一种大功率半导体致冷件的利记博彩app
【专利摘要】本实用新型涉及半导体致冷件【技术领域】，名称是一种大功率半导体致冷件，包括瓷板和晶粒，其特征是：所述的瓷板的宽度是10厘米，所述的晶粒的高度是6.5毫米，晶粒的长度和宽度是1.8毫米，所述的瓷板的长度是12—14厘米，这样的致冷件具有致冷效率更高、能够满足大功率要求的优点。
【专利说明】一种大功率半导体致冷件
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体致冷件【技术领域】。
【背景技术】
[0002]半导体致冷件包括瓷板和晶粒，现有技术的瓷板最大的长度是8厘米，晶粒的长度是5毫米，使用这样的瓷板和晶粒制成的致冷件具有致冷效率低的缺点，不能满足一些大功率致冷件的要求。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的就是针对上述缺点，提供致冷效率更高、能够满足大功率要求的致冷件——一种大功率半导体致冷件。
[0004]本实用新型的技术方案是这样实现的:一种大功率半导体致冷件，包括瓷板和晶粒，其特征是:所述的瓷板的宽度是10厘米。
[0005]最佳的配合是，所述的晶粒的高度是6.5毫米，晶粒的长度和宽度是1.8毫米。
[0006]进一步地讲，所述的瓷板的长度是12 —14厘米。
[0007]本实用新型的有益效果是:这样的致冷件具有致冷效率更高、能够满足大功率要求的优点。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1是本实用新型的结构示意图。
[0009]其中:1、瓷板 2、晶粒 。
[0010]L一瓷板的宽度；
[0011]D一晶粒的长度和宽；
[0012]K 一瓷板的长度。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图对本实用新型作进一步说明。
[0014]如图1所示，一种大功率半导体致冷件，包括瓷板I和晶粒2，其特征是:所述的瓷板的宽度L是10厘米。
[0015]最佳的配合是，所述的晶粒的高度是6.5毫米，晶粒的长度和宽度D是1.8毫米。
[0016]进一步地讲，所述的瓷板的长度K是12 —14厘米。
[0017]这样的致冷件，功率可以达到150瓦，可以满足一些产品的要求
【权利要求】
1.一种大功率半导体致冷件，包括瓷板和晶粒，其特征是:所述的瓷板的宽度是10厘米。
2.根据权利要求1所述的致冷件，其特征是:所述的晶粒的高度是6.5毫米，晶粒的长度和宽度是1.8毫米。
3.根据权利要求1或2所述的致冷件，其特征是:所述的瓷板的长度是12—14厘米。
【文档编号】H01L35/32GK204088383SQ201420607871
【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年10月19日 优先权日:2014年10月19日
【发明者】陈磊, 刘栓红, 赵丽萍, 钱俊有, 张文涛, 蔡水占, 郭晶晶, 张会超, 陈永平 申请人:河南鸿昌电子有限公司