中的冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小了光电二极管之间的串扰，提高了成像色彩鲜艳度，改善了图像质量。

优选地，所述rgbir图像传感器还包括：位于像素阵列周围区域的第二n型区域107，在本实施例中，所述第二n型区域107包括：靠近表面的浅n型区域105及位于其下部的深n型区域106，所述第二n型区域107与n型衬底101连通，于第二n型区域107加正压，例如于靠近表面的浅n型区域105加正压，适于抽取像素单元中的冗余电子。

图2示出本发明的rgbir图像传感器的另一实施例。该rgbir图像传感器包括：n型衬底201；位于n型衬底上的n型外延层202；n型衬底201与n型外延层202之间还设置有p型隔离层208；所述n型外延层中包含若干第一n型区域203，做为图像传感器的光电二极管区域；rgbir彩色滤光膜阵列204。由于采用了n型衬底201代替现有技术中的p型衬底，并于n型衬底201加正压，抽取n型衬底201中的冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小了光电二极管之间的串扰，提高了成像色彩鲜艳度，改善了图像质量。

优选地，所述rgbir图像传感器还包括：位于像素阵列周围区域的第二n型区域207，在本实施例中，所述第二n型区域207包括：靠近表面的浅n型区域205及位于其下部的深n型区域206，所述第二n型区域207与n型衬底201连通，于第二n型区域207加正压，例如于靠近表面的浅n型区域205加正压，适于抽取像素单元中的冗余电子。

本发明的rgbir图像传感器，采用n型衬底代替现有技术中的p型衬底，并于n型衬底加正压，抽取n型衬底中的冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小光电二极管之间的串扰，提高成像色彩鲜艳度，改善图像质量。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论如何来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的。此外，明显的，“包括”一词不排除其他元素和步骤，并且措辞“一个”不排除复数。装置权利要求中陈述的多个元件也可以由一个元件来实现。第一，第二等词语用来表示名称，而并不表示任何特定的顺序。

技术特征：

技术总结
本发明提供一种RGBIR图像传感器，其包括：N型衬底；位于N型衬底上的外延层；所述外延层中包含若干第一N型区域，做为图像传感器的光电二极管区域；RGBIR彩色滤光膜阵列；光通过RGBIR阵列于N型衬底中形成冗余电子，于N型衬底加正压，抽取冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小光电二极管之间的串扰。本发明的RGBIR图像传感器，采用N型衬底代替现有技术中的P型衬底，并于N型衬底加正压，抽取N型衬底中的冗余电子以防止转移至周围像素单元，减小光电二极管之间的串扰，提高成像色彩鲜艳度，改善图像质量。

技术研发人员：李杰;赵立新;李文强;李强
受保护的技术使用者：格科微电子（上海）有限公司
技术研发日：2016.04.05
技术公布日：2017.10.24