嵌入式高频大电流电感的利记博彩app
【专利摘要】本实用新型公开了一种嵌入式高频大电流电感，包括主体磁芯，其中，所述主体磁芯的侧面开设有第一沟槽，所述第一沟槽将主体磁芯分成上部磁芯、中间磁芯和下部磁芯，所述上部磁芯和下部磁芯相对设置并与中间磁芯连接成一体；所述第一沟槽内设有软磁体和导体，所述主体磁芯的底部开设有容纳所述导体端子的第二沟槽；所述软磁体为软磁铁氧体导磁体或非晶/纳米晶导磁体。本实用新型提供的嵌入式高频大电流电感，通过在单一主体磁芯的侧面开设有第一沟槽形成上部磁芯和下部磁芯，侧面未开通沟槽的部分的中间磁芯使磁芯上下部分形成整体，结构牢固，易于安装；避免了双磁芯组合式结构的装配错位，上下磁芯接合不良导致的分离、脱落等问题。
【专利说明】嵌入式高频大电流电感
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电感,尤其涉及一种嵌入式高频大电流电感。
【背景技术】
[0002]高频大电流电感广泛用于各种大电流电源的DC-DC转换电路，以及各种芯片的周边电路。尤其用于服务器和工作站主板的VRM(Voltage Regulator Modul)。
[0003]现有的大电流电感的结构，如图1a和Ib所示，由两部分的磁芯:第二磁芯10、第一磁芯30以及条形预成型导体20组合而成，所述第一磁芯30的顶部与底部分别设有第一磁芯上部沟槽31和第一磁芯下部沟槽32用来安装导体。第二磁芯10位于第一磁芯和导体的上方，并于它们接合在一起。所述条形预成型导体20设有两个接线端子21和22，当在这两个导体端子上施加可控制通断的电流时，整个磁芯部件会产生电磁感应从而通过储存能量和释放能量来满足电路的需求。
[0004]现有的大电流电感组合式的结构存在天然的缺点就是在安装时上下两磁芯会因错位而形成废品，且会因接合不牢固而造成两部分磁芯分离脱落，从而发生功能性失效。安装上下两磁芯时需要专门的工装夹具也让制程费时费力。
实用新型内容
[0005]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种嵌入式高频大电流电感，能够彻底避免上下磁芯错位和接合不牢固而引起磁芯分离和脱落等问题，结构简单可靠，易于大批量制造。
[0006]本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种嵌入式高频大电流电感，包括主体磁芯，其中，所述主体磁芯的侧面开设有第一沟槽，所述第一沟槽将主体磁芯分成上部磁芯、中间磁芯和下部磁芯，所述上部磁芯和下部磁芯相对设置并与中间磁芯连接成一体；所述第一沟槽内设有软磁体和导体，所述主体磁芯的底部开设有容纳所述导体端子的第二沟槽。
[0007]上述的嵌入式高频大电流电感，其中，所述软磁体为软磁铁氧体导磁体或非晶/纳米晶导磁体。
[0008]上述的嵌入式高频大电流电感，其中，所述导体为订书钉式导体，所述软磁体为软磁铁氧体导磁体，所述订书钉式导体和软磁铁氧体导磁体嵌入在第一沟槽中，所述软磁铁氧体导磁体和上部磁芯、下部磁芯大致对齐并形成磁隙。
[0009]上述的嵌入式高频大电流电感，其中，所述，所述导体为工字型钉书钉式导体。
[0010]上述的嵌入式高频大电流电感，其中，所述，所述第二沟槽包括设于主体磁芯的底部左右侧的第一半凹槽和第二半凹槽，所述工字型钉书钉式导体两端的接线端子分别嵌套在第一半凹槽和第二半凹槽中。
[0011]上述的嵌入式高频大电流电感，其中，所述，所述主体磁芯的底部四周开设有第一凸台、第二凸台、第三凸台和第四凸台。
[0012]本实用新型对比现有技术有如下的有益效果:本实用新型提供的嵌入式高频大电流电感，通过在单一主体磁芯的侧面开设有第一沟槽形成上部磁芯和下部磁芯，侧面未开通沟槽的部分的中间磁芯使磁芯上下部分形成整体，结构牢固，易于安装；避免了双磁芯组合式结构的装配错位，上下磁芯接合不良导致的分离、脱落等问题，工作频率高达0.1MHz到2MHz，电流范围高达20安培到150安培。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1a为现有嵌入式高频大电流电感分解结构示意图；
[0014]图1b为现有嵌入式闻频大电流电感结构不意图；
[0015]图2a为本实用新型第一实施例的嵌入式高频大电流电感分解结构示意图；
[0016]图2b为本实用新型第一实施例的嵌入式高频大电流电感结构示意图；
[0017]图3a为本实用新型第二实施例的嵌入式高频大电流电感分解结构示意图；
[0018]图3b为本实用新型第二实施例的嵌入式高频大电流电感结构示意图；
[0019]图4a为本实用新型第三实施例的嵌入式高频大电流电感分解结构示意图；
[0020]图4b为本实用新型第三实施例的嵌入式高频大电流电感结构示意图。
[0021]图中:
[0022]10第二磁芯 20条形预成型导体 21、22接线端子
[0023]30第一磁芯 31第一磁芯上部沟槽 32第一磁芯下部沟槽
[0024]100主体磁芯 110上部磁芯111中间磁芯
[0025]112下部磁芯 120第一沟槽130第二沟槽
[0026]140第一半凹槽 141第二半凹槽150第一凸台
[0027]151第二凸台152第三凸台153第四凸台
[0028]200订书钉式导体 210、220接线端子300软磁铁氧体导磁体
[0029]400工字型钉书钉式导体410、411接线端子
[0030]412导体中部500非晶和纳米晶导磁体
