一种柔性触摸屏导电膜的利记博彩app
【专利摘要】本实用新型涉及一种柔性触摸屏导电膜，其包括由下至上依次叠置的有机聚合物层、五氧化二铌薄膜介质层、二氧化硅粘接层、ITO透明导电层和引线层，所述引线层上开设有凹槽，所述凹槽内填充有纳米导电金属。本实用新型将有机聚合物层作为基底，在基底和ITO透明导电层之间镀有五氧化二铌薄膜介质层和二氧化硅粘接层，有效提高产品的透过率，同时，利用转印纳米级导电金属，形成导电引线，有效解决了传统真空镀金属制作引线，引线易脱落且不耐弯曲等问题。
【专利说明】一种柔性触摸屏导电膜
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及触摸屏技术，具体涉及柔性触摸屏导电膜。
【背景技术】
[0002]目前，触控屏所使用的基底材料可大致分为两类:一类是玻璃；另一类是有机聚合物。玻璃基底具有低双折射率、低膨胀系数、低粗糙度、高尺寸稳定性、耐高温等诸多优点，但以玻璃为基底制作的触摸屏容易碎裂，且无法实现弯曲折叠，随着电子产品朝轻型化、小型化方向发展，对基底材料的性能提出了新要求，需要有可以弥补玻璃基底不足的新材料出现。
[0003]有机聚合物是一类良好的柔性基底材料，具有很好的柔性且成本较低，且适合R-TO-R工艺大批量生产。有机聚合物根据其不同的性能主要分为:热塑性半结晶型、热塑性非结晶型以及高玻璃化温度材料。热塑性半结晶型主要有PET、PEN材料；热塑性非结晶型主要有PC、PES材料；高玻璃化温度材料主要有PAR、PCO、PI等，而目前使用较为广泛是热塑性半结晶型材料。
[0004]以有机聚合物为基底材料的触摸屏有了广泛应用，但存在透过率低、边缘引线通过传统真空镀金属制作，引线易脱落，不耐弯曲等问题。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的在于提出一种柔性触摸屏导电膜，其能解决透过率低的问题。
[0006]为了达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案如下:
[0007]—种柔性触摸屏导电膜，其包括由下至上依次叠置的有机聚合物层、五氧化二铌薄膜介质层、二氧化硅粘接层、ITO透明导电层和引线层，所述引线层上开设有凹槽，所述凹槽内填充有纳米导电金属。
[0008]优选的，所述有机聚合物层为PET (Polyethylene terephthalate)层或PEN (聚萘二甲酸乙二醇酯)层。
[0009]优选的，所述五氧化二铌薄膜介质层的折射率范围为2.0-2.5。
[0010]优选的，所述二氧化硅粘接层的折射率范围为1.4-1.7。
[0011]优选的，所述ITO (Indium Tin Oxides,铟锡氧化物)透明导电层的折射率范围在为 1.9-2.2。
[0012]优选的，所述五氧化二铌薄膜介质层的厚度范围为100-150埃。
[0013]优选的，所述二氧化硅粘接层的厚度范围为500-700埃。
[0014]优选的，所述ITO透明导电层的厚度范围为500-1500埃。
[0015]优选的，所述引线层为OC材料层。
[0016]优选的，所述引线层的厚度范围为l-3um。
[0017]本实用新型具有如下有益效果:
[0018]有机聚合物层作为基底，在基底和ITO透明导电层之间镀有五氧化二铌薄膜介质层和二氧化硅粘接层，有效提高产品的透过率，同时，利用转印纳米级导电金属，形成导电引线，有效解决了传统真空镀金属制作引线，引线易脱落且不耐弯曲等问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]图1为本实用新型较佳实施例的柔性触摸屏导电膜的结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]下面，结合附图以及【具体实施方式】，对本实用新型做进一步描述。
[0021]如图1所示，一种柔性触摸屏导电膜，其包括由下至上依次叠置的有机聚合物层10、五氧化二铌薄膜介质层20、二氧化硅粘接层30、IT0透明导电层40和引线层50，所述引线层50上开设有凹槽(图未标出)，所述凹槽内填充有纳米导电金属60。所示有机聚合物层10作为基底。
[0022]本实施例的有机聚合物层10优选为PET(Polyethylene terephthalate)层或PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)层。具体可选用透过率大于90%的高亮PET聚酯薄膜。
[0023]本实施例的五氧化二铌薄膜介质层20的折射率范围为2.0-2.5，其厚度范围为100-150 埃。
[0024]本实施例的二氧化硅粘接层30的折射率范围为1.4-1.7，其厚度范围为500-700埃。
[0025]本实施例的ITO (Indium Tin Oxides，铟锡氧化物)透明导电层40的折射率范围在为1.9-2.2，其厚度范围为500-1500埃。
[0026]本实施例的引线层50为OC材料层，其具有绝缘性，其厚度范围为l-3um。
[0027]本实施例的制作过程如下:
[0028]在预处理后的基底上镀五氧化二铌薄膜介质层20和二氧化硅粘接层30，在镀好的二氧化硅粘接层30上镀ITO透明导电层40，ITO透明导电层40利用黄光制程工艺:光刻胶涂覆、预烘、曝光、显影、固化、刻蚀、光刻胶剥离，最后得到功能层图案。在完成ITO功能层图案的基板上制作引线层50，曝光，显影后形成引线凹槽，对凹槽进行烘烤后，印压纳米导电金属60。表面擦除多余的纳米导电金属后烧结、固化后形成所需要的高透过率，耐弯曲的透明导电膜。
[0029]对于本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都应该属于本实用新型权利要求的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种柔性触摸屏导电膜，其特征在于，包括由下至上依次叠置的有机聚合物层、五氧化二铌薄膜介质层、二氧化硅粘接层、ITO透明导电层和引线层，所述引线层上开设有凹槽，所述凹槽内填充有纳米导电金属。
2.如权利要求1所述的柔性触摸屏导电膜，其特征在于，所述有机聚合物层为PET层或PEN 层。
3.如权利要求1所述的柔性触摸屏导电膜，其特征在于，所述五氧化二铌薄膜介质层的折射率范围为2.0-2.5。
4.如权利要求1所述的柔性触摸屏导电膜，其特征在于，所述二氧化硅粘接层的折射率范围为1.4-1.7。
5.如权利要求1所述的柔性触摸屏导电膜，其特征在于，所述ITO透明导电层的折射率范围在为1.9-2.2。
6.如权利要求1所述的柔性触摸屏导电膜，其特征在于，所述五氧化二铌薄膜介质层的厚度范围为100-150埃。
7.如权利要求1所述的柔性触摸屏导电膜，其特征在于，所述二氧化硅粘接层的厚度范围为500-700埃。
8.如权利要求1所述的柔性触摸屏导电膜，其特征在于，所述ITO透明导电层的厚度范围为500-1500埃。
9.如权利要求1所述的柔性触摸屏导电膜，其特征在于，所述引线层为OC材料层。
10.如权利要求1所述的柔性触摸屏导电膜，其特征在于，所述引线层的厚度范围为l-3um。
【文档编号】H01B5/14GK203931538SQ201420176310
【公开日】2014年11月5日 申请日期:2014年4月11日 优先权日:2014年4月11日
【发明者】毛肖林 申请人:深圳市深越光电技术有限公司