一种平面型二极管的利记博彩app
【专利摘要】本实用新型涉及一种平面型二极管，包括阴极引线，所述阴极引线与金属片连接，所述金属片上方设置有N型区，所述N型区中设置有P型区，所述N型区与P型区之间设置有PN结，所述P型区上方设置有二氧化硅衬底，所述二氧化硅衬底中设置有金属连接结构，所述金属连接结构下端与P型区上表面欧姆接触，所述金属连接结构上端设置有阳极引线。本实用新型结构简单、易封装、制造成本低廉，所承载的整流电流、反响电压较大，不易被击穿。
【专利说明】一种平面型二极管
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体器件，尤其涉及一种平面型二极管。
【背景技术】
[0002]二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
[0003]目前，二极管制造技术已经相当成熟，但仍然存在结构复杂、成本高、封装难、容易被击穿等问题。
实用新型内容
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单、易封装、制造成本低廉，所承载的整流电流、反响电压较大，不易被击穿的平面型二极管。
[0005]本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:一种平面型二极管，包括阴极引线，所述阴极引线与金属片连接，所述金属片上方设置有N型区，所述N型区中设置有P型区，所述N型区与P型区之间设置有PN结，所述P型区上方设置有二氧化硅衬底，所述二氧化硅衬底中设置有金属连接结构，所述金属连接结构下端与P型区上表面欧姆接触，所述金属连接结构上端设置有阳极引线。
[0006]所述N型区，扩散P型杂质，构成P型区，并利用二氧化硅表面氧化膜的屏蔽作用，在N型区上选择性地扩散一部分而形成的PN结，由于PN结的表面被二氧化硅氧化膜覆盖，有利于~■极管稳定性和使用寿命长的提闻。
[0007]在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。
[0008]进一步，所述金属片为铜金属片，所述铜金属片电阻率低、导电性强，用于PN结整流电流的收集与传输。
[0009]进一步，所述阳极引线、阴极引线为镀铜金属，所述镀铜金属硬度大，有利于引线的的支撑，同时镀铜引线电阻率低，有助于降低对整流电流的干扰。
[0010]进一步，所述金属连接结构为铝金属，所述铝金属可塑性较好，易于二极管的封装与封闭，所述铝金属导电性好，有利于各结构之间的导通。
[0011]本实用新型的有益效果是:结构简单、易封装、制造成本低廉，所承载的整流电流、反响电压较大，不易被击穿。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型一种平面型二极管结构示意图；
[0013]附图中，各标号所代表的部件列表如下:1、阴极引线，2、金属片，3、N型区，4、PN结，5、P型区，6、二氧化硅衬底，7、金属连接结构，8、阳极引线。
【具体实施方式】
[0014]以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
[0015]如图1所示，一种平面型二极管，包括阴极引线1，所述阴极引线I与金属片2连接，所述金属片2上方设置有N型区3，所述N型区3中设置有P型区5，所述N型区3与P型区5之间设置有PN结4，所述P型区5上方设置有二氧化硅衬底6，所述二氧化硅衬底6中设置有金属连接结构7，所述金属连接结构7下端与P型区5上表面欧姆接触，所述金属连接结构7上端设置有阳极引线8。
[0016]所述N型区3，扩散P型杂质，构成P型区5，并利用二氧化硅6表面氧化膜的屏蔽作用，在N型区3上选择性地扩散一部分而形成的PN结4，由于PN结4的表面被二氧化硅6氧化膜覆盖，有利于二极管稳定性和使用寿命长的提高。
[0017]所述金属片2为铜金属片，所述铜金属片电阻率低、导电性强，用于PN结整流电流的收集与传输；所述阳极引线8、阴极引线I为镀铜金属，所述镀铜金属硬度大，有利于引线的的支撑，同时镀铜引线电阻率低，有助于降低对整流电流的干扰；所述金属连接结构7为铝金属，所述铝金属可塑性较好，易于二极管的封装与封闭，所述铝金属导电性好，有利于各结构之间的导通。
[0018]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种平面型二极管，其特征在于，包括阴极引线，所述阴极引线与金属片连接，所述金属片上方设置有N型区，所述N型区中设置有P型区，所述N型区与P型区之间设置有PN结，所述P型区上方设置有二氧化硅衬底，所述二氧化硅衬底中设置有金属连接结构，所述金属连接结构下端与P型区上表面欧姆接触，所述金属连接结构上端设置有阳极引线。
2.根据权利要求1所述一种平面型二极管，其特征在于，所述金属片为铜金属片。
3.根据权利要求1所述一种平面型二极管，其特征在于，所述阳极引线、阴极引线为镀铜金属。
4.根据权利要求1所述一种平面型二极管，其特征在于，所述金属连接结构为铝金属。
【文档编号】H01L29/861GK204130541SQ201420582185
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年9月30日 优先权日:2014年9月30日
【发明者】夏洪贵 申请人:夏洪贵