【具体实施方式】
[0031]下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的描述。
[0032]图2a为本实用新型第一实施例的嵌入式高频大电流电感分解结构示意图；图2b为本实用新型第一实施例的嵌入式高频大电流电感结构示意图。
[0033]请参见图2a和2b，本实用新型提供的嵌入式高频大电流电感包括主体磁芯100，其中，所述主体磁芯100的侧面开设有第一沟槽120，所述第一沟槽120将主体磁芯100分成上部磁芯110、中间磁芯111和下部磁芯112，所述上部磁芯110和下部磁芯112相对设置并与中间磁芯111连接成一体；所述第一沟槽120内设有软磁体和导体，所述主体磁芯100的底部开设有容纳所述导体端子的第二沟槽130。
[0034]本实用新型的第一个实施例的电感中的导体为订书钉式导体200，所述软磁体为软磁铁氧体导磁体300，所述订书钉式导体200和软磁铁氧体导磁体300嵌入在第一沟槽120中，所述软磁铁氧体导磁体300和上部磁芯110、下部磁芯112大致对齐并形成磁隙。装配过程如下:订书钉式导体200自侧面沟槽开口处嵌入磁芯，该导体底部两端分别设有接线端子210和220可用于与客户端的PCB板焊点焊接相连。软磁铁氧体导磁体300接着也从沟槽开口处嵌入后居于导体侧面并于主体磁芯的上下相邻的磁芯面对齐并形成磁隙，从而得到相应的电磁性能来满足设计的要求。由于主体磁芯的侧面还包含有未开通沟槽的部分中间磁芯111使得上部磁芯110和下部磁芯112形成整体，也就避免了双磁芯组合式结构的装配错位，上下磁芯接合不良而分离，脱落等问题。
[0035]图3a为本实用新型第二实施例的嵌入式高频大电流电感分解结构示意图；图3b为本实用新型第二实施例的嵌入式高频大电流电感结构示意图。
[0036]请继续参见图3a和3b，本实施例在第一实施例的基础上稍有区别:采用了工字型钉书钉式导体400，目的是通过缩小导体中部412的宽度，来增加软磁铁氧体导磁体300和主体磁芯中未开通沟槽的部分中间磁芯111的宽度,从而使得磁芯磁路的截面积增加,性能更加优化。
[0037]本实施例主体磁芯采用的是底部凸台结构，第二沟槽130包括主体磁芯底部左右侧分别有第一半凹槽140和第二半凹槽141，所述工字型钉书钉式导体400两端的接线端子410,411分别嵌套在第一半凹槽140和第二半凹槽141中。
[0038]图4a为本实用新型第三实施例的嵌入式高频大电流电感分解结构示意图；图4b为本实用新型第三实施例的嵌入式高频大电流电感结构示意图。
[0039]请继续参见图4a和4b，本实施例在第一实施例和第二实施例的基础上稍有区别:采用了非晶/纳米晶导磁体500来嵌入主体磁芯。主体磁芯的底部采用了四个凸台，即在主体磁芯100的底部四周开设有第一凸台150、第二凸台151、第三凸台152和第四凸台153，有利于该大电流电感工作时的散热。四个凸台150，151，152和153构成的底部空间也可方便客户放置其它的小的电子元件如IC芯片等，来节省空间满足高密度的电子线路设计，从而使得成品更加小型化，轻薄化。
[0040]虽然本实用新型已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本实用新型，任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本实用新型的保护范围当以权利要求书所界定的为准。
【权利要求】
1.一种嵌入式高频大电流电感，包括主体磁芯(100)，其特征在于，所述主体磁芯(100)的侧面开设有第一沟槽(120)，所述第一沟槽(120)将主体磁芯(100)分成上部磁芯(110)、中间磁芯(111)和下部磁芯(112)，所述上部磁芯(110)和下部磁芯(112)相对设置并与中间磁芯(111)连接成一体；所述第一沟槽(120)内设有软磁体和导体，所述主体磁芯(100)的底部开设有容纳所述导体端子的第二沟槽(130)。
2.如权利要求1所述的嵌入式高频大电流电感，其特征在于，所述软磁体为软磁铁氧体导磁体(300)或非晶/纳米晶导磁体(500)。
3.如权利要求2所述的嵌入式高频大电流电感，其特征在于，所述导体为订书钉式导体(200)，所述软磁体为软磁铁氧体导磁体(300)，所述订书钉式导体(200)和软磁铁氧体导磁体(300)嵌入在第一沟槽(120)中，所述软磁铁氧体导磁体(300)和上部磁芯(110)、下部磁芯(112)大致对齐并形成磁隙。
4.如权利要求3所述的嵌入式高频大电流电感，其特征在于，所述导体为工字型钉书钉式导体(400)。
5.如权利要求4所述的嵌入式高频大电流电感，其特征在于，所述第二沟槽(130)包括设于主体磁芯(100)的底部左右侧的第一半凹槽(140)和第二半凹槽(141)，所述工字型钉书钉式导体(400)两端的接线端子(410、411)分别嵌套在第一半凹槽(140)和第二半凹槽(141)中。
6.如权利要求1?5任一项所述的嵌入式高频大电流电感,其特征在于,所述主体磁芯(100)的底部四周开设有第一凸台(150)、第二凸台(151)、第三凸台(152)和第四凸台(153)。
【文档编号】H01F1/153GK203950647SQ201420360846
【公开日】2014年11月19日 申请日期:2014年7月1日 优先权日:2014年7月1日
【发明者】朱中堂, 王建, 李立基 申请人:上海伟太电子有限公司